基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制 被引量：4

1

作者 邢怀昌 许金通 李向阳 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期966-971,共6页

本文旨在研制盖革模式电路并在两种紫外光照射下测试电路性能,为紫外通信提供数据参考。研制了适用于硅雪崩光电二极管(APD)的主动、被动两种盖革模式电路,设计并实现了输出可调至300.0 V的高稳定直流高压偏置电源,实测纹波电压小于20.4... 本文旨在研制盖革模式电路并在两种紫外光照射下测试电路性能,为紫外通信提供数据参考。研制了适用于硅雪崩光电二极管(APD)的主动、被动两种盖革模式电路,设计并实现了输出可调至300.0 V的高稳定直流高压偏置电源,实测纹波电压小于20.4 m V,纹波系数小于6.8×10-5。分别在可见盲和日盲两种紫外光照下,测试了被动盖革模式APD的死时间、暗计数和光子计数,给出了被动盖革模式工作的较佳高压偏置范围;紫外光照下,被动盖革模式APD的电路输出脉冲的死时间为1.0?s。基于被动盖革模式电路测试的参数,研制了主动盖革模式电路,实验结果表明:主动盖革模式电路输出脉冲的死时间为102.0 ns,光子计数的上限由被动盖革模式的1.0 MHz提高到主动盖革模式的9.8MHz。因此主动盖革模式电路在数据传输时有更高的传输带宽,预计可满足一些图像传输或者视频通信的基本要求。 展开更多

关键词 雪崩光电二极管 盖革模式 紫外 死时间 暗计数

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于CMOS工艺的单光子雪崩二极管的盖革模式仿真

2

作者 王成 孟丽娅 +1 位作者 王庆祥 闫旭亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期279-284,共6页

采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺和p阱保护环,使用SILVACO公司的ATLAS软件进行器件结构设计和仿真,得到了能正常工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管(SPAD)。仿真结果表明:设计的器件结构中p+/n-阱结降低了结附近的电场强度,并且低... 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺和p阱保护环,使用SILVACO公司的ATLAS软件进行器件结构设计和仿真,得到了能正常工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管(SPAD)。仿真结果表明:设计的器件结构中p+/n-阱结降低了结附近的电场强度,并且低于平面pn结的电场强度,从而起到了抑制二极管发生边缘击穿的保护作用;电场强度和碰撞产生率呈正相关,并得出了电子、空穴的雪崩产生率与纵向位置的关系曲线及器件中某一个点处的电子雪崩产生率和偏置电压的关系曲线。仿真结果对基于CMOS工艺的SAPD结构设计具有一定的指导意义。 展开更多

关键词 ATLAS软件 盖革模式 单光子雪崩二极管(SPAD) 电场强度 雪崩产生率

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaN基雪崩光电二极管及其研究进展 被引量：4

3

作者 刘福浩 许金通 +2 位作者 王玲 王荣阳 李向阳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第4期1215-1221,共7页

越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管（APD）的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态，器件内部载流子在高场下发生碰撞离化，从而使探测信号产生增益。首先对GaN基雪崩光电二极管的研究... 越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管（APD）的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态，器件内部载流子在高场下发生碰撞离化，从而使探测信号产生增益。首先对GaN基雪崩光电二极管的研究进展进行了回顾，然后重点报道了器件的增益最大可达3＆#215;105，介绍了本征层厚度与器件暗电流的关系，简单介绍了正在组建的基于相敏探测的交流增益测试系统，并研究了过剩噪声与调制频率之间的关系，发现在低频波段（30~2 kHz），过剩噪声呈现1/f噪声特性。最后，对盖革模式的雪崩光电二极管的研究进展及应用前景进行了简单介绍。 展开更多

关键词 雪崩光电二极管 增益 暗电流 噪声 盖革模式

在线阅读 下载PDF 职称材料

32×32元硅盖革APD探测器的凝视型激光3维成像 被引量：1

4

作者 王江 王鸥 +5 位作者 陈蔚 袁利 柯尊贵 郝昕 孔繁林 姜鹏 《激光技术》 北大核心 2025年第3期463-468,共6页

为了实现对特定目标区域的高精度探测,采用了凝视型激光3维成像技术,基于自研32×32元硅盖革模式激光焦平面探测器,搭建了一套1064 nm激光3维成像实验系统。探测器组件采用带有温度采样与控制模块的斯特林制冷型封装技术,实现了在... 为了实现对特定目标区域的高精度探测,采用了凝视型激光3维成像技术,基于自研32×32元硅盖革模式激光焦平面探测器,搭建了一套1064 nm激光3维成像实验系统。探测器组件采用带有温度采样与控制模块的斯特林制冷型封装技术,实现了在深低温环境下的高控温精度、高稳定性运行;成像系统通过发射脉冲激光点阵照射目标区域,并利用上述探测器捕获激光回波信号;经距离门噪声过滤和3维点云数据预处理后,取得了200 m处目标的3维距离图像以及670 m处目标的2维强度图像。结果表明,该激光3维成像系统具有30 cm的距离分辨率,可精确展现目标的几何细节。该研究为硅盖革模式激光焦平面探测器凝视3维成像技术的实际工程应用提供了参考。 展开更多

关键词 传感器技术 凝视型激光3维成像 雪崩光电二极管 盖革模式 硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计 被引量：3

5

作者 杨赟秀 袁菲 +5 位作者 路小龙 景立 邓世杰 呙长冬 宋海智 张伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期329-334,共6页

盖革模式(GM)雪崩光电二极管(APD)探测器具有单光子级探测灵敏度,可广泛用于三维成像和测量测绘等领域。针对InGaAs基GM-APD,提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路。该电路采用电容积分方式将雪崩电流转换为电压信号,利用反相器对其... 盖革模式(GM)雪崩光电二极管(APD)探测器具有单光子级探测灵敏度,可广泛用于三维成像和测量测绘等领域。针对InGaAs基GM-APD,提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路。该电路采用电容积分方式将雪崩电流转换为电压信号,利用反相器对其进行检测与提取,同时经淬灭支路将雪崩快速淬灭,一定延时后恢复支路使APD重新进入盖革状态;采用施密特触发器以增强淬灭支路的抗干扰能力,防止盖革恢复过程中导致淬灭控制信号的振荡;利用RC延迟电路实现探测器死时间可调。基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺对设计的主动淬灭电路进行了流片,电路芯片与GM-APD互连测试结果表明,该电路可实现对GM-APD的快速淬灭与恢复,淬灭时间约为887 ps,恢复时间约为325 ps,最小死时间约为29.8 ns,满足多回波探测应用要求。 展开更多

关键词 INGAAS 盖革模式(GM) 雪崩光电二极管(APD) 光探测器 主动淬灭 单光子

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于盖革模式APD阵列的激光雷达性能分析 被引量：2

6

作者 刘晓波 李丽 《航空兵器》 2009年第6期35-38,共4页

针对基于盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的激光雷达,提出一种分析其探测性能的方法。通过分析APD像元产生的初级光电子和噪声计数率,对APD像元的探测概率、虚警概率和漏警概率进行研究和仿真。结果表明,当激光雷达发射和接收光学系统... 针对基于盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的激光雷达,提出一种分析其探测性能的方法。通过分析APD像元产生的初级光电子和噪声计数率,对APD像元的探测概率、虚警概率和漏警概率进行研究和仿真。结果表明,当激光雷达发射和接收光学系统一定时,且探测500 m处目标,激光脉冲能量小于150μJ时,APD的探测概率随着激光脉冲能量的增加而提高;当激光脉冲能量在150μJ以上增加时,APD的探测概率保持不变。 展开更多

关键词 激光雷达 雪崩光电二极管 探测性能 盖革模式

在线阅读 下载PDF 职称材料

用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿 被引量：1

7

作者 侯丽丽 韩勤 +2 位作者 李彬 王帅 叶焓 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期78-85,共8页

通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑... 通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑深度会随着倍增层厚度而变化,当倍增层厚度为1μm左右时刻蚀坑深度在0.1~0.3μm之间.采取反应离子刻蚀可以获得良好的刻蚀坑形貌,有利于边缘击穿的抑制. 展开更多

关键词 雪崩光电二极管 光探测器 离化积分 电场击穿 刻蚀 反应离子刻蚀 盖革计数

在线阅读 下载PDF 职称材料

高性能单光子雪崩二极管在180 nm CMOS工艺中的设计与实现（英文） 被引量：3

8

作者 金湘亮 曹灿 杨红姣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期30-34,128,共6页

为了实现大阵列电路集成,文中设计和实现了一种能与主动淬火电路集成的宽光谱范围和快速的单光子雪崩二极管(SPAD)芯片.一个精确的单光子雪崩二极管电路模型模拟了其在盖革模式下的静态和动态行为.该有源区直径为8μm的单光子雪崩二极... 为了实现大阵列电路集成,文中设计和实现了一种能与主动淬火电路集成的宽光谱范围和快速的单光子雪崩二极管(SPAD)芯片.一个精确的单光子雪崩二极管电路模型模拟了其在盖革模式下的静态和动态行为.该有源区直径为8μm的单光子雪崩二极管器件是基于上海宏利GSMC 180 nm CMOS图像传感器(CIS)技术实现的.由于采用有效的器件结构,其击穿电压是15.2 V,淬灭时间是7.9 ns.此外,该器件实现了宽的光谱灵敏度,其在低过电压下的光子探测概率(PDP)从470 nm到680 nm光波长段最高可达15.7%.并且它在室温下的暗计数率相当低. 展开更多

关键词 单光子雪崩二极管 光子探测概率 模型 盖革模式 CMOS图像传感器技术

在线阅读 下载PDF 职称材料

光子计数模式下的目标探测与成像 被引量：1

9

作者 尹丽菊 陈钱 +1 位作者 顾国华 周蓓蓓 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期821-825,共5页

当光微弱到以单个光子发射时,成像系统只有利用光子计数模式才能探测到单光子信息。采用基于碰撞电离效应的全固态雪崩光电二极管作为探测元件,构成微光环境下的光子计数成像实验系统。该系统的硬件主要由雪崩光电二极管构成的单光子计... 当光微弱到以单个光子发射时,成像系统只有利用光子计数模式才能探测到单光子信息。采用基于碰撞电离效应的全固态雪崩光电二极管作为探测元件,构成微光环境下的光子计数成像实验系统。该系统的硬件主要由雪崩光电二极管构成的单光子计数器、计算机、微光照度计、2维电控导轨、控制器、暗箱等组成。控制器的软件在Altera公司Quartus环境下设计,主要完成导轨运动的控制;上位机软件采用VC++编程实现系统的数据采集处理、系统功能控制和光子计数图像显示等。该系统为全固态结构,工作电压小于35V,暗计数率小于4 Hz。所建光子计数成像系统在10-5lx微光环境下实现了目标的探测成像。 展开更多

关键词 光电子学 光子计数成像系统 雪崩光电二极管 盖革模式

在线阅读 下载PDF 职称材料

InP基自由运行模式单光子APD 被引量：6

10

作者 史衍丽 朱泓遐 +5 位作者 杨雪艳 曾辉 李再波 刘辰 王建 王伟 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期48-55,共8页

基于InGaAs/InP材料的雪崩二极管探测器工作响应波段范围0.9~1.67μm,在盖革模式下探测效率较高,具有单光子量级的灵敏度,通过配置不同的偏置电路,可工作在门控和自由运行模式。目前主要采用门控模式的工作方式,门控模式可应用于光子到... 基于InGaAs/InP材料的雪崩二极管探测器工作响应波段范围0.9~1.67μm,在盖革模式下探测效率较高,具有单光子量级的灵敏度,通过配置不同的偏置电路,可工作在门控和自由运行模式。目前主要采用门控模式的工作方式,门控模式可应用于光子到来时间已知的量子密钥分发。在激光测距、激光雷达成像等应用中当光子到达时间是未知的条件下,器件需工作在自由运行模式下。通过内部集成或片上集成自淬灭器件,探测器本身具有自淬灭或自恢复功能,无需外部淬灭电路,可工作在自由运行模式,大大拓展了InGaAs/InP单光子探测器的应用领域,同时对制备单光子探测器阵列具有优势。另外,采用InGaAs/GaAsSbⅡ类超晶格材料作为雪崩二极管的吸收层,可将探测器的截止波长进一步扩展为2.4μm。首先对盖革模式APD进行了介绍,在此基础上对当前发展的自由运行模式以及扩展波长的InP基单光子探测器原理和性能进行了详细的阐述。 展开更多

关键词 INP基 雪崩光电二极管 单光子探测器 盖格模式 自由运行模式 自淬灭 负反馈

在线阅读 下载PDF 职称材料

GM-APD阵列高精度像素读出电路设计 被引量：6

11

作者 赵佳姮 赵毅强 +2 位作者 叶茂 夏显召 周国清 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期138-145,共8页

提出并设计了一种适用于激光3D成像的盖革模式雪崩光电二极管(Geiger-mode avalanche photodiode,GM-APD)阵列像素读出电路。基于飞行时间(time-of-flight,TOF)原理,像素读出电路主要由两部分组成:有源淬火电路(active quenching circui... 提出并设计了一种适用于激光3D成像的盖革模式雪崩光电二极管(Geiger-mode avalanche photodiode,GM-APD)阵列像素读出电路。基于飞行时间(time-of-flight,TOF)原理,像素读出电路主要由两部分组成:有源淬火电路(active quenching circuit,AQC)和时间数字转换器(time-to-digital converter,TDC)。所采用的TDC是粗细结合的两段式计数方式,成功实现了时钟频率和时间分辨率间的折中。基于内插技术,由粗计数的线性反馈移位寄存器和细计数的延时线型TDC共同实现了高达18-bit的动态范围。同时两者的时钟频率分别降低至250 MHz和500 MHz,分别是常规设计频率的1/20和1/10,大大降低了设计和应用难度。电路采用SMIC 0.18μm工艺设计,后仿结果显示达到了200 ps的高精度时间分辨率,对应的距离分辨率为3 cm,完全能够满足3 km激光3D成像中的测距要求。像素电路版图面积小于50×95μm2,总功耗为0.89 m W,具有小面积和低功耗的优势。 展开更多

关键词 读出电路 盖革模式雪崩光电二极管 延时线型TDC 激光3D成像

在线阅读 下载PDF 职称材料

单量估计法单光子激光透雾成像 被引量：5

12

作者 郭世杭 陆威 +3 位作者 孙剑峰 刘迪 周鑫 姜鹏 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1234-1241,共8页

传统激光雷达在透雾成像过程中受探测接收灵敏度限制无法提取淹没在强后向散射噪声内的目标信号,难以达到透雾效果。本文提出单量估计法的面阵盖革模式雪崩光电二极管激光雷达透雾成像算法,依据盖革模式触发探测模型,通过对回波光子进... 传统激光雷达在透雾成像过程中受探测接收灵敏度限制无法提取淹没在强后向散射噪声内的目标信号,难以达到透雾效果。本文提出单量估计法的面阵盖革模式雪崩光电二极管激光雷达透雾成像算法,依据盖革模式触发探测模型,通过对回波光子进行极大似然估计得到后向散射分布,提取目标回波位置,抑制了后向散射噪声,达到透雾成像的目的。搭建了室内激光透雾成像实验平台,获取了不同浓度下的透雾成像数据。实验结果表明,与峰值法和双量估计法相比,单量估计法能最大程度恢复目标像素数,衰减系数为0.11 m-1时,相比峰值法距离信息恢复量提升8.26%,目标复原度降低16.22%;衰减系数为0.86 m-1时,相比峰值法距离信息恢复量提升86.86%,目标复原度提高20.51%;衰减系数为2.37 m-1时,相比峰值法距离信息恢复量提升253.19%,目标复原度提高53.44%。在衰减系数较大时,单量估计法在信号级去雾处理上的目标复原度较高。 展开更多

关键词 激光雷达 后向散射 盖革模式雪崩光电二极管 GAMMA分布 单量估计法

在线阅读 下载PDF 职称材料

近红外单光子读取电路 被引量：5

13

作者 黄振 蒋远大 +3 位作者 孙志斌 郑福 王超 翟光杰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第2期464-468,共5页

近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片,获得可调的门控脉冲,控制雪崩光电二极管(APD)死时间和淬灭雪崩信号,同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制... 近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片,获得可调的门控脉冲,控制雪崩光电二极管(APD)死时间和淬灭雪崩信号,同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制模块以及雪崩信号提取电路。主要采用延迟鉴别、边沿锁存的方法提取雪崩光电二极管雪崩信号。在整个实验过程中,雪崩光电二极管工作温度为-55℃,脉冲宽度10ns,门控频率1MHz和10MHz,激光器激光波长1550nm,单光子探测器是PGA-400InGaAs雪崩光电二极管。 展开更多

关键词 近红外 读取电路 铟镓砷雪崩光电二极管 盖革模式

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于Geiger-mode APD的激光雷达性能分析 被引量：4

14

作者 方照勋 张华 +4 位作者 李海廷 路英宾 高剑波 陈德章 卿光弼 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1092-1097,共6页

针对基于盖革模式雪崩光电二极管(Gm-APD)阵列的激光雷达,提出一种分析其探测性能的方法。以分析单个Gm-APD像元产生的初始光电子和暗计数噪声为基础,对Gm-APD像元的探测概率、虚警概率和漏警概率进行研究,并进一步提出一种多脉冲阈值... 针对基于盖革模式雪崩光电二极管(Gm-APD)阵列的激光雷达,提出一种分析其探测性能的方法。以分析单个Gm-APD像元产生的初始光电子和暗计数噪声为基础,对Gm-APD像元的探测概率、虚警概率和漏警概率进行研究,并进一步提出一种多脉冲阈值探测法,并对其探测概率、虚警概率进行了研究和仿真。结果表明,对2～10 km外的目标,采用128×128像元面阵探测器,单脉冲能量小于200 mJ时,探测概率随脉冲能量提高而提高;单脉冲能量大于200 mJ时,探测概率保持不变;当采用多脉冲阈值探测、信号较弱时,探测概率总是随脉冲能量提高而提高,虚警概率总是随脉冲能量提高而降低。 展开更多

关键词 三维成像 激光雷达 盖革模式 雪崩光电二极管 探测概率 虚警概率

在线阅读 下载PDF 职称材料

量子通信中单光子探测器的实验研究 被引量：8

15

作者 韩宇宏 杨树 马海强 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期322-326,共5页

为了提高单光子探测系统的灵敏度,实验采用InGaAs/InP雪崩光电二极管作为量子通信中的单光子探测器件,以门控脉冲模式实现了更高精度的单光子探测器的偏压生成电路、单光子信号放大电路、单光子信号检测电路和温度控制模块,并通过选用... 为了提高单光子探测系统的灵敏度,实验采用InGaAs/InP雪崩光电二极管作为量子通信中的单光子探测器件,以门控脉冲模式实现了更高精度的单光子探测器的偏压生成电路、单光子信号放大电路、单光子信号检测电路和温度控制模块,并通过选用高精度前置放大器OP37和精密比较器AD8561,将量子效率提高到18.3%,暗计数控制小于4.1%×10-6/ns。 展开更多

关键词 单光子探测 门脉冲模式 雪崩光电二极管 量子通信

在线阅读 下载PDF 职称材料

光子计数探测与成像实验装置设计 被引量：2

16

作者 屈惠明 陈钱 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期39-42,共4页

光子计数探测是微弱光学辐射探测和超快速成像研究的关键技术。利用工作于盖革模式的雪崩光电二极管(APD)结合适当的驱动熄灭电路和NI-PCI高速图像数据采集卡构成实验系统硬件框架,通过Labview和VC++混合编程实现系统的数据采集处理程... 光子计数探测是微弱光学辐射探测和超快速成像研究的关键技术。利用工作于盖革模式的雪崩光电二极管(APD)结合适当的驱动熄灭电路和NI-PCI高速图像数据采集卡构成实验系统硬件框架,通过Labview和VC++混合编程实现系统的数据采集处理程序和显示界面,设计建立了一套光子计数探测与成像实验装置,详细介绍了实施方案。该实验装置实现了光子计数脉冲信号的探测、处理与显示,为微弱光学辐射信号的探测与超快速成像研究提供了实验平台。 展开更多

关键词 光子计数探测 光子成像 雪崩光电二极管 盖革模式

在线阅读 下载PDF 职称材料

G-APD阵列——一种具有单光子灵敏度的三维成像探测器 被引量：5

17

作者 龚威 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期452-455,554,共5页

介绍了一种利用盖革模式雪崩二极管(G-APD)作为成像单元的新型阵列光电探测器,重点介绍了该新型成像光电探测器的关键技术、器件研发和系统应用的发展状况。G-APD阵列探测器兼具单光子探测灵敏度和皮秒级时间分辨率两大特点,适用于对极... 介绍了一种利用盖革模式雪崩二极管(G-APD)作为成像单元的新型阵列光电探测器,重点介绍了该新型成像光电探测器的关键技术、器件研发和系统应用的发展状况。G-APD阵列探测器兼具单光子探测灵敏度和皮秒级时间分辨率两大特点,适用于对极微弱光目标的三维成像探测。同时,G-APD阵列探测器又是一种全固态的光电探测器件,不仅体积小、重量轻、可靠性高,而且还可用现有的微光电子工艺进行规模化生产。因此,G-APD阵列是目前阵列光电探测器件的一个重大发展,必将在各种高端光电成像领域获得广泛的应用。 展开更多

关键词 光学器件 光电成像探测 雪崩二极管阵列 盖革模式 单光子成像 三维成像

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于G-SPAD的卫星激光测距回波特性 被引量：4

18

作者 刘源 安宁 +3 位作者 范存波 温冠宇 张海涛 马磊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期193-200,共8页

从盖革模式单光子雪崩光电二极管的光电特性出发,分析了卫星激光测距的测距精度与激光脉冲宽度及回波强度的关系,并利用长春站卫星激光测距系统对地球动力学卫星进行观测.结果表明,当回波光子数为1 000左右时,系统测距精度为10.2mm左右... 从盖革模式单光子雪崩光电二极管的光电特性出发,分析了卫星激光测距的测距精度与激光脉冲宽度及回波强度的关系,并利用长春站卫星激光测距系统对地球动力学卫星进行观测.结果表明,当回波光子数为1 000左右时,系统测距精度为10.2mm左右,当回波光子数为8 000时,测距精度减小为9.4mm左右,表明回波强度较大时,可提高卫星激光测距系统的测距精度;当激光器脉宽为200ps时,系统测距精度为17.3mm,当脉宽为50ps时,系统的测距精度为10.0mm,表明卫星激光测距系统的测距精度随着脉宽变窄得到了有效提高.为进一步验证理论结果,对Ajisai卫星进行实测,分析了高重复频率激光测距系统对系统测距精度的影响,结果表明采用窄脉宽高重复频率的激光测距系统,激光测距有效回波数和标准点密度呈数量级增加,测距精度也有一定的提高.因此,为了改善卫星激光测距系统回波特性,应选用脉宽窄、重复频率高、能量大的激光器作为基于盖革模式单光子雪崩光电二极管的卫星激光测距系统的激光光源. 展开更多

关键词 盖革模式单光子雪崩光电二极管 探测器 卫星激光测距 回波特性 测距精度

在线阅读 下载PDF 职称材料

高速近红外1550nm单光子探测器 被引量：9

19

作者 杨皓 王超 +2 位作者 孙志斌 王迪 翟光杰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第2期325-329,共5页

高速近红外1 550 nm单光子探测器采用半导体制冷和热管风冷混合技术,雪崩二极管工作于盖革模式下,使用交流耦合方式提供门脉冲信号,通过延迟补偿和采样边沿锁存方式消除尖脉冲干扰,采用反馈门控减小后脉冲的影响。采用了ECL(Emitter Cou... 高速近红外1 550 nm单光子探测器采用半导体制冷和热管风冷混合技术,雪崩二极管工作于盖革模式下,使用交流耦合方式提供门脉冲信号,通过延迟补偿和采样边沿锁存方式消除尖脉冲干扰,采用反馈门控减小后脉冲的影响。采用了ECL(Emitter Couple Logic)与TTL(Transistor-TransistorLogic)混合电子技术提高单光子探测系统的运行频率,其频率可大于10 MHz;另外,通过对雪崩信号的放大来提高信号的动态范围,进一步优化探测器的性能。实验测试与分析表明,探测器在时钟频率10 MHz、温度-62℃、门脉冲宽度8 ns的条件下的最优性能参数为:量子探测效率12.8%,暗计数率3.76×10-6ns-1,噪声等效功率8.68×10-19W/Hz1/2。 展开更多

关键词 单光子探测 半导体制冷 雪崩二极管 盖革模式 门控

在线阅读 下载PDF 职称材料

SPAD单光子探测器SPICE电路模型的建立与仿真研究 被引量：3

20

作者 袁俊 吴广国 +3 位作者 张国青 梁琨 杨茹 韩德俊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期62-68,共7页

在SPAD等效电路的基础上建立了简单实用的SPICE电路模型,并对SPAD四种基本的工作电路结构(被动淬灭、主动淬灭、门控模式和电容淬灭)进行了细致的仿真分析。仿真结果清晰的反映了四种电路各自的特性和优缺点,以及SPAD器件寄生参数对于... 在SPAD等效电路的基础上建立了简单实用的SPICE电路模型,并对SPAD四种基本的工作电路结构(被动淬灭、主动淬灭、门控模式和电容淬灭)进行了细致的仿真分析。仿真结果清晰的反映了四种电路各自的特性和优缺点,以及SPAD器件寄生参数对于电路性能的影响,得到了与实验基本一致结果。该电路模型可以直接应用于后续信号读出电路及前置放大电路系统的仿真设计,调节电路参数,优化电路性能,从而节省后续电路设计与制作的时间。 展开更多

关键词 SPAD SPICE仿真 盖革模式 雪崩光电二极管

在线阅读 下载PDF 职称材料