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原子轨道方法研究He^2+-He碰撞中电荷转移过程 被引量:2
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作者 刘玲 刘春雷 +3 位作者 颜君 王建国 马新文 JANEV JK 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B04期34-36,共3页
应用双中心的原子轨道强耦合方法研究了He^2+-He碰撞中的电荷转移过程,计算了随入射离子能量变化的单电子俘获总截面及各个次壳层的态选择截面,并与其它理论结果和实验结果进行了比较,发现我们的理论结果与实验很好的符合.针对中... 应用双中心的原子轨道强耦合方法研究了He^2+-He碰撞中的电荷转移过程,计算了随入射离子能量变化的单电子俘获总截面及各个次壳层的态选择截面,并与其它理论结果和实验结果进行了比较,发现我们的理论结果与实验很好的符合.针对中国科学院近代物理研究所最近的实验测量,我们也计算了电荷转移过程的微分截面. 展开更多
关键词 电荷转移过程 双中心原于轨道方法
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激光场中Li^(3+)与H的电荷转移
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作者 刘艳侠 林在昆 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第S1期113-114,共2页
激光场中原子碰撞过程是近些年来比较活跃的研究领域,存在激光场情况下的电荷转移过程近几年国外已有人做了一些理论研究。本文考虑激光场对入射粒子的影响同时考虑了激光场对原子体系的影响(修饰效应),计算了Li<sup>3+</sup... 激光场中原子碰撞过程是近些年来比较活跃的研究领域,存在激光场情况下的电荷转移过程近几年国外已有人做了一些理论研究。本文考虑激光场对入射粒子的影响同时考虑了激光场对原子体系的影响(修饰效应),计算了Li<sup>3+</sup>+H(ls)→Li<sup>2+</sup>+H<sup>+</sup>过程的电荷转移截面。 展开更多
关键词 激光场 LI 电荷转移过程 原子碰撞 入射粒子 组态混合 单模 理论研究 矢势 阳线
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低能O^(3+)与H_2碰撞电子俘获过程中靶的同位素效应研究 被引量:1
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作者 吴勇 刘玲 +1 位作者 王建国 STANCIL P C 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B08期82-86,共5页
利用全量子的分子轨道强耦合方法,我们研究了基态的O3+(2s22p2P)与氚分子和氢分子碰撞的电荷转移过程,计算了方位角为45°,能量分别为0.1eV/u,1.0eV/u,100eV/u,500eV/u的单电子俘获的振动分辨的态选择截面及总截面.分子轨道强耦合... 利用全量子的分子轨道强耦合方法,我们研究了基态的O3+(2s22p2P)与氚分子和氢分子碰撞的电荷转移过程,计算了方位角为45°,能量分别为0.1eV/u,1.0eV/u,100eV/u,500eV/u的单电子俘获的振动分辨的态选择截面及总截面.分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元.对体系的电子运动同H2(T2)或H2+(T2+)的转动和振动之间的耦合,根据能量的不同,分别采用了无限阶的冲量近似或振动冲量近似.结果发现,低能O3+与H2碰撞电子俘获过程中靶的同位素效应显著:对不同的同位素靶,单电子俘获的总截面以及振动分辨态选择截面的分布明显不同;入射离子能量越低,同位素效应越显著. 展开更多
关键词 同位素效应 电荷转移过程 全量子的分子轨道强耦合方法 无限阶冲量近似 振动冲量近似
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0^3+与H2碰撞中解离电子俘获过程的全量子计算
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作者 王建国 刘春雷 +4 位作者 何斌 宁烨 颜君 P. Week P. C. Stancil 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B04期249-252,共4页
利用全量子的分子轨道强耦舍方法。我们研究了基态的O^3(2s^22p^2P)与氢分子碰撞的解南电荷转移过程.分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元.对氢分子的自身转动,我们采用无限阶的冲... 利用全量子的分子轨道强耦舍方法。我们研究了基态的O^3(2s^22p^2P)与氢分子碰撞的解南电荷转移过程.分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元.对氢分子的自身转动,我们采用无限阶的冲量近似方法,在入射离子能量为0.1 eV/u到500 eV/u的能量区间。我们得到了非解离碰撞过程的振动态选择单电子俘获截面和解离碰撞过程的单电子俘获微分截面,发现解离碰撞截面大约占非解离过程的10%.这表明在实际的应用中。必须包含解离俘获过程的贡献. 展开更多
关键词 解离电荷转移过程 全量子的分子轨道强耦合方法 无限阶冲量近似
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液相沉积法制备ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜及其光电性质 被引量:1
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作者 付冬伟 程轲 +1 位作者 庞山 杜祖亮 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2575-2580,共6页
采用两步化学溶液沉积法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收分光光度计、荧光(PL)光谱仪及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对... 采用两步化学溶液沉积法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收分光光度计、荧光(PL)光谱仪及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对复合薄膜的晶体结构、形貌、光电性质的影响.研究结果表明:ZnO纳米棒阵列表面包覆CdS纳米颗粒后,其吸收光谱可拓展到可见光区;与吸收光谱相对应在可见光区出现新的光电压谱响应区,这一现象证实,通过与CdS复合可显著提高ZnO纳米棒阵列在可见光区的光电转换性能;随着CdS纳米颗粒沉积时间的延长,复合纳米棒阵列薄膜在大于383nm波长区域的光电压强度逐渐减弱,而在小于383nm波长区域的光电压强度逐渐增强.用两种不同的电荷产生和分离机制对这一截然相反的光响应过程进行了详细的讨论和解释. 展开更多
关键词 ZnO/CdS纳米棒阵列 液相沉积法 表面光电压谱 光电特性 电荷转移过程
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封面图片说明
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作者 宋波 韩杰才 +2 位作者 郝润豹 李加杰 王先杰 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期13-13,共1页
封面图片来自本期论文"铁电极化调控Sn Se薄膜光电性质研究",是哈尔滨工业大学航天学院所制作的Sn Se薄膜在不同波长照射下光电导的变化情况及电荷转移过程示意图.Sn Se作为一种p型窄禁带半导体(约为0.86 e V),可吸收大部分波段的... 封面图片来自本期论文"铁电极化调控Sn Se薄膜光电性质研究",是哈尔滨工业大学航天学院所制作的Sn Se薄膜在不同波长照射下光电导的变化情况及电荷转移过程示意图.Sn Se作为一种p型窄禁带半导体(约为0.86 e V),可吸收大部分波段的太阳光.作为一种典型的铁电材料,极化后的铌酸锂晶体上下表面分别带异号的电荷,当铌酸锂晶体表面沉积Sn Se薄膜时,在铌酸锂退极化场的作用下, 展开更多
关键词 铌酸锂晶体 退极化场 电荷转移过程 图片说明 铁电材料 光电性质 窄禁带半导体 光电导 电极化 异号
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