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YON界面钝化层改善HfO_(2)/Ge界面特性的研究
被引量：
1
1
作者
程智翔
徐钦
刘璐
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期2810-2814,共5页
本文采用YON界面钝化层来改善HfO_2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N_2氛围中溅射Y_2O_3靶直接淀积获得以及先在Ar+N_2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形...
本文采用YON界面钝化层来改善HfO_2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N_2氛围中溅射Y_2O_3靶直接淀积获得以及先在Ar+N_2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性:较小的CET(1.66 nm),较大的k值(18.8),较低的界面态密度(7.79×10^(11)e V^(-1)cm^(-2))和等效氧化物电荷密度(-4.83×10^(12)cm^(-2)),低的栅极漏电流(3.40×10^(-4)A/cm^2@V_g=V_(fb)+1 V)以及好的高场应力可靠性.
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关键词
Ge金属-氧
化
物-半导体
界面钝化层
YON
界面
态密度
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职称材料
题名
YON界面钝化层改善HfO_(2)/Ge界面特性的研究
被引量：
1
1
作者
程智翔
徐钦
刘璐
机构
华中科技大学光学与电子信息学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期2810-2814,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61274112,No.61176100,No.61404055).
文摘
本文采用YON界面钝化层来改善HfO_2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N_2氛围中溅射Y_2O_3靶直接淀积获得以及先在Ar+N_2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性:较小的CET(1.66 nm),较大的k值(18.8),较低的界面态密度(7.79×10^(11)e V^(-1)cm^(-2))和等效氧化物电荷密度(-4.83×10^(12)cm^(-2)),低的栅极漏电流(3.40×10^(-4)A/cm^2@V_g=V_(fb)+1 V)以及好的高场应力可靠性.
关键词
Ge金属-氧
化
物-半导体
界面钝化层
YON
界面
态密度
Keywords
Ge metal-oxide-semiconductor
interfacial passivation layer
YON
interface-state density
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
YON界面钝化层改善HfO_(2)/Ge界面特性的研究
程智翔
徐钦
刘璐
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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