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题名N型Cu掺杂NiO的电子结构与热电性能
被引量：1
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作者
张飞鹏
杨欢
张忻
路清梅
张久兴
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机构
河南城建学院数理学院
北京工业大学材料科学与工程学院
河南城建学院土木工程学院
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出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期941-946,950,共7页
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基金
国家自然科学基金(51201037)
北京市自然科学基金(2112007)
+1 种基金
河南省科技计划(132300410071)资助项目
青年骨干教师项目(20140425)
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文摘
基于密度泛函理论第一性原理计算的方法研究了Cu掺杂NiO氧化物的能带结构、电子能量状态密度和电荷分布,系统分析了其电输运参数和热电性能。能带结构计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物带隙减小。态密度计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物费米能级附近的状态密度大大提高。电荷分布计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物阳离子和阴离子之间偏向共价结合。载流子输运参数分析结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物费米能级附近的载流子有效质量均增大,其迁移率降低,费米能级附近的载流子浓度增加。电输运性能分析结果表明,载流子在OOp态、NiOd态、Cud态电子与OOs、OOp态、NiOs、NiOp态、CuOs、CuOp态电子形成的能级之间的跃迁形成载流子迁移过程。热电性能分析结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物电阻率大大降低,Seebeck系数有望得到提高,Cu掺杂可提高NiO氧化物的热电性能。
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关键词
NIO
CU掺杂
电输运参数
热电性能
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Keywords
NiO
Cu doping
electrical transport parameter
thermoelectric property
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分类号
TN37
[电子电信—物理电子学]
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