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类同轴TSV的高频电学模型与分析 被引量:2
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作者 吴伟 孙毅鹏 +3 位作者 张兆华 王一丁 付永启 崔凯 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期926-932,共7页
类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构。针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型。寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预... 类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构。针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型。寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预测电学性能。使用三维全波仿真软件对所提出的模型进行了高达100 GHz的仿真验证,并分析了模型的散射参数与结构尺寸之间的关系。最后提出了特征阻抗的计算和优化方法,该方法可以为类同轴TSV的参数的确定提供参考。 展开更多
关键词 三维(3D)集成电路(IC) 硅通孔(TSV) 类同轴结构 等效电路模型 电阻-电感-电容-电导(rlcg)参数
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