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NBTI的研究进展和改善途径
1
作者
尹彬锋
周柯
《中国集成电路》
2009年第1期58-62,共5页
本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI(负偏压温度不稳定性)的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理(反应-扩散模型和电荷俘获-脱离模型),指出它们各自的适用范围,并针对新的NBTI测试方法的采用,探讨了对可靠性性能估计的影响。最后...
本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI(负偏压温度不稳定性)的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理(反应-扩散模型和电荷俘获-脱离模型),指出它们各自的适用范围,并针对新的NBTI测试方法的采用,探讨了对可靠性性能估计的影响。最后总结了遏制NBTI效应的研究成果。
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关键词
负偏压温度不稳定性
反应
-
扩散
模型
电荷俘获-脱离模型
界面陷阱
电荷
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职称材料
题名
NBTI的研究进展和改善途径
1
作者
尹彬锋
周柯
机构
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
出处
《中国集成电路》
2009年第1期58-62,共5页
文摘
本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI(负偏压温度不稳定性)的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理(反应-扩散模型和电荷俘获-脱离模型),指出它们各自的适用范围,并针对新的NBTI测试方法的采用,探讨了对可靠性性能估计的影响。最后总结了遏制NBTI效应的研究成果。
关键词
负偏压温度不稳定性
反应
-
扩散
模型
电荷俘获-脱离模型
界面陷阱
电荷
Keywords
NBTI
Reaction
-
Diffusion model
Charge Trapping/De
-
trapping model
interface trapped charge
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TQ032.4 [化学工程]
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题名
作者
出处
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1
NBTI的研究进展和改善途径
尹彬锋
周柯
《中国集成电路》
2009
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