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在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降
被引量：
1
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作者
李兴教
王宁章
+4 位作者
鲍军波
邹雪城
徐静平
陈涛
LI Shao-ping
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期374-377,共4页
利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由...
利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由修正的经验幂定律和 I- V曲线近似公式算出的界面电位降 Vi 与由 C- V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。
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关键词
二极管
层状铁电薄膜
界面电位降
耗尽层
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职称材料
MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算
2
作者
王宁章
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2005年第3期248-251,共4页
利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算...
利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算出界面电位降Vi,结果表明,界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.在三种结构中,B IT/PZT/B IT结构的界面电压降为最小,其界面效应优于单层和双层结构的界面效应.
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关键词
层状结构铁电薄膜
界面电位降
耗尽层
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职称材料
题名
在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降
被引量：
1
1
作者
李兴教
王宁章
鲍军波
邹雪城
徐静平
陈涛
LI Shao-ping
机构
华中科技大学电子系
Advanced Recording Technology Laboratory Seagate Technology
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期374-377,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (5 9972 0 10 )
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室资助项目
文摘
利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由修正的经验幂定律和 I- V曲线近似公式算出的界面电位降 Vi 与由 C- V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。
关键词
二极管
层状铁电薄膜
界面电位降
耗尽层
Keywords
ferroelectric multilayer thin films
voltage drop
modified empirical power law
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算
2
作者
王宁章
机构
广西大学计算机与电子信息学院
出处
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2005年第3期248-251,共4页
基金
广西大学基金资助项目(X002081)
文摘
利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算出界面电位降Vi,结果表明,界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.在三种结构中,B IT/PZT/B IT结构的界面电压降为最小,其界面效应优于单层和双层结构的界面效应.
关键词
层状结构铁电薄膜
界面电位降
耗尽层
Keywords
multilayer ferroelectric films
the voltage trop at interface
depletion layer
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降
李兴教
王宁章
鲍军波
邹雪城
徐静平
陈涛
LI Shao-ping
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
在线阅读
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职称材料
2
MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算
王宁章
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2005
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