O734 2001021373GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱=Rutherford backscatterng and channeling,doublecrystal X-ray diffraction and photoluminescenceof GaN[刊,中]/姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益(...O734 2001021373GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱=Rutherford backscatterng and channeling,doublecrystal X-ray diffraction and photoluminescenceof GaN[刊,中]/姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益(南昌大学材料科学研究所.江西,南昌(330047))//半导体学报.—2000,21(5).-437-440采用卢瑟福背散射沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试。它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致。图4表1参11(李瑞琴)展开更多
文摘O734 2001021373GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱=Rutherford backscatterng and channeling,doublecrystal X-ray diffraction and photoluminescenceof GaN[刊,中]/姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益(南昌大学材料科学研究所.江西,南昌(330047))//半导体学报.—2000,21(5).-437-440采用卢瑟福背散射沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试。它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致。图4表1参11(李瑞琴)
