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紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响被引量：3: 1; 作者王小平宋茂海 +2 位作者江键贾国良宋诚荣《第二军医大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期335-337,共3页; 目的 :研究紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响。方法 :用常温恒压电晕充电系统将聚四氟乙烯 (PTFE)和聚丙烯 (PP)两种材料极化制备成驻极体 ;用补偿法测量不同剂量的紫外照射后驻极体的表面电势。结果 :在相对湿度不高于70 %、紫... 展开更多; 关键词紫外消毒驻极体电荷储存稳定性表面电势; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si基多孔SiO_2薄膜驻极体电荷储存稳定性: 2; 作者张晓青 A.Wedel +2 位作者 A.Buechtemann 夏钟福张冶文《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期518-520,共3页; 通过控制溶胶凝胶 (sol gel)工艺条件 ,利用相应条件下样品的红外光谱 ,等温表面电位衰减 ,开路热刺激放电电流谱等 ,考察了Si基多孔SiO2 薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性 ,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系... 展开更多; 关键词多孔薄膜驻极体电荷储存稳定性二氧化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

微孔结构交联聚丙烯驻极体的储电性研究被引量：2: 3; 作者王学文潘道胜 +5 位作者张晓青曹功勋张硕夏钟福李宏强温云飞《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期574-577,共4页; 压电驻极体是以双极性空间电荷驻极体为基体的新一类人工微结构压电功能材料,其压电性能与基体材料的储电性有直接关系。采用等温表面电位衰减测量和开路热刺激放电实验方法,研究了经热压处理的交联聚丙烯(XPP)膜中电荷储存稳定性和电... 展开更多; 关键词 XPP膜电荷储存稳定性电荷动态特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正被引量：3: 4; 作者张晓青夏钟福潘永刚《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期564-567,共4页; 采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了... 展开更多; 关键词化学表面修正驻极体薄膜电荷储存稳定性; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si基多孔SiO_2薄膜的驻极体性能被引量：1: 5; 作者张晓青 Wedel A +2 位作者 Buechtemann A 夏钟福张冶文《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期491-496,共6页; 通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间... 展开更多; 关键词驻极体性能二氧化硅多孔薄膜溶胶-凝胶法电荷储存稳定性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响被引量：3: 1; 作者王小平宋茂海江键贾国良宋诚荣; 机构第二军医大学基础医学部数理学教研室长征医院设备科; 出处《第二军医大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期335-337,共3页; 文摘目的 :研究紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响。方法 :用常温恒压电晕充电系统将聚四氟乙烯 (PTFE)和聚丙烯 (PP)两种材料极化制备成驻极体 ;用补偿法测量不同剂量的紫外照射后驻极体的表面电势。结果 :在相对湿度不高于70 %、紫外强度在 1 2 0～ 6 0 0 μW/ cm2之间和照射剂量在 1 0 6 μW· s/ cm2数量级下 ,两种驻极体的表面电势均保持在初始值的90 %以上 ;增大照射强度 ,或者在高湿度环境下照射 ,都将加快两种材料表面电势的衰减。结论 :在临床紫外消毒强度和消毒剂量照射下 ,PTFE和 PP均表现出良好的电荷稳定性。; 关键词紫外消毒驻极体电荷储存稳定性表面电势; Keywords ultraviolet radiation disinfections film electret charge storage stability surface potential; 分类号 R187.4 [医药卫生—流行病学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si基多孔SiO_2薄膜驻极体电荷储存稳定性: 2; 作者张晓青 A.Wedel A.Buechtemann 夏钟福张冶文; 机构同济大学波耳固体物理研究所 Fraunhofer应用聚合物研究所; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期518-520,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目 (59682 0 0 3); 文摘通过控制溶胶凝胶 (sol gel)工艺条件 ,利用相应条件下样品的红外光谱 ,等温表面电位衰减 ,开路热刺激放电电流谱等 ,考察了Si基多孔SiO2 薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性 ,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系。实验结果表明 ,反应物中水含量对薄膜驻极体的电荷储存稳定性及陷阱分布有一定的影响 ;; 关键词多孔薄膜驻极体电荷储存稳定性二氧化硅; Keywords porous SiO 2 film electret charge storage stability; 分类号 TM278 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微孔结构交联聚丙烯驻极体的储电性研究被引量：2: 3; 作者王学文潘道胜张晓青曹功勋张硕夏钟福李宏强温云飞; 机构同济大学波耳固体物理研究所中国石油化工与销售西南分公司; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期574-577,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50503018) 上海市青年科技启明星计划资助项目(07QA14056); 文摘压电驻极体是以双极性空间电荷驻极体为基体的新一类人工微结构压电功能材料,其压电性能与基体材料的储电性有直接关系。采用等温表面电位衰减测量和开路热刺激放电实验方法,研究了经热压处理的交联聚丙烯(XPP)膜中电荷储存稳定性和电荷动态特性。结果表明,XPP中正电荷的储存稳定性强于负电荷;在老化温度低于90℃时,经过5120min时间老化,正电晕充电样品的表面电位仍然能够维持在初始表面电位的90%以上,而负电晕充电样品却低于86%;热激发脱阱的负空间电荷在驻极体内电场的作用下迁移的过程中大部分被更深的能阱捕获,即脱阱电荷的输运规律受快再捕获效应控制。; 关键词 XPP膜电荷储存稳定性电荷动态特性; Keywords XPP films charge storage stability charge motion; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正被引量：3: 4; 作者张晓青夏钟福潘永刚; 机构同济大学波耳固体物理研究所; 出处《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期564-567,共4页; 基金国家自然科学基金!资助项目 ( 59682 0 0 3); 文摘采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 .; 关键词化学表面修正驻极体薄膜电荷储存稳定性; Keywords chemical surface modification Si 3N 4 Si 3N 4/SiO 2 electret film charge storage stability; 分类号 TM280.1 [一般工业技术—材料科学与工程] O482.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si基多孔SiO_2薄膜的驻极体性能被引量：1: 5; 作者张晓青 Wedel A Buechtemann A 夏钟福张冶文; 机构同济大学波耳固体物理研究所 Fraunhofer Institute of Applied Polymer Research; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期491-496,共6页; 基金国家自然科学基金项目!(59682003); 文摘通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Ｇａｕｓｓ拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电有陷阱深度进行了估算．实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电ＳｉＯ２薄膜驻极体电荷的活化能为０．３ｅＶ和１．０ｅＶ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响，降低栅压可以提高ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷储存稳定性．; 关键词驻极体性能二氧化硅多孔薄膜溶胶-凝胶法电荷储存稳定性; Keywords porous SiO2 film electret characteristic; 分类号 TN603 [电子电信—电路与系统] O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	紫外消毒对驻极体电荷储存稳定性的影响	王小平宋茂海江键贾国良宋诚荣	《第二军医大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Si基多孔SiO_2薄膜驻极体电荷储存稳定性	张晓青 A.Wedel A.Buechtemann 夏钟福张冶文	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	微孔结构交联聚丙烯驻极体的储电性研究	王学文潘道胜张晓青曹功勋张硕夏钟福李宏强温云飞	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正	张晓青夏钟福潘永刚	《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Si基多孔SiO_2薄膜的驻极体性能	张晓青 Wedel A Buechtemann A 夏钟福张冶文	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料