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用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度(英文): 1; 作者张贺秋许铭真谭长华《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期417-423,共7页; 在均匀的高电场应力下 ,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文中 ,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密... 展开更多; 关键词界面陷阱密度高电场应力比例差分 MOSFET; 在线阅读下载PDF 职称材料

DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布被引量：3: 2; 作者赵洪利曾传滨 +3 位作者刘魁勇刘刚罗家俊韩郑生《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期63-67,共5页; 基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函... 展开更多; 关键词直流电流电压(DCIV) 金属氧化物半导体/绝缘体上硅(MOS/SOI) 有效界面陷阱面密度最小二乘拟合 U型分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同工艺条件对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能影响: 3; 作者朱慧孙烨镕 +4 位作者李屹林姚智文张轶群张之壤刘行《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期914-920,共7页; 为了探究不同工艺对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能的影响,对比了3种不同工艺薄膜晶体管的电学特性和陷阱特性。首先,通过瞬态电流法研究陷阱,运用陷阱对载流子的捕获和释放的特点测量得到瞬态电流曲线,通过分别改变栅压和漏压并结合不... 展开更多; 关键词薄膜晶体管陷阱瞬态电流法界面陷阱密度晶界陷阱密度电学特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法: 4; 作者李同合陈光遂高捷《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期514-517,共4页; 准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特... 展开更多; 关键词准静态 C-V测量半导体 ATF 界面陷阱密度测量; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度(英文): 1; 作者张贺秋许铭真谭长华; 机构北京大学微电子研究院; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期417-423,共7页; 基金国家重点基金研究 (G2 0 0 0 0 3 650 3 ) 教育部博士点基金 (970 0 0 113 )资助项目; 文摘在均匀的高电场应力下 ,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文中 ,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度。得到了阈值电压和比例差分峰值 ,界面陷阱密度和应力时间的关系。此种方法也适用于PMOSFET器件。这是一个简单而快捷的技术。; 关键词界面陷阱密度高电场应力比例差分 MOSFET; Keywords Interface trap density high electric field stress proportional difference MOSFET; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布被引量：3: 2; 作者赵洪利曾传滨刘魁勇刘刚罗家俊韩郑生; 机构中国科学院微电子研究所辽宁大学物理学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期63-67,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11179003 61176095); 文摘基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图。分别对部分耗尽的n MOS/SOI和p MOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图。结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109cm-2·e V-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011cm-2·e V-1。; 关键词直流电流电压(DCIV) 金属氧化物半导体/绝缘体上硅(MOS/SOI) 有效界面陷阱面密度最小二乘拟合 U型分布; Keywords DC current-voltage （DCIV） metal oxide semiconductor/silicon on insulator （MOS/SOI） effective interface trap surface density least-squares-fit U-shaped distribution; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同工艺条件对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能影响: 3; 作者朱慧孙烨镕李屹林姚智文张轶群张之壤刘行; 机构北京工业大学信息学部; 出处《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期914-920,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61201046) 北京市自然科学基金资助项目(4202009,4162013)。; 文摘为了探究不同工艺对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能的影响,对比了3种不同工艺薄膜晶体管的电学特性和陷阱特性。首先,通过瞬态电流法研究陷阱,运用陷阱对载流子的捕获和释放的特点测量得到瞬态电流曲线,通过分别改变栅压和漏压并结合不同温度的陷阱去俘获峰值曲线提取的激活能分析得到不同俘获过程所对应的不同位置的3种陷阱。其次,用仪器测量器件的I-V特性曲线,提取器件的阈值电压V_(TH)、亚阈值摆幅S和迁移率μ进行比对分析。结果显示,样品A2的工艺改善了膜质,降低了器件的阈值电压和关态漏电流,同时降低了栅氧化层的陷阱密度;样品A4的工艺填补了界面和沟道内的悬挂键,优化了器件的迁移率和亚阈值摆幅,同时降低了界面和晶界的陷阱密度。; 关键词薄膜晶体管陷阱瞬态电流法界面陷阱密度晶界陷阱密度电学特性; Keywords thin film transistor trap current transient method interface trap density grain boundary trap density electrical properties; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法: 4; 作者李同合陈光遂高捷; 机构西安交通大学微电子工程系; 出处《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期514-517,共4页; 文摘准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量...; 关键词准静态 C-V测量半导体 ATF 界面陷阱密度测量; 分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度(英文)	张贺秋许铭真谭长华	《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布	赵洪利曾传滨刘魁勇刘刚罗家俊韩郑生	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同工艺条件对柔性低温多晶硅薄膜晶体管性能影响	朱慧孙烨镕李屹林姚智文张轶群张之壤刘行	《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法	李同合陈光遂高捷	《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料