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在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降 被引量:1
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作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 邹雪城 徐静平 陈涛 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期374-377,共4页
利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由... 利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由修正的经验幂定律和 I- V曲线近似公式算出的界面电位降 Vi 与由 C- V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。 展开更多
关键词 二极管 层状铁电薄膜 界面电位 耗尽层
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MFS结构铁电薄膜C-V特性的研究及界面电位降的计算
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作者 王宁章 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2005年第3期248-251,共4页
利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算... 利用准分子激光原位淀积方法制备了B IT/PZT/B IT,PZT/B IT和B IT层状铁结构电薄膜,借助HP 4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行了测试,用半导体理论讨论了金属—铁电薄膜—半导体(M FS)结构的电容电压(C-V)特性,由C-V曲线理论算出界面电位降Vi,结果表明,界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关.在三种结构中,B IT/PZT/B IT结构的界面电压降为最小,其界面效应优于单层和双层结构的界面效应. 展开更多
关键词 层状结构铁电薄膜 界面电位 耗尽层
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一种新的界面电位传感器 被引量:8
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作者 聂富强 高羿 +3 位作者 孙杰娟 郭晓霞 高伟 宋俊峰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1008-1009,共2页
化学电阻传感器以其低能耗、低价格和便携性而备受关注,其基本装置是在一对平行电极间沉积一种材料薄膜,构成一个直流电路,于固定偏压下施加一线性变化的电压,记录I-V曲线.由于分析物使材料薄膜膨胀,引起该沉积材料的电阻即I-V曲线的斜... 化学电阻传感器以其低能耗、低价格和便携性而备受关注,其基本装置是在一对平行电极间沉积一种材料薄膜,构成一个直流电路,于固定偏压下施加一线性变化的电压,记录I-V曲线.由于分析物使材料薄膜膨胀,引起该沉积材料的电阻即I-V曲线的斜率发生变化,从而将分析物与该沉积材料反应前后的电阻比作为分析信号.该传感器的实验装置操作简单,但灵敏度低且基线漂移较大,通常只能用于气相或纯有机相中分析物的测定. 展开更多
关键词 界面电位 传感器 零流电位
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腐蚀介质中混凝土/钢筋界面电极电位分布的立体分析 被引量:8
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作者 胡荣宗 林昌健 +2 位作者 周香 谭建光 赵雄超 《电化学》 CAS CSCD 2000年第2期227-232,共6页
由于混凝土的隔离和高绝缘性 ,常规的电化学技术、微探针扫描技术均难于获得在腐蚀介质的浸泡下混凝土 /钢筋界面 ,特别是不同深处的混凝土 /钢筋界面的电位分布 .本文提出用阵列电极法并结合电子技术和微机控制技术 ,获得同一水平面上... 由于混凝土的隔离和高绝缘性 ,常规的电化学技术、微探针扫描技术均难于获得在腐蚀介质的浸泡下混凝土 /钢筋界面 ,特别是不同深处的混凝土 /钢筋界面的电位分布 .本文提出用阵列电极法并结合电子技术和微机控制技术 ,获得同一水平面上混凝土 /钢筋界面以及不同深处的混凝土 /钢筋界面的电位分布立体信息图 .结果表明 :在NaCl介质中经过一段时间的浸泡 ,混凝土中的钢筋腐蚀可发生并发展 ;而在Na2 SO4 介质中经过一段时间的浸泡 ,虽钢筋腐蚀一般不发生 ,但混凝土可能破坏 .不同深处混凝土 /钢筋界面腐蚀优先发生在混凝土覆盖较浅的部位 . 展开更多
关键词 混凝土 钢筋 阵列电极 腐蚀 界面电位分布
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零流电位法对4-氨基联苯的检测 被引量:3
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作者 马明明 梁娟丽 +1 位作者 苏新科 刘佳 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1504-1507,共4页
以铅笔芯电极(PGE)为工作电极,铂电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,在含4. 0×10-3mol/L丙烯酸、1. 0×10-3mol/L 4-氨基联苯(4-ABP)的磷酸盐缓冲溶液(PBS,p H 7. 17)中,采用循环伏安法以0. 1 V·s-1在-1. 6~1. 6 V电... 以铅笔芯电极(PGE)为工作电极,铂电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,在含4. 0×10-3mol/L丙烯酸、1. 0×10-3mol/L 4-氨基联苯(4-ABP)的磷酸盐缓冲溶液(PBS,p H 7. 17)中,采用循环伏安法以0. 1 V·s-1在-1. 6~1. 6 V电位范围循环扫描16圈,经超声洗脱6 min后制得4-氨基联苯印迹聚合物修饰电极(4-ABP-MIP/PGE)。零流电位法下,在4-ABP浓度0. 005~50μmol/L范围内,4-ABP-MIP/PGE的零流电位EZCP与4-ABP浓度的对数呈线性关系,检出限为1. 07 nmol/L。将该传感器用于实际样品中4-ABP的检测,平均回收率为96. 0%~102%。 展开更多
关键词 4-氨基联苯 分子印迹聚合物 界面电位 零流电位
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