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InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性
被引量：
1
1
作者
张豫徽
宋志勇
+3 位作者
陈平平
林铁
田丰
康亭亭
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期311-315,共5页
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一...
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.
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关键词
锑化铟
磁阻效应
弱反局域化效应
界面/表面态
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职称材料
题名
InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性
被引量：
1
1
作者
张豫徽
宋志勇
陈平平
林铁
田丰
康亭亭
机构
上海理工大学材料科学与工程学院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期311-315,共5页
基金
国家自然科学基金(11204334
61475178)~~
文摘
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.
关键词
锑化铟
磁阻效应
弱反局域化效应
界面/表面态
Keywords
InSb, magnetoresistance, weak antilocalization effect, surface/interface states
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性
张豫徽
宋志勇
陈平平
林铁
田丰
康亭亭
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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