期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
塑封集成电路失效分析和对策 被引量:2
1
作者 王义贤 《电子与封装》 2008年第10期7-9,13,共4页
文章主要对集成电路失效问题进行了分析和阐述。列举出容易引起集成电路失效的裂纹、弹坑的主要原因。一是压焊劈刀选型不当,生产过程中造成芯片表面沾污,选用压焊参数不当等都容易引起弹坑。二是存储环境恶劣导致成品电路吸潮,环氧塑... 文章主要对集成电路失效问题进行了分析和阐述。列举出容易引起集成电路失效的裂纹、弹坑的主要原因。一是压焊劈刀选型不当,生产过程中造成芯片表面沾污,选用压焊参数不当等都容易引起弹坑。二是存储环境恶劣导致成品电路吸潮,环氧塑封料的耐热性、耐腐蚀性、热膨胀系数、电气特性、耐湿性以及结合力在生产制造各环节引起集成电路裂纹的产生,从而最终导致产品失效。最后提出了预防减少产品裂纹、弹坑引起集成电路失效的方法和对策。 展开更多
关键词 集成电路失效 金球脱落 弹坑 裂纹 耐腐蚀性 耐湿性
在线阅读 下载PDF
集成电路失效定位技术现状和发展趋势 被引量:5
2
作者 陈选龙 王有亮 +2 位作者 方建明 林晓玲 倪毅强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期329-337,370,共10页
集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中... 集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中失效定位分为封装级失效定位、器件级失效定位和物理分析失效定位。通过定位技术结合案例分析的形式,重点介绍了时域反射、X射线断层扫描、扫描声学分析、锁相红外成像、光发射分析、激光激发技术和电压衬度等关键的失效定位技术原理和方法。总结了不同失效定位技术的适用范围和面临的挑战。同时,也对未来失效分析技术发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 集成电路(IC)失效定位 物理失效分析 电压衬度 光发射显微镜 热激光激发
在线阅读 下载PDF
面板显示驱动电路的失效分析及对策
3
作者 王义贤 《电子与封装》 2007年第4期13-17,共5页
文章主要对集成电路失效问题进行分析,列举出了容易引起集成电路失效的原因:压焊劈刀选型不当,生产过程中造成芯片表面沾污,芯片表面内压焊点铝层与底层硅化合物结合不牢,选用压焊参数不当,环氧塑封料的特性不佳,存储环境恶劣导致成品... 文章主要对集成电路失效问题进行分析,列举出了容易引起集成电路失效的原因:压焊劈刀选型不当,生产过程中造成芯片表面沾污,芯片表面内压焊点铝层与底层硅化合物结合不牢,选用压焊参数不当,环氧塑封料的特性不佳,存储环境恶劣导致成品电路吸潮等,并逐一进行了分析。同时,还简要的对环氧塑封料特性:耐热性、耐腐蚀性、热膨胀系数、电气特性、耐湿性、结合力方面引起集成的电路失效进行了进一步的分析,提出了预防因产品吸潮而引起塑封体与芯片表面产生分层造成集成电路失效的方法。 展开更多
关键词 集成电路失效 金球脱落 掉铝 耐热性 耐腐蚀性 热膨胀系数 耐湿性
在线阅读 下载PDF
电路污染对导弹引信系统贮存失效的影响 被引量:1
4
作者 王宇翔 王国华 《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第1期16-18,共3页
通过对导弹引信系统生产、操作过程中的直接污染及贮存环境效应带来的间接污染进行分析,探讨了导弹引信系统长期贮存的失效机理,并在此基础上,提出了降低引信系统电路污染影响的若干措施,对引信系统设计、生产和使用具有重要的参考价值。
关键词 导弹引信系统 电路污染 电离作用 热解作用 电路功能失效 环境效应
在线阅读 下载PDF
长寿命MOS C-V分析方法——用于MOS电路参数失效分析
5
作者 陈永珍 《中国集成电路》 2003年第47期63-68,31,共7页
为了能及时地直接分析 PCM(Process Control Monitor)参数异常及电路失效原因,我们在 PCM 参数测试系统(如 HP4062,Ag 4070系列)上开发了 MOS C-V 测试分析功能。鉴于目前 MOS 工艺水平不断提高,最终产品片上硅表面空间电荷区少子产生... 为了能及时地直接分析 PCM(Process Control Monitor)参数异常及电路失效原因,我们在 PCM 参数测试系统(如 HP4062,Ag 4070系列)上开发了 MOS C-V 测试分析功能。鉴于目前 MOS 工艺水平不断提高,最终产品片上硅表面空间电荷区少子产生寿命在数100μS以上,传统 C-V 分析技术不再适用,因此不能对参数失效电路进行有效分析。为此我们又在 PCM 参数测试系统上开发了一个新的 C-V 分析模式:建立 Ziegler 分析功能,以获得 MOS 晶体管沟道区掺杂剖面 N(w);利用 C/C_(ox)=0.7时的电压值计算一个等效电荷数密度 Q_(eq)/q;在 N(w)的基础上再计算其他电容参数(N,CFB,VFB,Q_(ox)/q 和 V_T 等),用以对 MOS 晶体管参数异常进行有效分析。本文给出了用此分析模式编程对 CMOS 产品电容的 C-V 测试分析结果。并简要说明如何利用 C-V 技术分析 PCM 参数异常及电路失效原因。 展开更多
关键词 MOS C-V分析方法 电路参数失效 使用寿命 氧化物电荷密度 集成电路生产过程 电容 编程测试
在线阅读 下载PDF
8K型电力机车7.5km继电器保护电路的改进
6
作者 袁日东 《机车电传动》 北大核心 2003年第3期54-54,55,共2页
通过对8K型电力机车7.5km继电器保护电路的分析,指出了7.5km继电器保护电路失效的原因,并提出了改进措施,消除了机车运用安全中的一个隐患。
关键词 8K型电力机车 继电器保护电路 电路失效 改进
在线阅读 下载PDF
劣化法在整机微短路故障分析中的应用
7
作者 佟刚 《电子产品可靠性与环境试验》 2021年第1期43-47,共5页
微短路是PCB行业一直存在的缺陷,将微短路缺陷截留在实验室也一直是PCB行业共同的追求。因此,对PCB微短路进行了分析。首先,从化学和工艺角度分析了PCB板微短路失效机理;然后,介绍了空PCB微短路测量方法;最后,阐述了劣化法在整机或PCBA... 微短路是PCB行业一直存在的缺陷,将微短路缺陷截留在实验室也一直是PCB行业共同的追求。因此,对PCB微短路进行了分析。首先,从化学和工艺角度分析了PCB板微短路失效机理;然后,介绍了空PCB微短路测量方法;最后,阐述了劣化法在整机或PCBA微短路分析中的具体应用,对于提高PCB及整机质量具有重要的意义。 展开更多
关键词 微短路 电子迁移 PCB 电路失效
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部