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SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究被引量：4: 1; 作者周郁明穆世路 +2 位作者蒋保国王兵陈兆权《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期947-953,共7页; 碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路... 展开更多; 关键词载流子迁移率电流应力界面态电荷泄漏电流碳化硅MOSFET; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究被引量：2: 2; 作者蔡小五海潮和 +3 位作者陆江王立新刘刚刘梦新《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期754-756,777,共4页; 本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的... 展开更多; 关键词叠层栅界面态电荷氧化物俘获电荷电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型被引量：1: 3; 作者王平杨银堂 +2 位作者杨燕贾护军屈汉章《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期89-93,共5页; 基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H SiCMOSFET直流I V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器... 展开更多; 关键词 6H-SIC 金属氧化物半导体场效应晶体管 I-V特性小信号参数解析模型界面态电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4: 4; 作者何玉娟刘远章晓文《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页; 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪... 展开更多; 关键词热载流子注入(HCI)效应低频噪声金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷氧化层陷阱电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究被引量：4: 1; 作者周郁明穆世路蒋保国王兵陈兆权; 机构安徽工业大学安徽省高校电力电子与运动控制重点实验室; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期947-953,共7页; 基金国家自然科学基金(11575003); 文摘碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路模型的基础上建立了SiC MOSFET的短路失效模型,该模型考虑了强电流应力下器件内的泄漏电流,并引入了包含界面态电荷的沟道载流子迁移率.利用该模型讨论了SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性的影响,结果显示界面态电荷的减少缩短了SiC MOSFET短路耐受时间.随后通过从失效电流中分离出不同产生机制下的泄漏电流分量,讨论了界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的机理.; 关键词载流子迁移率电流应力界面态电荷泄漏电流碳化硅MOSFET; Keywords carrier mobility current stress interface trapped charge leakage current SiC MOSFET; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN386.6 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究被引量：2: 2; 作者蔡小五海潮和陆江王立新刘刚刘梦新; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期754-756,777,共4页; 文摘本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用。同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷。; 关键词叠层栅界面态电荷氧化物俘获电荷电容; Keywords stack gate interface traps oxade charge capacitors; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型被引量：1: 3; 作者王平杨银堂杨燕贾护军屈汉章; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安邮电学院应用数理系; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期89-93,共5页; 基金教育部重点资助项目(02074) 国家部委预研基金资助项目(51408010601DZ1032); 文摘基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H SiCMOSFET直流I V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器件工作区.当漏偏压为0 05V、栅压为1 9V时,模拟得到的最大跨导值为54μS.模拟结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算准确的优点,非常适于SiC器件以及电路研究使用.; 关键词 6H-SIC 金属氧化物半导体场效应晶体管 I-V特性小信号参数解析模型界面态电荷; Keywords Electric fields Mathematical models Poisson equation Transconductance; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4: 4; 作者何玉娟刘远章晓文; 机构西安电子科技大学微电子学院工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61574048,61204112) 广东省省级科技计划项目(2017B090921001,2018A050506044); 文摘随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况。通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况。; 关键词热载流子注入(HCI)效应低频噪声金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷氧化层陷阱电荷; Keywords hot carrier injection(HCI)effect low frequency noise metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) interface trap charge oxide layer trap charge; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究	周郁明穆世路蒋保国王兵陈兆权	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究	蔡小五海潮和陆江王立新刘刚刘梦新	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型	王平杨银堂杨燕贾护军屈汉章	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析	何玉娟刘远章晓文	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	4	在线阅读下载PDF 职称材料