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基于单一类型载流子的电子倍增CCD倍增模型
被引量：
3
1
作者
张灿林
陈钱
尹丽菊
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期580-583,共4页
基于单一类型载流子,讨论了电子倍增CCD(EMCCD)的雪崩倍增原理,并在此基础上使用经典分段电离率模型,结合雪崩倍增积分关系式建立了EMCCD的倍增模型。根据实际器件倍增结构和栅压幅值确定使用Wolff多次碰撞电离理论。通过倍增模型的理...
基于单一类型载流子,讨论了电子倍增CCD(EMCCD)的雪崩倍增原理,并在此基础上使用经典分段电离率模型,结合雪崩倍增积分关系式建立了EMCCD的倍增模型。根据实际器件倍增结构和栅压幅值确定使用Wolff多次碰撞电离理论。通过倍增模型的理论计算与实际器件的倍增曲线比较发现边缘场强度足够大,倍增区足够宽才能引起适当的信号倍增。该模型可以方便地计算单一类型载流子信号通过全固态多级级联电子倍增寄存器后的总增益与倍增栅压的关系曲线。计算结果表明,倍增模型与现有EMCCD器件倍增数据吻合较好。
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关键词
光电子学与激光技术
电子
倍增
CCD
电子
倍增
片上增益
边缘场
电荷倍增极
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职称材料
题名
基于单一类型载流子的电子倍增CCD倍增模型
被引量：
3
1
作者
张灿林
陈钱
尹丽菊
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
出处
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期580-583,共4页
文摘
基于单一类型载流子,讨论了电子倍增CCD(EMCCD)的雪崩倍增原理,并在此基础上使用经典分段电离率模型,结合雪崩倍增积分关系式建立了EMCCD的倍增模型。根据实际器件倍增结构和栅压幅值确定使用Wolff多次碰撞电离理论。通过倍增模型的理论计算与实际器件的倍增曲线比较发现边缘场强度足够大,倍增区足够宽才能引起适当的信号倍增。该模型可以方便地计算单一类型载流子信号通过全固态多级级联电子倍增寄存器后的总增益与倍增栅压的关系曲线。计算结果表明,倍增模型与现有EMCCD器件倍增数据吻合较好。
关键词
光电子学与激光技术
电子
倍增
CCD
电子
倍增
片上增益
边缘场
电荷倍增极
Keywords
optoelectronics and laser
electron multiplying CCD
electron multiplication
gain-on-chip
fringing field
charge multiplication gate
分类号
TN223 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于单一类型载流子的电子倍增CCD倍增模型
张灿林
陈钱
尹丽菊
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
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