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一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计
1
作者
张瀚尊
贾嵩
+1 位作者
杨建成
王源
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期815-822,共8页
为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗,提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列。与传统设计性比,辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷,并重新用于下一个周期的位线充电。提出的SRAM存储器采用标...
为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗,提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列。与传统设计性比,辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷,并重新用于下一个周期的位线充电。提出的SRAM存储器采用标准14 nm FinFET spice模型搭建,电源供电电压为0.8 V。仿真结果表明,与传统设计相比,提出的存储阵列的功耗可以降低23%~43%,并将SNM和WNM至少提高25%和647.9%。
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关键词
SRAM
位线
电荷循环
读写辅助
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职称材料
嵌入式静态随机存储器的低功耗设计
被引量：
1
2
作者
姚其爽
张昭勇
张盛兵
《科学技术与工程》
2007年第8期1781-1785,共5页
介绍了多种最新的嵌入式静态随机存储器低功耗设计技术。存储器的总功耗为动态功耗和静态功耗之和。动态功耗又分读周期功耗和写周期功耗。减少动态功耗的主要技术:(1)降低开关电容。(2)降低充放电电压摆幅等。减少静态功耗的主要技术...
介绍了多种最新的嵌入式静态随机存储器低功耗设计技术。存储器的总功耗为动态功耗和静态功耗之和。动态功耗又分读周期功耗和写周期功耗。减少动态功耗的主要技术:(1)降低开关电容。(2)降低充放电电压摆幅等。减少静态功耗的主要技术是降低衬底电流和栅电流等。对多种低功耗技术做了分析和总结,并提出了改进意见。
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关键词
低功耗
静态随机存储器
半摆幅
电荷循环
自复位
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职称材料
刻蚀剂对IrO_2-MnO_2阳极纳米涂层表面形貌及电化学行为的影响
3
作者
叶志国
范庆国
+1 位作者
孟惠民
卢春民
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期91-96,共6页
采用传统热分解法制得了不同刻蚀剂(HCl、H2SO4、C2H2O4和HF)处理的Ti基Ir O2-Mn O2纳米涂层阳极,使用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、循环伏安(CV)及极化技术等观察和研究各纳米涂层阳极表面形貌及其电化学性能.结果表明,与HCl和C2H2O4...
采用传统热分解法制得了不同刻蚀剂(HCl、H2SO4、C2H2O4和HF)处理的Ti基Ir O2-Mn O2纳米涂层阳极,使用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、循环伏安(CV)及极化技术等观察和研究各纳米涂层阳极表面形貌及其电化学性能.结果表明,与HCl和C2H2O4刻蚀剂相比,HF和H2SO4刻蚀的基底涂层表面Ir O2纳米颗粒更为密集且尺寸更大;H2SO4刻蚀处理的Ti基Ir O2-Mn O2阳极电催化活性最佳,HF次之,C2H2O4再次之,HCl最差.
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关键词
刻蚀剂
IrO2-MnO2阳极涂层
热分解
循环
伏安
电荷
电流密度
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职称材料
题名
一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计
1
作者
张瀚尊
贾嵩
杨建成
王源
机构
北京大学微电子学研究所
北京大学微电子器件与电路重点实验室
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期815-822,共8页
文摘
为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗,提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列。与传统设计性比,辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷,并重新用于下一个周期的位线充电。提出的SRAM存储器采用标准14 nm FinFET spice模型搭建,电源供电电压为0.8 V。仿真结果表明,与传统设计相比,提出的存储阵列的功耗可以降低23%~43%,并将SNM和WNM至少提高25%和647.9%。
关键词
SRAM
位线
电荷循环
读写辅助
Keywords
SRAM
bitline charge cycling
read and write assist
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
嵌入式静态随机存储器的低功耗设计
被引量：
1
2
作者
姚其爽
张昭勇
张盛兵
机构
西北工业大学软件与微电子学院
苏州芯同科技有限公司
西北工业大学计算机学院
出处
《科学技术与工程》
2007年第8期1781-1785,共5页
文摘
介绍了多种最新的嵌入式静态随机存储器低功耗设计技术。存储器的总功耗为动态功耗和静态功耗之和。动态功耗又分读周期功耗和写周期功耗。减少动态功耗的主要技术:(1)降低开关电容。(2)降低充放电电压摆幅等。减少静态功耗的主要技术是降低衬底电流和栅电流等。对多种低功耗技术做了分析和总结,并提出了改进意见。
关键词
低功耗
静态随机存储器
半摆幅
电荷循环
自复位
Keywords
low power SRAM half-swing charge cycling self-timing
分类号
TP334.4 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
刻蚀剂对IrO_2-MnO_2阳极纳米涂层表面形貌及电化学行为的影响
3
作者
叶志国
范庆国
孟惠民
卢春民
机构
南昌航空大学材料科学与工程学院
北京科技大学材料科学与工程学院
出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期91-96,共6页
基金
国家自然科学基金
航空基金项目(No.21103085
No.2013ZF56022)资助
文摘
采用传统热分解法制得了不同刻蚀剂(HCl、H2SO4、C2H2O4和HF)处理的Ti基Ir O2-Mn O2纳米涂层阳极,使用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、循环伏安(CV)及极化技术等观察和研究各纳米涂层阳极表面形貌及其电化学性能.结果表明,与HCl和C2H2O4刻蚀剂相比,HF和H2SO4刻蚀的基底涂层表面Ir O2纳米颗粒更为密集且尺寸更大;H2SO4刻蚀处理的Ti基Ir O2-Mn O2阳极电催化活性最佳,HF次之,C2H2O4再次之,HCl最差.
关键词
刻蚀剂
IrO2-MnO2阳极涂层
热分解
循环
伏安
电荷
电流密度
Keywords
etchants
IrO2-MnO2 coating anode
thermal decomposition
cyclic voltammetric charge
current density
分类号
O646 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计
张瀚尊
贾嵩
杨建成
王源
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
嵌入式静态随机存储器的低功耗设计
姚其爽
张昭勇
张盛兵
《科学技术与工程》
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
刻蚀剂对IrO_2-MnO_2阳极纳米涂层表面形貌及电化学行为的影响
叶志国
范庆国
孟惠民
卢春民
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
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