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CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究 被引量:6
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作者 郜朝阳 张旭 +2 位作者 郑代顺 何锡源 张福甲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期502-506,共5页
覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的... 覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 +2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。 展开更多
关键词 界面电子态 XPS CuPc/ITO 界面分析 导电玻璃 有机发光器件 空穴 电极
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半导体表面和界面电子态的研究进展
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作者 谢希德 《物理学进展》 1981年第1期86-99,共14页
本文第一部份介绍了近年来有关半导体表面和界面电子态的一些实验与理论研究结果以及目前大家感兴趣的课题,第二部份则介绍理论研究方面主要使用的方法以及方法的特点和不足之处。
关键词 表面电子 半导体表面 基矢 原胞 薄片 原子层 再构 界面电子态 赝势法 能带结构算法 自洽计算 原子轨道 能带结构 电子
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钙钛矿型过渡金属氧化物界面二维电子态的研究进展 被引量:1
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作者 陈文灏 张睿智 杨璐娜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第13期1-6,11,共7页
钙钛矿结构氧化物界面因其独特的强关联性质引起研究者的广泛关注。首先以SrTiO3/LaAlO3体系为例介绍了氧化物界面二维电子态独特的强关联性质,以及形成二维电子态的两种物理机制——"极化灾难"与氧缺陷理论;然后综述了SrTiO3... 钙钛矿结构氧化物界面因其独特的强关联性质引起研究者的广泛关注。首先以SrTiO3/LaAlO3体系为例介绍了氧化物界面二维电子态独特的强关联性质,以及形成二维电子态的两种物理机制——"极化灾难"与氧缺陷理论;然后综述了SrTiO3/LaAlO3体系界面密度泛函理论计算的研究现状,包括3种计算模型的构建、界面处的能带偏移与电子分布、界面附近的离子弛豫及其对电子结构的影响等;最后简要介绍了其他钙钛矿结构氧化物界面体系,并展望了其发展前景。 展开更多
关键词 SrTiO3二维电子氧化物界面
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有机半导体二萘嵌苯在Ru(0001)表面上有序结构的电子态
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作者 黄寒 毛宏颖 +4 位作者 张建华 张寒洁 李海洋 何丕模 鲍世宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期137-141,共5页
在Ru(0 0 0 1)表面上 ,四个与有机半导体二萘嵌苯 (Perylene)分子轨道相关的谱峰分别位于费米能级以下 4 5、6 3、7 2、9 9eV处。在界面处它们的结合能相对较低 ,反映了界面处有机吸附层与衬底之间的相互作用 ,衬底中的电子部分地转... 在Ru(0 0 0 1)表面上 ,四个与有机半导体二萘嵌苯 (Perylene)分子轨道相关的谱峰分别位于费米能级以下 4 5、6 3、7 2、9 9eV处。在界面处它们的结合能相对较低 ,反映了界面处有机吸附层与衬底之间的相互作用 ,衬底中的电子部分地转移到了有机分子的一个或几个轨道上了。低能电子衍射的结果表明 :当沉积厚度接近一个单层时 ,Perylene分子在Ru(0 0 0 1)表面上形成一种类似 (4× 4 )的有序结构。角分辨紫外光电子能谱的结果表明 :Perylene分子平面平行于Ru(0 0 0 1)表面 ,而分子的长轴沿 [10 0 0 ]方向取向。随着衬底温度的上升 ,有机半导体材料在Ru(0 0 0 1)表面以脱附的形式逐渐减少 ,在 15 展开更多
关键词 有机半导体 二萘嵌苯 RU 有序结构 界面电子态 紫外光电子能谱
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Dual-site Doping of Tungsten and Fluorine Enhances the Interface Stability of Na3SbS4 in All-solid-state Sodium Metal Batteries
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作者 GUO Yihao HU Xiaoyu YUAN Yongfeng 《材料科学与工程学报》 北大核心 2025年第5期743-756,共14页
Practical application of Na3SbS4(NSS)solid-state electrolyte in sodium metal batteries has been significantly hindered by poor interfacial stability and insufficient ionic conductivity.In this study,a series of dual-s... Practical application of Na3SbS4(NSS)solid-state electrolyte in sodium metal batteries has been significantly hindered by poor interfacial stability and insufficient ionic conductivity.In this study,a series of dual-site doped Na_(3-2x)Sb_(1-x)W_(x)S_(4-x)F_(x)(x=0,0.12,0.24,0.36)electrolytes through high-energy ball milling followed by high-temperature sintering is prepared,where tungsten(W)substitutes for antimony(Sb)and fluorine(F)replaces sulfur(S)in the NSS lattice.The co-doping of W and F not only broadens the interplanar spacing of NSS but also promotes the stable formation of the cubic phase of NSS,thereby effectively enhancing the transport ability of sodium ions within NSS.Among them,Na_(2.52)Sb|_(0.76)W_(0.24)S_(3.76)F_(0.24) exhibits the highest ionic conductivity of 4.45 mS·cm^(-1).Furthermore,F doping facilitates the in-situ formation of NaF between the electrolyte and metallic sodium,significantly improving interfacial stability.Electrochemical evaluation shows that the Na/Na_(2.52)Sb|_(0.76)W_(0.24)S_(3.76)F_(0.24)/Na symmetric cell achieves a high critical current density of 1.65 mA·cm^(-2) and maintains stable sodium plating/stripping cycling for 500 h at 0.1 mA·cm^(-2).Additionally,the TiS2/Na_(2.52)Sb|_(0.76)W_(0.24)S_(3.76)F_(0.24)/Na full cell exhibits outstanding cycling stability and rate capability. 展开更多
关键词 Tungsten and fluorine co-doping Ionic conductivity Interface stability Allsolid-state sodium metal batteries
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