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原子分辨率图像揭示手性界面态
1
《电子质量》 2024年第4期10-10,共1页
美国劳伦斯伯克利国家实验室领导的国际研究小组,拍摄了第一张原子分辨率图像,直接可视化了手性界面态电控制过程和状态。手性界面态是一种奇异的量子现象。最新研究有助促进量子计算和节能电子学发展。相关论文发表于新一期《自然·... 美国劳伦斯伯克利国家实验室领导的国际研究小组,拍摄了第一张原子分辨率图像,直接可视化了手性界面态电控制过程和状态。手性界面态是一种奇异的量子现象。最新研究有助促进量子计算和节能电子学发展。相关论文发表于新一期《自然·物理学》杂志。 展开更多
关键词 量子计算 界面态 量子现象 分辨率图像 第一张 论文发表 物理学 实验室
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种子层对TiO_2纳米棒阵列取向生长及界面态的影响 被引量：5
2
作者 袁占强 庞山 +4 位作者 程轲 刘兵 王广君 张兴堂 杜祖亮 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期828-833,共6页
采用水热法制备了金红石相的单晶TiO2纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)以及表面光电压谱仪(SPS)研究了其形貌、结构以及光电性质.通过在不同生长基底上的对比实验发现,F掺杂SnO2导... 采用水热法制备了金红石相的单晶TiO2纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)以及表面光电压谱仪(SPS)研究了其形貌、结构以及光电性质.通过在不同生长基底上的对比实验发现,F掺杂SnO2导电玻璃基底和种子层对纳米棒阵列的生长起决定作用,TiO2种子层与SnO2∶F基底晶格匹配,有利于晶体外延生长,使TiO2纳米棒阵列的取向性更强.场调制表面光电压测量结果表明,金红石相的TiO2与基底界面处的能带向上弯曲,在FTO/TiO2界面存在大量界面态,这些界面态可能成为光生载流子的复合中心.实验结果表明,引入种子层不仅有利于TiO2纳米棒的取向生长,而且可极大地减少界面态,从而提高电荷的收集效率. 展开更多
关键词 TiO2阵列 表面光电压谱 界面态 收集效率
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Si/SiO_2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布 被引量：4
3
作者 余学峰 张国强 +3 位作者 艾尔肯 郭旗 陆妩 任迪远 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期328-330,共3页
对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性。
关键词 MOS电容 氧化物电荷 界面态 能级分布
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掺铒硫化锌薄膜界面态及其对驰豫发光影响的研究 被引量：4
4
作者 王余姜 柳兆洪 陈振湘 《电化学》 CAS CSCD 1995年第3期348-352,共5页
应用ＸＰＳ及电容－电压测试研究硫化锌薄膜的界面态，采用电脉冲瞬态激发技术研究Ｅｒ￣（３＋）激活的ＺｎＳ薄膜特征跃迁非指数衰减过程的弛豫发光，分析了由于氧吸附形成的界面态对弛豫发光的影响。
关键词 硫化锌薄膜 氧吸附 驰豫发光 XPS 界面态
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SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究 被引量：4
5
作者 周郁明 穆世路 +2 位作者 蒋保国 王兵 陈兆权 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期947-953,共7页
碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路... 碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路模型的基础上建立了SiC MOSFET的短路失效模型,该模型考虑了强电流应力下器件内的泄漏电流,并引入了包含界面态电荷的沟道载流子迁移率.利用该模型讨论了SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性的影响,结果显示界面态电荷的减少缩短了SiC MOSFET短路耐受时间.随后通过从失效电流中分离出不同产生机制下的泄漏电流分量,讨论了界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的机理. 展开更多
关键词 载流子迁移率 电流应力 界面态电荷 泄漏电流 碳化硅MOSFET
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强脉冲X射线辐照在Si-SiO_2中感生的界面态及退火消除 被引量：1
6
作者 杨志安 靳涛 +2 位作者 李英俊 姚育娟 罗尹虹 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期521-525,共5页
利用强脉冲 X射线对 Si- Si O2 界面进行了辐照 ,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示 :经过强脉冲 X射线对 Si- Si O2 界面进行的辐照 ,在 Si- Si O2 界面感生出新的界面态 ,感生界面态的增加与辐照剂量成正比 ,并且易出现饱和现象... 利用强脉冲 X射线对 Si- Si O2 界面进行了辐照 ,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示 :经过强脉冲 X射线对 Si- Si O2 界面进行的辐照 ,在 Si- Si O2 界面感生出新的界面态 ,感生界面态的增加与辐照剂量成正比 ,并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额 Dit随辐照剂量 D变化的分布式 ,并定性分析了Dit随 D变化的行为。退火实验表明 ;强脉冲 X射线辐照感生出的界面态越多 ,退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象 ,即辐照剂量大的阈电压漂移 ,在退火后恢复的绝对值 ,要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系 ,定性解释了滞后现象。 展开更多
关键词 强脉冲X射线辐照 SI-SIO2 退火 强辐射场 界面态 半导体材料 MOS器件
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硅棚MOS结构的辐射感生界面态 被引量：1
7
作者 张玲珊 吾勤之 +3 位作者 刘昶时 王方 赵元富 甘勇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第12期7-11,共5页
本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?... 本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?)有着强烈的依赖关系。由上述辐照损伤规律及MOSFET阈值电压漂移公式,可获得加固MOS器件的重要参数—栅氧化层厚度的最佳设计,这为研究Si—SiO_2界面的辐射损伤机制及MOS器件的抗核加固工程提供了重要的实验依据。 展开更多
关键词 MOS器件 辐射 硅栅器件 界面态
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In_（0．53）Ga_（0．47）A_S表面钝化及降低界面态密度的方法 被引量：1
8
作者 管玉国 戴国瑞 赵军 《半导体情报》 1996年第4期54-57,共4页
采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０１０ｅＶ－１ｃｍ－２．
关键词 钝化方法 界面态密度 半导体材料
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MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究 被引量：7
9
作者 何玉娟 师谦 +2 位作者 李斌 罗宏伟 林丽 《电子产品可靠性与环境试验》 2006年第4期26-29,共4页
对MOS结构器件,要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有很多种,如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。
关键词 界面态 氧化层陷阱电荷 电荷分离方法 辐照效应
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ZnO压敏陶瓷界面态起源与本质的研究 被引量：3
10
作者 孟继轲 李莉 《红外》 CAS 2008年第5期37-40,共4页
以双肖特基势垒模型为基础,分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质。分析结果认为,在晶界处,大离子半径的Bi和Ba偏析至界面,是造成界面态密度N_s的主要原因;氧以化学吸附氧的形式存在,对提高界面态密度也起关键作用。因此,ZnO压敏陶瓷... 以双肖特基势垒模型为基础,分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质。分析结果认为,在晶界处,大离子半径的Bi和Ba偏析至界面,是造成界面态密度N_s的主要原因;氧以化学吸附氧的形式存在,对提高界面态密度也起关键作用。因此,ZnO压敏陶瓷中的界面态主要来源于非本征界面态。对界面态本质讨论的结果认为,应区分界面态密度N_s及有效界面态密度n_s,在做上述区分后,导电机理的解释及势垒高度Φ_b的计算将更趋于合理化。 展开更多
关键词 ZNO压敏陶瓷 肖特基势垒 界面态 非线性性能
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表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理
11
作者 罗小蓉 张波 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期340-342,354,共4页
研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理。采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度。该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想因子为1.20～1.25的6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触... 研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理。采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度。该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想因子为1.20～1.25的6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻为(5～7)×10?3?·cm2。表面氢化处理的优点在于避免了欧姆接触所需的800～1200℃的高温合金,降低了工艺难度,改善了肖特基结的电学特性。 展开更多
关键词 氢化 极性 界面态 接触电阻 理想因子
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钛酸钡系PTCR半导体陶瓷界面态分析
12
作者 张道礼 曹明贺 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第1期40-42,共3页
对形成钛酸钡系半导瓷ＰＴＣＲ效应的界面态进行了探讨，分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因；同时对钛酸钡系ＰＴＣＲ半导瓷界面态的组成进行了研究，并提出一种直接测量界面态密... 对形成钛酸钡系半导瓷ＰＴＣＲ效应的界面态进行了探讨，分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因；同时对钛酸钡系ＰＴＣＲ半导瓷界面态的组成进行了研究，并提出一种直接测量界面态密度的方法。 展开更多
关键词 钛酸钡系 半导瓷PTCR陶瓷 界面态
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PHEMT器件界面态分析方法综述 被引量：1
13
作者 张鹏 黄云 李斌 《电子产品可靠性与环境试验》 2008年第3期20-23,共4页
介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构,并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响,总结了界面态分析方法,包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度;二维量子模型模拟法的应用;... 介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构,并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响,总结了界面态分析方法,包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度;二维量子模型模拟法的应用;根据跨导随频率变化的规律来测量界面态的密度。 展开更多
关键词 高电子迁移率场效应晶体管 砷化镓器件 界面态
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受主型界面态在深亚微米槽栅PMOSFET中引起退化的研究
14
作者 任红霞 郝跃 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第1期108-114,共7页
界面态引起的器件特性的退化是深亚微米器件失效的一个重要因素。本文基于流体动力学能量输运模型,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面PMOSFET中受主型界面态引起的器件特性的退比进行了分析。研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件... 界面态引起的器件特性的退化是深亚微米器件失效的一个重要因素。本文基于流体动力学能量输运模型,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面PMOSFET中受主型界面态引起的器件特性的退比进行了分析。研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件,且P型受主型界面态密度对器件特性的影响也远大于N型界面态。沟道杂质浓度不同,界面态引起的器件特性的退化不同。 展开更多
关键词 受主型界面态 深亚微米槽栅 PMOSFET 退化
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Al/LB绝缘膜/Si结构界面态研究
15
作者 林海安 吴冲若 石一心 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期193-196,共4页
I—V特性法表明单层LB聚酰亚胺膜(～0.5nm)MIS结构的界面态密度为10^(12)～10^(13)cm^(-2)eV^(-1)。对11和41层LB聚酰亚胺膜,DLTS测试得到的界面态密度分别为10^(12)～10^(13)和10^(11)～10^(12)cm^(-2)eV^(-1)。所有结果表明,在硅禁带... I—V特性法表明单层LB聚酰亚胺膜(～0.5nm)MIS结构的界面态密度为10^(12)～10^(13)cm^(-2)eV^(-1)。对11和41层LB聚酰亚胺膜,DLTS测试得到的界面态密度分别为10^(12)～10^(13)和10^(11)～10^(12)cm^(-2)eV^(-1)。所有结果表明,在硅禁带中央附近具有较大的界面态密度。 展开更多
关键词 LB膜 聚酰亚胺 MIS结构 界面态
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硅片表面粗糙度对界面态的影响 被引量：6
16
作者 陈树华 武华 +3 位作者 周弘毅 崔文凯 马云飞 郭霞 《电子科技》 2013年第9期50-53,共4页
针对硅片研磨和抛光产生的亚表面损伤层会影响载流子寿命及界面态的特点,采用机械减薄、机械抛光、化学机械抛光(CMP)制备出不同粗糙度的样品。通过傅里叶红外透射谱分析和C-V测试分析表明,粗糙度大的硅片表面因表面损伤大,具有更低的... 针对硅片研磨和抛光产生的亚表面损伤层会影响载流子寿命及界面态的特点,采用机械减薄、机械抛光、化学机械抛光(CMP)制备出不同粗糙度的样品。通过傅里叶红外透射谱分析和C-V测试分析表明,粗糙度大的硅片表面因表面损伤大,具有更低的红外透射率和更高的界面态密度。 展开更多
关键词 粗糙度 界面态 傅里叶变换红外透射谱 C—V测试
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氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响 被引量：3
17
作者 杨涛涛 韩军 +5 位作者 林文魁 曾春红 张璇 孙玉华 张宝顺 鞠涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期48-52,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N... 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容。I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高。经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7×10^12和4×10^11eV^-1·cm^-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理。 展开更多
关键词 4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
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高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT 被引量：3
18
作者 李茂林 陈万军 +6 位作者 王方洲 施宜军 崔兴涛 信亚杰 刘超 李肇基 张波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290,共6页
采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终... 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。 展开更多
关键词 增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压 界面态 热氧化 退火
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DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度 被引量：1
19
作者 赵洪利 高林春 +3 位作者 曾传滨 刘魁勇 罗家俊 韩郑生 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第6期82-84,89,共4页
直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象,对前栅界面与背界面分别进行了测试.基于DCIV理论,将实验得到的... 直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象,对前栅界面与背界面分别进行了测试.基于DCIV理论,将实验得到的界面复合电流值与理论公式做最小二乘拟合,不仅获得了各界面态密度,也得到界面态密度所在的等效能级.结果表明,采用了智能剥离技术制备的SOI NMOS器件背界面态密度量级为1010cm-2,前栅界面的态密度小于背界面的,量级为109cm-2,并给出了两界面态面密度所在的等效能级. 展开更多
关键词 DCIV方法 SOI NMOS器件 前栅界面与背界面 界面态面密度 等效能级
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原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究 被引量：1
20
作者 黄宇 牟文杰 +3 位作者 闫大为 杨国峰 肖少庆 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期106-110,共5页
基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,... 基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。 展开更多
关键词 Al2O3/n-GaN 原子层沉积 背入射紫外光照 电容特性 界面态分布
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