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主结边缘电阻区对高压功率快恢复二极管特性的影响
被引量：
4
1
作者
吴郁
俞敏锋
+2 位作者
郭晨
金锐
崔磊
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期220-224,共5页
针对高压功率快恢复二极管的过流关断失效问题,设计了3种主结边缘电阻连接区.为了分析其失效机理,采用仿真工具Sentaurus TCAD,对场屏蔽阳极二极管结构的过流关断进行仿真,重点研究不同电阻连接区对器件关断过程的影响。研究结果表明:...
针对高压功率快恢复二极管的过流关断失效问题,设计了3种主结边缘电阻连接区.为了分析其失效机理,采用仿真工具Sentaurus TCAD,对场屏蔽阳极二极管结构的过流关断进行仿真,重点研究不同电阻连接区对器件关断过程的影响。研究结果表明:电阻连接区结构不同可以引发器件不同位置的烧毁,而当电阻连接区增加到一定长度时,可以有效避免器件烧毁.
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关键词
功率快恢复二极管
过流关断
电阻连接区
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职称材料
题名
主结边缘电阻区对高压功率快恢复二极管特性的影响
被引量：
4
1
作者
吴郁
俞敏锋
郭晨
金锐
崔磊
机构
北京工业大学信息学部
全球能源互联网研究院先进输电技术国家重点实验室
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期220-224,共5页
基金
国家科技重大专项资助项目(2015ZX02301002)
文摘
针对高压功率快恢复二极管的过流关断失效问题,设计了3种主结边缘电阻连接区.为了分析其失效机理,采用仿真工具Sentaurus TCAD,对场屏蔽阳极二极管结构的过流关断进行仿真,重点研究不同电阻连接区对器件关断过程的影响。研究结果表明:电阻连接区结构不同可以引发器件不同位置的烧毁,而当电阻连接区增加到一定长度时,可以有效避免器件烧毁.
关键词
功率快恢复二极管
过流关断
电阻连接区
Keywords
power fast recovery diode
overcurrent turn- off
resistive connection region
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
主结边缘电阻区对高压功率快恢复二极管特性的影响
吴郁
俞敏锋
郭晨
金锐
崔磊
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
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