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TSV结构热机械可靠性研究综述
被引量：
23
1
作者
秦飞
王珺
+3 位作者
万里兮
于大全
曹立强
朱文辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期825-831,共7页
硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高...
硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高,引发严重的热机械可靠性问题。这些可靠性问题严重影响TSV技术的发展和应用,也制约了基于TSV技术封装产品的市场化进程。针对TSV结构的热机械可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题:电镀填充及退火工艺过程残余应力测量、TSV界面完整性的量化评价方法、热载荷和电流作用下TSV-Cu的胀出变形计算模型问题等。
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关键词
硅通孔
可靠性
热失配
应力
界面完整性
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职称材料
题名
TSV结构热机械可靠性研究综述
被引量：
23
1
作者
秦飞
王珺
万里兮
于大全
曹立强
朱文辉
机构
北京工业大学机械工程与应用电子技术学院
复旦大学材料学院
r国科学院微电子研究所
天水华天科技股份有限公司封装技术研究院
昆山西钛微电子科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期825-831,共7页
基金
国家自然科学基金项目(11272018)
中国TSV技术攻关联合体第1期课题
北京市教委科技创新平台项目(PXM2012_014204_00_000169)
文摘
硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高,引发严重的热机械可靠性问题。这些可靠性问题严重影响TSV技术的发展和应用,也制约了基于TSV技术封装产品的市场化进程。针对TSV结构的热机械可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题:电镀填充及退火工艺过程残余应力测量、TSV界面完整性的量化评价方法、热载荷和电流作用下TSV-Cu的胀出变形计算模型问题等。
关键词
硅通孔
可靠性
热失配
应力
界面完整性
Keywords
through silicon via（TSV）
reliability
thermal mismatch
stress
interfacial integrity
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
TSV结构热机械可靠性研究综述
秦飞
王珺
万里兮
于大全
曹立强
朱文辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
23
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