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铁电液晶光电响应特性的电路级模拟被引量：16: 1; 作者潘炜张晓霞 +1 位作者罗斌陈建国《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期708-710,共3页; 针对铁电液晶 (FELC)的简单物理结构模型 ,借助可变电流源来刻画因指向矢的转动而引起的电流变化 ,构造出相应的等效电子电路 (宏模型 ) ,将电路级仿真系统扩展到光电混合集成回路 .提出采用Pspice电路级分析模拟软件 ,通过控制模型参... 展开更多; 关键词铁电液晶光电响应特性电路级模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

模拟电路行为级建模的SGWD逼近算法: 2; 作者陶俊曾璇蔡伟《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期622-627,共6页; 提出采用一种规范化的香农小波(distributed approximation function,SGWD)逼近算法建立模拟电路单元模块的行为级模型.为降低逼近的边界误差,同时提出了周期性展开和偶对称映射2种预处理算法.周期性展开算法需要对电路模块的原始I/O函... 展开更多; 关键词 SGWD逼近模拟电路行为级建模边界误差; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于方程建立和小波配置的模拟电路自动建模: 3; 作者戴伟刚陶俊 +1 位作者刘刚曾璇《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期519-524,共6页; 提出一种模拟电路行为级自动建模的方法·通过构建节点代数方程确定系统结构描述,利用小波配置方法建立所有基本单元的行为级描述,最终建立系统行为级模型,并据此开发了自动建模软件·所建模型面向模拟电路硬件描述语言的工业... 展开更多; 关键词模拟电路行为级模型电路方程建立自动建模小波配置方法; 在线阅读下载PDF 职称材料

65nm体硅CMOS工艺器件尺寸对其脉冲削减效应的影响: 4; 作者李鹏赵振宇 +1 位作者郑超张民选《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期33-38,共6页; 利用电路级模拟方法,在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响.结果表明,当被动反相器的尺寸改变时,脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有关.在双极放大效应较强时,脉冲削减效应随尺寸的增加而增... 展开更多; 关键词电荷共享脉冲削减双极放大电路级模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铁电液晶光电响应特性的电路级模拟被引量：16: 1; 作者潘炜张晓霞罗斌陈建国; 机构西南交通大学计算机与通信工程学院电子科技大学光电子技术系四川大学光电系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期708-710,共3页; 基金国家自然科学基金 (No .1 0 1 740 57 No .697770 1 9) 西南交通大学科学研究基金 (No .2 0 0 1B1 1 ); 文摘针对铁电液晶 (FELC)的简单物理结构模型 ,借助可变电流源来刻画因指向矢的转动而引起的电流变化 ,构造出相应的等效电子电路 (宏模型 ) ,将电路级仿真系统扩展到光电混合集成回路 .提出采用Pspice电路级分析模拟软件 ,通过控制模型参数 ,应用不同的信号 (方波、正弦波、单或双极性脉冲等 )激励源 ,分别就铁电液晶的端口电特性和光电响应特性实施了动态仿真研究 .FELC模型开关特性的分析结果与已报道的理论与实验基本一致。; 关键词铁电液晶光电响应特性电路级模拟; Keywords ferroelectric liquid crystal photo electricity response director circuit level model; 分类号 TN104.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名模拟电路行为级建模的SGWD逼近算法: 2; 作者陶俊曾璇蔡伟; 机构上海复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室 Department of Mathematics University of North Carolina Charlotte; 出处《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期622-627,共6页; 基金国家自然科学基金(90307017 60676018) +2 种基金教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20050246082).; 文摘提出采用一种规范化的香农小波(distributed approximation function,SGWD)逼近算法建立模拟电路单元模块的行为级模型.为降低逼近的边界误差,同时提出了周期性展开和偶对称映射2种预处理算法.周期性展开算法需要对电路模块的原始I/O函数做一定变形,构造出周期函数后再进行逼近;偶对称映射算法则是将I/O函数在边界点处进行偶对称翻转,然后采用SGWD逼近算法建模.与传统的建模方法,如多项式逼近等算法相比,该方法结合了边界误差降低技术的SGWD逼近算法具有更低的计算复杂度,并能达到更高的建模精度.; 关键词 SGWD逼近模拟电路行为级建模边界误差; Keywords SGWD approximation behavioral modeling of analog circuit boundary error distribution; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于方程建立和小波配置的模拟电路自动建模: 3; 作者戴伟刚陶俊刘刚曾璇; 机构复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期519-524,共6页; 基金国家自然科学基金(90307017 60176017 +5 种基金 90207002) 上海应用材料研究与发展基金(0418); 文摘提出一种模拟电路行为级自动建模的方法·通过构建节点代数方程确定系统结构描述,利用小波配置方法建立所有基本单元的行为级描述,最终建立系统行为级模型,并据此开发了自动建模软件·所建模型面向模拟电路硬件描述语言的工业标准形式,在保证较高精度的同时,在仿真速度上与晶体管级描述相比具有明显的优势·; 关键词模拟电路行为级模型电路方程建立自动建模小波配置方法; Keywords analog behavioral model circuit equation formulation automatic modeling wavelet collocation method; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名65nm体硅CMOS工艺器件尺寸对其脉冲削减效应的影响: 4; 作者李鹏赵振宇郑超张民选; 机构国防科学技术大学计算机学院; 出处《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期33-38,共6页; 基金国家自然科学基金项目(60906009 61076025 60970036); 文摘利用电路级模拟方法,在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响.结果表明,当被动反相器的尺寸改变时,脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有关.在双极放大效应较强时,脉冲削减效应随尺寸的增加而增强;反之,则其脉冲削减效应随尺寸的增加而减弱.; 关键词电荷共享脉冲削减双极放大电路级模拟; Keywords charge sharing pulse quenching bipolar amplification circuit level simulation; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	铁电液晶光电响应特性的电路级模拟	潘炜张晓霞罗斌陈建国	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	16	在线阅读下载PDF 职称材料
2	模拟电路行为级建模的SGWD逼近算法	陶俊曾璇蔡伟	《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于方程建立和小波配置的模拟电路自动建模	戴伟刚陶俊刘刚曾璇	《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	65nm体硅CMOS工艺器件尺寸对其脉冲削减效应的影响	李鹏赵振宇郑超张民选	《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料