一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型

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作者 张光明 雷宇 +2 位作者 陈后鹏 俞秋瑶 宋志棠 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1649-1657,共9页

三维相变存储芯片1S1R存储单元由双向阈值选通管(OTS)和相变存储器件(PCM)串联组成.为了解决现有OTS和PCM电路仿真模型不能准确模拟器件电学特性和物理特性、不适用于限制型PCM等问题,提出了一种采用Verilog-A语言实现的1S1R电路仿真模... 三维相变存储芯片1S1R存储单元由双向阈值选通管(OTS)和相变存储器件(PCM)串联组成.为了解决现有OTS和PCM电路仿真模型不能准确模拟器件电学特性和物理特性、不适用于限制型PCM等问题,提出了一种采用Verilog-A语言实现的1S1R电路仿真模型.该模型实现了对OTS电学特性和PCM相变过程中电流、温度、熔融比例、晶态比例和非晶比例变化的模拟,具有良好的收敛性和较快的仿真速度,仿真结果与器件实际测试结果吻合.与传统模型相比,该模型针对限制型PCM特点,实现了对PCM熔融过程、晶态非线性、熔融电阻率稳定和OTS亚阈值非线性、双向选通特性的模拟和集成.分析了OTS亚阈值非线性参数和读电压窗口的关系,发现当OTS阈值电流约等于PCM阈值电流时读窗口最大;展示了1S1R单元直流和阵列瞬态仿真结果,为三维相变存储器的电路设计和仿真提供了基础. 展开更多

关键词 相变存储器 电路仿真模型 双向阈值选通管 VERILOG-A

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功率PIN二极管PSpice子电路模型 被引量：5

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作者 盛定仪 杨耿 +1 位作者 谭吉春 杨雨川 《现代电子技术》 2008年第6期141-143,共3页

提出一种改进的PIN二极管子电路模型。该模型能够反映PIN二极管的瞬态开关特性,将基区电导调制效应考虑在内。通过PSpice软件瞬态仿真PIN二极管的正向直流、反向恢复特性。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明运... 提出一种改进的PIN二极管子电路模型。该模型能够反映PIN二极管的瞬态开关特性,将基区电导调制效应考虑在内。通过PSpice软件瞬态仿真PIN二极管的正向直流、反向恢复特性。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明运用新材料对二极管开关性能有显著提高。 展开更多

关键词 PIN二极管 电路模型PSpice仿真 碳化硅 瞬态开关特性

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十字型CMOS集成霍尔传感器的简化仿真模型 被引量：2

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作者 何秋阳 徐跃 赵菲菲 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2011年第10期13-15,共3页

文中提出了一种工作在低磁场条件下的十字型CMOS集成霍尔传感器的简化仿真模型。该模型结构简单,由1个包含电阻、电流控制电压源和电容的无源网络构成。该模型全面考虑了几何、温度和封装应力等因素带来的影响,由模拟硬件描述语言Verilo... 文中提出了一种工作在低磁场条件下的十字型CMOS集成霍尔传感器的简化仿真模型。该模型结构简单,由1个包含电阻、电流控制电压源和电容的无源网络构成。该模型全面考虑了几何、温度和封装应力等因素带来的影响,由模拟硬件描述语言Verilog_A来实现,已成功在Cadence的Spectre仿真器上完成了电路仿真。为了验证模型的准确性,在相同工艺参数下使用Silvaco TCAD对该十字型霍尔传感器进行了三维器件仿真,器件仿真和电路仿真结果达到了很好的一致性,表明该模型在低磁场条件下具有较高的仿真精度。 展开更多

关键词 十字型霍尔器件 电路仿真模型 模拟硬件描述语言

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二极管器件SPICE电路模型对锥形离子通道I-V特性曲线的模拟 被引量：1

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作者 江嘉乔 鲁冰新 +1 位作者 肖天亮 翟锦 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期121-131,共11页

离子整流性是纳米离子通道的一个重要特征,具有整流性的离子通道体系也被称为纳米流体二极管.本文比较了离子通道的泊松-能斯特-普朗克(PNP)方程组模型和固体半导体的扩散-漂移模型,提出可以使用二极管器件的仿真电路模拟器(SPICE)电路... 离子整流性是纳米离子通道的一个重要特征,具有整流性的离子通道体系也被称为纳米流体二极管.本文比较了离子通道的泊松-能斯特-普朗克(PNP)方程组模型和固体半导体的扩散-漂移模型,提出可以使用二极管器件的仿真电路模拟器(SPICE)电路模型对离子通道体系的电流-电压(I-V)曲线进行模拟.以锥形离子通道的PNP数值模型的计算结果为基础,通过对这一体系进行讨论,给出一个锥形离子通道的SPICE电路模型,它可以较好地模拟I-V特性曲线.离子通道SPICE电路模型的建立可用于研究纳米流体二极管作为一个器件在电路中的应用. 展开更多

关键词 离子通道 整流性 纳米流体二极管 泊松-能斯特-普朗克方程 仿真电路模拟器电路模型

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二次静电放电仿真与实验研究 被引量：1

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作者 王健 万发雨 +1 位作者 汪项伟 季启政 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第3期257-263,共7页

二次静电放电(secondary electrostatic discharge,SESD)是一种由一次静电放电引起的发生在仪器内部微小缝隙间的击穿放电现象,可对晶体管等很多元件造成破坏.文章首先搭建由静电放电模拟电路、二次放电模拟电路和电流靶电路组成的电路... 二次静电放电(secondary electrostatic discharge,SESD)是一种由一次静电放电引起的发生在仪器内部微小缝隙间的击穿放电现象,可对晶体管等很多元件造成破坏.文章首先搭建由静电放电模拟电路、二次放电模拟电路和电流靶电路组成的电路级仿真模型,初步探索SESD的波形,并与初始模型进行对比分析,验证已知的理论.其次基于实验研究与数据分析的方法,总结二次放电波形特点、峰值特性和时延特性.研究表明:二次放电电流峰值大于一次放电电流峰值,且受放电电压、放电时延等参数影响;二次放电的时延呈正态分布.这一研究结果符合并验证了目前对二次放电微观过程研究所得出的相关理论. 展开更多

关键词 静电放电 二次放电 电路仿真模型 实验研究 放电特性

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基于场路仿真的PCIe电磁干扰分析及优化设计 被引量：4

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作者 杨会 宋航 肖夏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期97-103,共7页

采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路... 采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路仿真动态链接,进行场路协同仿真。实验验证表明,该仿真方法的精度在6 dBμV之内,满足PCB加工工艺的误差和实验测试的不确定度,符合仿真精度要求。通过该仿真方法评估PCB的电磁干扰强度以及优化PCB的设计,将高速串行计算机扩展总线标准模块上的33Ω电阻替换为磁珠后,该PCB在1.6 GHz处的电磁干扰强度降低了13.4 dB。根据CISPR 25标准规定的1-m法进行测试,PCB的电磁干扰变为-3.4 dBμV,低于GMW 3097标准要求,从而验证了该措施的有效性。 展开更多

关键词 PCIe模块 共模辐射 电磁干扰 通用模拟电路仿真模型 电磁仿真

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包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型 被引量：7

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作者 周郁明 蒋保国 +2 位作者 刘航志 陈兆权 王兵 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5604-5612,共9页

建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三... 建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三段电流表达式分别描述SiC MOSFET工作在截止区、线性区和饱和区,引入SiCMOSFET的漏极和源极之间的泄漏电流及栅极氧化层的泄漏电流,并采用包含SiC/SiO2界面电荷的迁移率模型描述沟道载流子在不同温度范围内的行为表现,建立电–热网络模型模拟SiC MOSFET在开关状态和高电应力下的自热效应。开关电路和短路实验验证了所建立的SiC MOSFET的SPICE模型的准确性。应用所建立的SPICE模型讨论不同密度的SiC/SiO2界面电荷对SiC MOSFET的开关特性及短路失效的影响。结果表明,高密度的界面电荷一方面能够延迟SiCMOSFET的导通并增加通态电阻,导致SiCMOSFET的开关损耗增加,另一方面能够降低SiCMOSFET在短路环境下的饱和电流,并延迟SiC MOSFET的失效。 展开更多

关键词 通用模拟电路仿真器模型 碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管 界面电荷 迁移率 泄漏电流 失效

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近炸引信数字仿真技术研究 被引量：2

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作者 徐永朋 《航空兵器》 1997年第5期4-11,共8页

以某复合调频引信为例,用面元法并考虑了绕射现象,对目标近区雷达散射截面进行了计算;用数学分析法和计算机辅助分析法建立了引信电路仿真模型;建立了弹目空间交会引爆数学模型、导弹杀伤概率计算模型;开发了引战配合三维立体图形计算... 以某复合调频引信为例,用面元法并考虑了绕射现象,对目标近区雷达散射截面进行了计算;用数学分析法和计算机辅助分析法建立了引信电路仿真模型;建立了弹目空间交会引爆数学模型、导弹杀伤概率计算模型;开发了引战配合三维立体图形计算机动画仿真软件,并使仿真系统各部分均实现了可视化输入输出;借助于长空一号靶机的全尺寸测试结果,对仿真模型进行了验证,计算结果表明,引信炸点位置偏差的标准差小于0.52m。开发出的一套适用于微机平台的近炸引信数字仿真系统,为引战系统设计和定量分析提供了一个新的手段。 展开更多

关键词 近炸引信 仿真技术 导弹 电路仿真模型

全文增补中

3/12相双绕组发电机交直流同时突然短路研究 被引量：13

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作者 孙俊忠 马伟明 +2 位作者 吴旭升 刘德志 杨青 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第2期71-76,共6页

根据3/12相双绕组发电机的基本磁链和电压方程以及等效电路,该文用解析分析和电路模型仿真两种方法详细研究了交直流同时突然短路的过渡过程,得出了定转子短路时间常数和交流侧短路电流的完整表达式;通过适当的近似,进一步给出了适合工... 根据3/12相双绕组发电机的基本磁链和电压方程以及等效电路,该文用解析分析和电路模型仿真两种方法详细研究了交直流同时突然短路的过渡过程,得出了定转子短路时间常数和交流侧短路电流的完整表达式;通过适当的近似,进一步给出了适合工程应用的交流侧短路电流的近似和简明表达式以及直流侧最大短路电流的估算公式。另外,还研究了线路电阻对短路电流的影响,结果表明:在分析和测试交直流同时突然短路时,线路电阻,尤其是 直流侧线路电阻必须考虑。仿真和实验验证了该文所得数学模型及分析方法的准确性。 展开更多

关键词 3/12相双绕组发电机 等效电路 电路模型仿真 交流短路电流 直流短路电流

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激光诱导三结砷化镓太阳电池短路电流增大现象与机理 被引量：3

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作者 窦鹏程 冯国斌 +4 位作者 张检民 林新伟 李云鹏 师宇斌 张震 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第B12期50-55,共6页

为研究三结太阳电池在强光辐射下的损伤效应规律,采用1 070 nm连续激光作为强辐射光源开展了n-on-1模式三结砷化镓(Ga As)太阳电池激光辐照效应实验。通过分析电池I-V曲线发现,不同于单结太阳电池短路电流随辐照功率增加呈现出的单调降... 为研究三结太阳电池在强光辐射下的损伤效应规律,采用1 070 nm连续激光作为强辐射光源开展了n-on-1模式三结砷化镓(Ga As)太阳电池激光辐照效应实验。通过分析电池I-V曲线发现,不同于单结太阳电池短路电流随辐照功率增加呈现出的单调降低,三结Ga As太阳电池短路电流在辐照功率密度达到11.1 W/cm2时会出现显著增加。文中对短路电流增大的机理进行了推导分析,得到了短路电流与限流层并联电阻间关系式,并结合子电池量子效率谱分析认为,短路电流的增加是由于激光导致的限流层并联电阻减小使得其限流失效所致。基于机理分析的等效电路模型模拟结果与实验数据吻合较好,从而说明了机理分析的正确性。 展开更多

关键词 激光辐照效应 三结GaAs太阳电池 短路电流增大 等效电路模型仿真

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高频焊接设备的谐波分析与治理 被引量：2

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作者 罗胜金 杜雄 周雒维 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期26-31,共6页

分析了三相交流调压电路的电路结构及其电源电流波形;建立了一个三相交流调压电路的具体应用实例———高频焊接设备的仿真模型,并对其线电流的谐波状况进行了仿真分析,仿真结果与现场谐波测试结果进行了对比分析,二者相符,说明仿真电... 分析了三相交流调压电路的电路结构及其电源电流波形;建立了一个三相交流调压电路的具体应用实例———高频焊接设备的仿真模型,并对其线电流的谐波状况进行了仿真分析,仿真结果与现场谐波测试结果进行了对比分析,二者相符,说明仿真电路模型正确。针对设备的谐波状况设计了两组单调谐滤波器和一组二阶高通滤波器,对加入了LC滤波器的电路进行仿真验证,发现电源线电流的高次谐波含量大幅度减少,波形接近正弦波,这证明了谐波治理方案设计的正确性。 展开更多

关键词 三相交流调压 仿真电路模型 谐波分析 LC滤波器设计

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