-
题名基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管
- 1
-
-
作者
黄兴云
谢潇婷
杨开宇
李福山
-
机构
福州大学物理与信息工程学院
中国福建省光电信息科技创新实验室
-
出处
《发光学报》
北大核心
2025年第6期1120-1128,共9页
-
基金
国家重点研发计划(2022YFB3606500)
福建省光电信息科技创新实验室(2021ZZ126)
福建省自然科学基金(2023J01257)。
-
文摘
目前,通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)普遍面临低效率的问题,其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题,本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)薄膜,并将其作为电荷阻挡层应用在QLED发光层中,成功获得了分辨率为8467像素每英寸(Pixel per inch,PPI)的红色QLED器件。由于PMMA良好的绝缘特性,电荷阻挡层成功隔绝了电子传输层和空穴传输层的直接接触,所制备器件的漏电流相较于无阻挡层图案化器件大幅降低,使其外量子效率(External quantum efficiency,EQE)得到较大提升,最大EQE达到了15.31%,最大亮度为100274 cd/m2。
-
关键词
量子点发光二极管(QLED)
纳米压印
高分辨率
电荷阻挡层
-
Keywords
quantum dot light-emitting doides(QLEDs)
nanoimprint
high-resolution
charge barrier layer
-
分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名基于金属氧化物功能层的QLED性能优化和研究进展
- 2
-
-
作者
苏美琪
张丹丹
-
机构
北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院
-
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第8期1439-1450,共12页
-
基金
北京市自然科学基金(4222067)。
-
文摘
由于金属氧化物具有较好的热稳定性以及对水/氧的敏感性较低,因此被作为最重要的电荷传输材料应用于量子点发光二极管(QLED)器件中。然而,不同金属氧化物的电荷传输能力不同,并且在不同的器件结构中界面能级匹配问题等因素会使得电荷失衡,甚至引发激子猝灭。因此在保证材料稳定性的同时,要得到良好的器件性能就要对其进行界面修饰和优化。本文以金属氧化物作为电荷传输层、电荷注入层以及电荷阻挡层分别进行阐述,通过混入其他材料以及构建合理的器件结构等方面综述了近些年金属氧化物在QLED应用中的发展历程。
-
关键词
金属氧化物
电荷传输层
电荷注入层
电荷阻挡层
复合界面功能层
-
Keywords
metallic oxide
charge transfer layer
charge injection layer
charge barrier layer
composite interface function layer
-
分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
-
