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电荷俘获存储器界面缺陷生长模型及其可靠性模拟
1
作者
王泰寰
伦志远
+2 位作者
矫亦朋
刘晓彦
杜刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期781-785,共5页
建立界面缺陷态密度随时间变化的模型。对电荷俘获存储器在不同应力条件下的可靠性进行模拟,为正常工作情形下,电荷俘获存储器内界面缺陷的生长机制以及不同应力条件下器件性能的退化提供预测工具。
关键词
电荷
俘获
存储器
可靠性模拟
界面缺陷
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职称材料
题名
电荷俘获存储器界面缺陷生长模型及其可靠性模拟
1
作者
王泰寰
伦志远
矫亦朋
刘晓彦
杜刚
机构
北京大学深圳研究生院
北京大学微电子学研究院
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期781-785,共5页
文摘
建立界面缺陷态密度随时间变化的模型。对电荷俘获存储器在不同应力条件下的可靠性进行模拟,为正常工作情形下,电荷俘获存储器内界面缺陷的生长机制以及不同应力条件下器件性能的退化提供预测工具。
关键词
电荷
俘获
存储器
可靠性模拟
界面缺陷
Keywords
charge trapping memory
reliability simulation
interface defeet
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
电荷俘获存储器界面缺陷生长模型及其可靠性模拟
王泰寰
伦志远
矫亦朋
刘晓彦
杜刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
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