中子辐照导致线阵电荷耦合器件电荷转移效率退化实验研究 被引量：6

1

作者 肖志刚 唐本奇 +4 位作者 李君利 张勇 刘敏波 王祖军 黄绍艳 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期117-120,共4页

利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子,对线阵电荷耦合器件进行中子辐照实验研究。研究结果表明:在1012-1013cm-2中子注量范围内,该器件的电荷转移效率(CTE)随辐照中子注量的增加而线性下降;电荷转移效率的下降与电荷包在沟道中的转移时... 利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子,对线阵电荷耦合器件进行中子辐照实验研究。研究结果表明:在1012-1013cm-2中子注量范围内,该器件的电荷转移效率(CTE)随辐照中子注量的增加而线性下降;电荷转移效率的下降与电荷包在沟道中的转移时间及转移电荷包的电量有关。 展开更多

关键词 线阵电荷耦合器件 中子辐照 电荷转移效率

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大尺寸像素电荷转移的优化方法 被引量：1

2

作者 张冬苓 姚素英 +3 位作者 徐江涛 徐超 高志远 韩立镪 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1525-1531,共7页

为了提高CMOS图像传感器大尺寸像素的电荷转移效率,消除图像拖尾,通过对像素内电荷转移的RC模型分析,提出一种优化电荷转移的方法。从工艺和版图两方面进行优化,工艺方面是在N埋层的形成步骤中增加一步P型杂质注入,使光电二极管内存在电... 为了提高CMOS图像传感器大尺寸像素的电荷转移效率,消除图像拖尾,通过对像素内电荷转移的RC模型分析,提出一种优化电荷转移的方法。从工艺和版图两方面进行优化,工艺方面是在N埋层的形成步骤中增加一步P型杂质注入,使光电二极管内存在电场,增强电荷转移;版图方面是优化光电二极管的版图为U型,使传输栅伸进光电二极管内尽量长,减少RC模型的传输级数,提高电荷转移效率。与传统像素相比,工艺和版图的优化使电荷转移效率分别提高了2倍和3.3倍,转移时间也分别缩短到传统像素结构的26%和30%左右。对传统像素结构进行工艺和版图同时优化则使电荷转移效率提高了9.5倍。 展开更多

关键词 CMOS图像传感器 大尺寸像素 电势梯度 电荷转移效率

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TDI-CCD图像传感器中电荷包总转移效率分析 被引量：1

3

作者 董岩 冯勇 +1 位作者 杨旭强 陈晓丽 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2002年第9期32-34,共3页

TDI -CCD传感器水平和垂直移位寄存器中电荷包转移过程是TDI -CCD传感器所实现的光电转换过程中的一个重要过程。针对TDI -CCD图像传感器中电荷包的转移损失问题 ,首先给出了TDI -CCD传感器中电荷包转移过程的功能框图。然后 ,通过对水... TDI -CCD传感器水平和垂直移位寄存器中电荷包转移过程是TDI -CCD传感器所实现的光电转换过程中的一个重要过程。针对TDI -CCD图像传感器中电荷包的转移损失问题 ,首先给出了TDI -CCD传感器中电荷包转移过程的功能框图。然后 ,通过对水平和垂直移位寄存器中电荷包转移过程的严格、详细分析 ,建立了水平和垂直移位寄存器中电荷包转移效率的数学模型。最后 ,建立了TDI-CCD图像传感器的电荷包总转移效率的数学模型 ,给出了电荷包总转移效率的表达式。 展开更多

关键词 TDI-CCD图像传感器 电荷包 电荷转移效率

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电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应 被引量：2

4

作者 汪波 李豫东 +2 位作者 郭旗 汪朝敏 文林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期44-49,共6页

为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由... 为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由于中子辐照产生的体缺陷能级在耗尽层中充当复合-产生中心,增大了热载流子的产生率所致,而各像素单元暗信号退化的不一致性使暗信号非均匀性增大;电荷转移效率显著减小则是由于中子辐照在转移沟道中产生的体缺陷不断捕获、发射电子所引起。在整个实验过程中,饱和输出电压的退化可以忽略不计,表现出较好的抗位移损伤能力。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 中子辐照 位移效应 电荷转移效率 暗信号

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HgCdTe电荷耦合器件工艺

5

作者 M.A.Kinch R.A.chapman +3 位作者 A.Simmons D.D.Buss S.R.Borrello 柳圭如 《红外技术》 1980年第4期1-20,共20页

首次论证了禁带可变合金Hg_1-∞Cd_∞Te电荷耦合器件的作用。用0.25eV的n型材料制作了16位移位寄存器,其电荷转移效率为0.9995。描述了这些器件的工作方式,把它们的性能与简单的CCD理论用于这种窄禁带红外敏感材料所得到的结果进行了比... 首次论证了禁带可变合金Hg_1-∞Cd_∞Te电荷耦合器件的作用。用0.25eV的n型材料制作了16位移位寄存器,其电荷转移效率为0.9995。描述了这些器件的工作方式,把它们的性能与简单的CCD理论用于这种窄禁带红外敏感材料所得到的结果进行了比较。文中所列有关单台面MIS器件的资料,证明我们对器件的分析是正确的,显示了这种工艺在未来的焦平面应用方面的潜力。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 浮置栅 移位寄存器 HGCDTE 场板 电荷转移效率 栅极

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卫星光通信系统中CCD器件的空间辐射特性研究 被引量：3

6

作者 侯睿 赵尚弘 +4 位作者 幺周石 胥杰 吴继礼 李勇军 占生宝 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1263-1269,共7页

为了提高卫星光通信系统中电荷耦合器件(CCD)空间抗辐射性能,分析了空间辐射环境对CCD器件造成的电离辐射效应和位移辐射效应。通过理论分析和数值模拟计算研究了不同辐射源、不同沟道类型以及不同偏置状态对CCD电荷转移效率(CTE)的影响... 为了提高卫星光通信系统中电荷耦合器件(CCD)空间抗辐射性能,分析了空间辐射环境对CCD器件造成的电离辐射效应和位移辐射效应。通过理论分析和数值模拟计算研究了不同辐射源、不同沟道类型以及不同偏置状态对CCD电荷转移效率(CTE)的影响,结果表明,空间辐射主要在暗电流密度和电荷转移效率两方面影响CCD器件的工作性能。卫星光通信系统中的CCD器件应该选择P沟道CCD,并且在系统不工作时尽量使其处于非偏置状态。 展开更多

关键词 CCD 电离辐射效应 位移辐射效应 电荷转移效率 暗电流

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线阵探测器KLI-2113总剂量辐照性能试验分析 被引量：7

7

作者 张航 刘栋斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期611-616,共6页

针对Kodak公司的商用CCD探测器KLI-2113进行了总剂量为30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验。对比辐射前后CCD的主要参数变化,分析了总剂量辐射对CCD工作性能的影响,并研究了总剂量辐射导致CCD暗电流增大、电荷转移效率降低以及图像噪声增加... 针对Kodak公司的商用CCD探测器KLI-2113进行了总剂量为30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验。对比辐射前后CCD的主要参数变化,分析了总剂量辐射对CCD工作性能的影响,并研究了总剂量辐射导致CCD暗电流增大、电荷转移效率降低以及图像噪声增加等现象的内在机理,为后续CCD抗总剂量辐射加固提供依据和参考。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 总剂量辐射 暗电流 电荷转移效率 损伤机理

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CCD成像模型及仿真系统研究 被引量：8

8

作者 董龙 李涛 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第14期4520-4523,4527,共5页

针对光学遥感CCD(Charge-Coupled Device)的成像过程,研究CCD成像的数学建模及仿真问题。基于CCD成像原理,探讨了模型建立中的一些关键问题,并按照CCD信号处理流程设计了一套完整的CCD成像模型,采用Matlab/Simulink平台设计实现了该仿... 针对光学遥感CCD(Charge-Coupled Device)的成像过程,研究CCD成像的数学建模及仿真问题。基于CCD成像原理,探讨了模型建立中的一些关键问题,并按照CCD信号处理流程设计了一套完整的CCD成像模型,采用Matlab/Simulink平台设计实现了该仿真系统。仿真验证试验表明,该系统较好的仿真了CCD成像过程,仿真结果准确度、可信度较高。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 成像模型 成像仿真系统 电荷转移效率

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基于成像时刻校准的混合域TDICMOS成像技术研究

9

作者 梁楠 翟立阳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第2期151-158,共8页

随着航天遥感领域超高分辨率成像电子学中行频的不断提升,一个积分时间内光生电荷数量逐渐减少,弱光成像能力有所下降,电子学中需要采用增大时间延迟积分级数的方法弥补能量的不足。传统数字域累加探测器有着引入过多噪声与帧频受限的... 随着航天遥感领域超高分辨率成像电子学中行频的不断提升,一个积分时间内光生电荷数量逐渐减少,弱光成像能力有所下降,电子学中需要采用增大时间延迟积分级数的方法弥补能量的不足。传统数字域累加探测器有着引入过多噪声与帧频受限的多项弊端,而电荷域探测器的超大级数累加会带来电荷转移效率的下降和图像的混叠。基于此,文章在采用低功耗、高集成度TDICMOS基础上,提出了一种基于电荷域和数字域混合的新型累加方式,并对影响弱光成像像质水平的主要指标进行分析。随后针对混合域累加方式下多感光单元间的像质退化,提出一种基于图像配准的成像时刻校准方法,通过多片感光单元间隔测量和成像时刻时序微调有效改善了大积分级数电荷运动与景物运动的失配程度。最后通过滚筒测试验证了成像时刻校准方法的有效性,通过性能测试验证了混合域成像在弱光照下探测能力的提升。结果表明,文中所提方法有效地解决了TDI型探测器的主要瓶颈,为超高分辨率遥感相机提供了有效的解决方案。 展开更多

关键词 行频 时间延迟积分级数 电荷转移效率 成像时刻

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高帧频大面阵CCD驱动技术的研究

10

作者 付峪 陈剑武 刘银年 《科学技术与工程》 北大核心 2012年第20期4900-4905,共6页

根据CCD电荷转移的原理分析了驱动时钟波形对电荷转移效率的影响。建立了CCD驱动时钟负载模型并对其驱动需求进行了分析。然后给出驱动电路设计并通过驱动能力及电荷转移效率的测试验证了分析结果的正确性。最后给出2048×280元探... 根据CCD电荷转移的原理分析了驱动时钟波形对电荷转移效率的影响。建立了CCD驱动时钟负载模型并对其驱动需求进行了分析。然后给出驱动电路设计并通过驱动能力及电荷转移效率的测试验证了分析结果的正确性。最后给出2048×280元探测器在300帧频/s的帧频下的成像结果。进一步说明了理论分析和驱动电路设计的实效性。 展开更多

关键词 高帧频 CCD 垂直转移 电荷转移效率

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传输栅掺杂对CMOS有源像素满阱容量及暗电流的影响

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作者 王倩 徐江涛 +1 位作者 高志远 陈全民 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期296-303,共8页

研究了传输栅掺杂,即N+TG和P+TG,对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响,随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加,feedforward效应被抑制,满阱容量增加。另一方面,处于电荷积累状态的... 研究了传输栅掺杂,即N+TG和P+TG,对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响,随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加,feedforward效应被抑制,满阱容量增加。另一方面,处于电荷积累状态的沟道可以降低暗电流。基于四管有源像素工作过程进行仿真,结果表明,在曝光期间不加负栅压的情况下,基于P+TG的像素的满阱容量相对N+TG的提高了26.9%,其暗电流为N+TG的0.377倍。当电荷转移效率大于99.999%时,N+TG的开启电压需高于2.3 V,而P+TG的开启电压需高于3.0 V。 展开更多

关键词 图像传感器 CMOS有源像素 仿真 光电二极管 满阱容量 暗电流 电荷转移效率

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