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基于电流模结构的超宽带无源混频器设计
1
作者
李潇然
王乾
+4 位作者
雷蕾
刘自成
韩放
齐全文
王兴华
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期655-660,共6页
采用SMIC 55 nm CMOS工艺,提出基于电流模结构的2~8 GHz超宽带高线性度直接下变频无源混频器结构.本设计主要结构为低噪声跨导放大器(low noise transconductance amplifier,LNTA)驱动I/Q两路电流模无源混频器,负载为低输入阻抗的跨阻...
采用SMIC 55 nm CMOS工艺,提出基于电流模结构的2~8 GHz超宽带高线性度直接下变频无源混频器结构.本设计主要结构为低噪声跨导放大器(low noise transconductance amplifier,LNTA)驱动I/Q两路电流模无源混频器,负载为低输入阻抗的跨阻放大器(trans-impedance amplifier,TIA),即LNTA-Passive Mixer-TIA结构.LNTA采用电容交叉耦合以及双端正反馈结构,解决阻抗匹配以及噪声等关键参数的折中问题.整个接收机链路获得较好的线性度及噪声性能,对于电源电压以及衬底噪声的鲁棒性也有所提升.后仿结果表明,在电源电压1.2 V情况下,射频输入信号频率为2~8 GHz,1 dB压缩点为−5.5 dBm,带内输入三阶交调点为−1 dBm,整体噪声系数为4 dB,核心版图面积为0.12 mm^(2).
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关键词
超宽带
低噪声跨导放大器
直接下变频无源混频器
跨阻放大器
CMOS工艺
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职称材料
直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器
被引量：
1
2
作者
申华
刘乾坤
+1 位作者
杨立吾
吕昕
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期700-704,共5页
提出了一种新型的应用于直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器.给出了混频器电路拓扑结构,输入宽带匹配网络采用并联电阻的形式,跨导级采用电流复用技术的CMOS反相器,跨导级和开关级通过电容交流耦合,用LC谐振网络替代传统电流源...
提出了一种新型的应用于直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器.给出了混频器电路拓扑结构,输入宽带匹配网络采用并联电阻的形式,跨导级采用电流复用技术的CMOS反相器,跨导级和开关级通过电容交流耦合,用LC谐振网络替代传统电流源.分析了改善混频器线性度、增益和噪声性能的方法.使用中芯国际0.13μm CMOS工艺制造芯片,测试结果表明,在电源电压为1 V,功耗为5.1 mW时,得到了非常好的线性度,输入三阶互调截点(IIP3)为10.20 dB(mW量级),同时功率增益为-4.2 dB,单边带噪声系数为12.8 dB.
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关键词
超宽带(UWB)
直接
下变频
接收机
折叠式开关
混频器
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职称材料
一种高线性无源双平衡混频器
被引量：
6
3
作者
曲韩宾
高思鑫
+1 位作者
张晓朋
高博
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期421-425,432,共6页
设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器。电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路。为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸...
设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器。电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路。为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸,并优化了本振放大器输出信号的幅值及上升时间。基于0.35μm BiCMOS工艺进行了设计仿真,芯片面积为0.9 mm×1.8 mm。流片测试结果表明:射频频率1.0～2.0 GHz,对应本振频率1.0～2.0 GHz,最佳本振输入功率为0 dBm,转换增益大于-7.0 dB,射频输入三阶交调大于25 dBm,混频器工作电压为3.3 V,功耗为112 mW。该高线性无源双平衡混频器可满足工程应用。
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关键词
混频器
BICMOS
无源
双平衡
高线性度
下变频
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职称材料
题名
基于电流模结构的超宽带无源混频器设计
1
作者
李潇然
王乾
雷蕾
刘自成
韩放
齐全文
王兴华
机构
北京理工大学集成电路与电子学院
北京理工大学前沿技术研究院
北京理工大学重庆微电子研究院
北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期655-660,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(62101038)
北京理工大学青年教师学术启动计划(XSQD-202105006)。
文摘
采用SMIC 55 nm CMOS工艺,提出基于电流模结构的2~8 GHz超宽带高线性度直接下变频无源混频器结构.本设计主要结构为低噪声跨导放大器(low noise transconductance amplifier,LNTA)驱动I/Q两路电流模无源混频器,负载为低输入阻抗的跨阻放大器(trans-impedance amplifier,TIA),即LNTA-Passive Mixer-TIA结构.LNTA采用电容交叉耦合以及双端正反馈结构,解决阻抗匹配以及噪声等关键参数的折中问题.整个接收机链路获得较好的线性度及噪声性能,对于电源电压以及衬底噪声的鲁棒性也有所提升.后仿结果表明,在电源电压1.2 V情况下,射频输入信号频率为2~8 GHz,1 dB压缩点为−5.5 dBm,带内输入三阶交调点为−1 dBm,整体噪声系数为4 dB,核心版图面积为0.12 mm^(2).
关键词
超宽带
低噪声跨导放大器
直接下变频无源混频器
跨阻放大器
CMOS工艺
Keywords
ultra-wideband
low noise transconductance amplifier(LNTA)
direct down conversion passive mixer
trans-impedance amplifier(TIA)
CMOS technology
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器
被引量：
1
2
作者
申华
刘乾坤
杨立吾
吕昕
机构
北京理工大学信息科学与技术学院电子工程系
西安电子科技大学微电子研究所
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第8期700-704,共5页
文摘
提出了一种新型的应用于直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器.给出了混频器电路拓扑结构,输入宽带匹配网络采用并联电阻的形式,跨导级采用电流复用技术的CMOS反相器,跨导级和开关级通过电容交流耦合,用LC谐振网络替代传统电流源.分析了改善混频器线性度、增益和噪声性能的方法.使用中芯国际0.13μm CMOS工艺制造芯片,测试结果表明,在电源电压为1 V,功耗为5.1 mW时,得到了非常好的线性度,输入三阶互调截点(IIP3)为10.20 dB(mW量级),同时功率增益为-4.2 dB,单边带噪声系数为12.8 dB.
关键词
超宽带(UWB)
直接
下变频
接收机
折叠式开关
混频器
Keywords
ultra wideband （UWB）
direct down-conversion receiver
folded-switching mixer
分类号
TN773 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种高线性无源双平衡混频器
被引量：
6
3
作者
曲韩宾
高思鑫
张晓朋
高博
机构
河北新华北集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期421-425,432,共6页
文摘
设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器。电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路。为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸,并优化了本振放大器输出信号的幅值及上升时间。基于0.35μm BiCMOS工艺进行了设计仿真,芯片面积为0.9 mm×1.8 mm。流片测试结果表明:射频频率1.0～2.0 GHz,对应本振频率1.0～2.0 GHz,最佳本振输入功率为0 dBm,转换增益大于-7.0 dB,射频输入三阶交调大于25 dBm,混频器工作电压为3.3 V,功耗为112 mW。该高线性无源双平衡混频器可满足工程应用。
关键词
混频器
BICMOS
无源
双平衡
高线性度
下变频
Keywords
mixer
BiCMOS
passive double balance
high linearity
down-conversion
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN773 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于电流模结构的超宽带无源混频器设计
李潇然
王乾
雷蕾
刘自成
韩放
齐全文
王兴华
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器
申华
刘乾坤
杨立吾
吕昕
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种高线性无源双平衡混频器
曲韩宾
高思鑫
张晓朋
高博
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
6
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职称材料
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