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利用环电位来研究器件结构参数
1
作者
宋汉斌
陆景唐
+1 位作者
董鸣
季超仁
《上海大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1998年第3期259-263,共5页
器件终端处的界面电荷密度是一个影响场限制环终端增压效果的敏感参数，尚无准确的测量方法．本文用数值模拟方法算得了环电位的理论曲线；用实验测量了环电位实验曲线．在此基础上提出了一种通过拟合理论和实验环电位变化曲线而得到实...
器件终端处的界面电荷密度是一个影响场限制环终端增压效果的敏感参数，尚无准确的测量方法．本文用数值模拟方法算得了环电位的理论曲线；用实验测量了环电位实验曲线．在此基础上提出了一种通过拟合理论和实验环电位变化曲线而得到实际器件终端处界面电荷密度的方法，可成为考核设计、指导工艺的有用手段．
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关键词
界面电荷密度
环电位
半导体
P-N结
终端结构
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职称材料
题名
利用环电位来研究器件结构参数
1
作者
宋汉斌
陆景唐
董鸣
季超仁
机构
上海大学通信与信息工程学院电子物理研究所
出处
《上海大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1998年第3期259-263,共5页
文摘
器件终端处的界面电荷密度是一个影响场限制环终端增压效果的敏感参数，尚无准确的测量方法．本文用数值模拟方法算得了环电位的理论曲线；用实验测量了环电位实验曲线．在此基础上提出了一种通过拟合理论和实验环电位变化曲线而得到实际器件终端处界面电荷密度的方法，可成为考核设计、指导工艺的有用手段．
关键词
界面电荷密度
环电位
半导体
P-N结
终端结构
Keywords
interface charge density
field limiting ring
ring voltage
high voltage termination
optimal separation of ring
safe separation of ring
分类号
O475 [理学—半导体物理]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
利用环电位来研究器件结构参数
宋汉斌
陆景唐
董鸣
季超仁
《上海大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1998
0
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