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基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述
被引量：
1
1
作者
陈心满
赵灵智
牛巧利
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第15期19-26,共8页
随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并...
随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域。就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述。
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关键词
RRAM
存储
器
阻变效应
电阻存储物理机制
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职称材料
题名
基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述
被引量：
1
1
作者
陈心满
赵灵智
牛巧利
机构
华南师范大学光电子材料与技术研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第15期19-26,共8页
基金
国家自然科学基金(10904042)
教育部科学技术重点项目(210157)
+4 种基金
上海市自然科学基金(11ZR1426700)
广东省自然科学基金(S2011010001758)
广东省科技计划项目(2011B010400022)
广州市科技计划项目(11C52090779)
广州市天河区科技计划项目(116ZH069)
文摘
随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域。就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述。
关键词
RRAM
存储
器
阻变效应
电阻存储物理机制
Keywords
resistance random accessory memory （RRAM）, resistance switching effect, resistance storage,physical mechanism
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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作者
出处
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被引量
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1
基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述
陈心满
赵灵智
牛巧利
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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