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双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究被引量：3: 1; 作者马强范如玉 +6 位作者陈伟林东生杨善潮金晓明龚建成王桂珍齐超《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1064-1069,共6页; 建立了运算放大器瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取不同带宽、不同压摆率的3种双极型运算放大器,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示,在相同剂量率下,双极运算放大器的带宽越大、压摆率越高,其输... 展开更多; 关键词双极型运算放大器压摆率瞬时电离辐射效应强光一号; 在线阅读下载PDF 职称材料

可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究被引量：4: 2; 作者杜川华许献国 +1 位作者赵海霖赵洪超《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期369-374,共6页; 概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明... 展开更多; 关键词可编程器件瞬时电离辐射效应 32位微控制器反熔丝FPGA; 在线阅读下载PDF 职称材料

反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计被引量：2: 3; 作者杜川华詹峻岭 +1 位作者许献国袁国火《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1247-1250,共4页; 针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"... 展开更多; 关键词反熔丝现场可编程门阵列 Γ射线瞬时电离辐射效应铁电存储器信息保存与恢复; 在线阅读下载PDF 职称材料

电荷耦合器件电离辐射损伤的模拟试验研究被引量：2: 4; 作者唐本奇王祖军 +3 位作者刘敏波肖志刚张勇黄绍艳《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1192-1195,共4页; 利用钴-60源,在不同工作与辐照条件下,开展电荷耦合器件电离辐射损伤模拟试验,分析高低剂量率、器件偏置对器件暗电流信号增大和哑元电压漂移的影响,比较电荷耦合器件光敏单元、输出放大器总剂量效应的敏感性,研究辐射敏感参数与失效模... 展开更多; 关键词电荷耦合器件电离辐射效应模拟试验; 在线阅读下载PDF 职称材料

联合国原子辐射效应科学委员会成立50周年: 5; 作者潘自强修炳林《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期245-254,共10页; 关键词联合国原子辐射效应科学委员会电离辐射效应捷克斯洛伐克第一次会议澳大利亚科学家阿根廷比利时加拿大墨西哥; 在线阅读下载PDF 职称材料

卫星光通信系统中CCD器件的空间辐射特性研究被引量：3: 6; 作者侯睿赵尚弘 +4 位作者幺周石胥杰吴继礼李勇军占生宝《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1263-1269,共7页; 为了提高卫星光通信系统中电荷耦合器件(CCD)空间抗辐射性能,分析了空间辐射环境对CCD器件造成的电离辐射效应和位移辐射效应。通过理论分析和数值模拟计算研究了不同辐射源、不同沟道类型以及不同偏置状态对CCD电荷转移效率(CTE)的影响... 展开更多; 关键词 CCD 电离辐射效应位移辐射效应电荷转移效率暗电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

用阳江高本底天然辐射地区癌症死亡率资料作健康影响分析被引量：4: 7; 作者魏履新菅原努《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期269-274,共6页; 为达到用阳江高本底天然辐射地区癌症死亡率资料进行健康影响分析的目的 ,对鉴别小剂量电离辐射与健康效应有无因果关系的流行病学研究提出了很高的要求。本文简要地描述多年来 ,尤其是近 10年来为此而采用的策略和方法 ,以及用获得的... 展开更多; 关键词天然本底辐射健康危险估计癌症死亡率低剂量电离辐射效应人健康危害流行病学研究; 在线阅读下载PDF 职称材料

场区加固工艺技术研究被引量：2: 8; 作者郭常厚赵晓辉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期505-507,515,共4页; 通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数变化，会严重影响电路的性能和功能。SiO2中正电荷的累积... 展开更多; 关键词电离辐射效应互补型金属氧化物半导体大规模集成电路场区复合介质; 在线阅读下载PDF 职称材料

183例放射工作者外周血液淋巴细胞染色体畸变分析被引量：1: 9; 作者邵松生冯嘉林 +1 位作者邹美君刘红珍《遗传》 CAS 1979年第5期33-36,共4页; 外周血淋巴细胞染色体畸变分析是电离辐射效应的敏感指标之一。急性辐射损伤时可以利用染色体畸变,作为“生物剂量计”估算所受辐射剂量。虽然职业性放射工作人员中的染色体畸变明显高于正常人,但由于所接触的射线种类、辐射剂量、受照... 展开更多; 关键词放射工作者电离辐射效应工种外周血淋巴细胞淋巴细胞染色体畸变双着丝粒染色体畸变分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究被引量：3: 1; 作者马强范如玉陈伟林东生杨善潮金晓明龚建成王桂珍齐超; 机构西北核技术研究所; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1064-1069,共6页; 文摘建立了运算放大器瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取不同带宽、不同压摆率的3种双极型运算放大器,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示,在相同剂量率下,双极运算放大器的带宽越大、压摆率越高,其输出端口瞬时电离辐射恢复时间越短。分析表明,对于具有内补偿电容的双极运算放大器,其压摆率与补偿电容有关;补偿电容越小,压摆率越大,运算放大器输出端口瞬时电离辐射扰动的恢复时间越短。; 关键词双极型运算放大器压摆率瞬时电离辐射效应强光一号; Keywords bipolar operational amplifier slew rate transient ionizing radiation effect Qiangguang-Ⅰ; 分类号 TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN792 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究被引量：4: 2; 作者杜川华许献国赵海霖赵洪超; 机构中国工程物理研究院电子工程研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期369-374,共6页; 文摘概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明:32位微控制器的瞬时电离辐射效应表现为复位重启和闭锁,闭锁阈值为6×107Gy/Si.s,反熔丝FPGA的瞬时电离辐射效应表现为瞬时扰动和复位重启,二者的工作电流都随着剂量率的增加而升高。分析了两种可编程器件的瞬时电离辐射损伤机理,提出了一种"瞬时回避+数据备份与恢复"的抗瞬时电离辐射的电路设计加固方法。; 关键词可编程器件瞬时电离辐射效应 32位微控制器反熔丝FPGA; Keywords programmed device transient ionizing radiation effects 32 bit Microeontroller anti - fuse FPGA; 分类号 O536 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计被引量：2: 3; 作者杜川华詹峻岭许献国袁国火; 机构中国工程物理研究院电子工程研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1247-1250,共4页; 文摘针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"的加固电路,通过γ射线瞬时电离辐射试验证明:该加固电路实现了瞬时电离辐射状态下FPGA内部重要数据的实时保存与恢复,成功规避了FPGA电路的瞬时电离辐射效应。; 关键词反熔丝现场可编程门阵列 Γ射线瞬时电离辐射效应铁电存储器信息保存与恢复; Keywords antifuse - based FPGA γ - ray transient ionizing radiation effects FRAM information saving and resume; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电荷耦合器件电离辐射损伤的模拟试验研究被引量：2: 4; 作者唐本奇王祖军刘敏波肖志刚张勇黄绍艳; 机构西北核技术研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1192-1195,共4页; 基金国防预研项目(No.51311060403); 文摘利用钴-60源,在不同工作与辐照条件下,开展电荷耦合器件电离辐射损伤模拟试验,分析高低剂量率、器件偏置对器件暗电流信号增大和哑元电压漂移的影响,比较电荷耦合器件光敏单元、输出放大器总剂量效应的敏感性,研究辐射敏感参数与失效模式的差异.为建立电荷耦合器件电离辐射效应规范化的模拟试验与加固评估方法,提供技术基础.; 关键词电荷耦合器件电离辐射效应模拟试验; Keywords CCD （Charge Coupled Device） ionization radiation effect simulation experiment; 分类号 TN99 [电子电信—信号与信息处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名联合国原子辐射效应科学委员会成立50周年: 5; 作者潘自强修炳林; 出处《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期245-254,共10页; 关键词联合国原子辐射效应科学委员会电离辐射效应捷克斯洛伐克第一次会议澳大利亚科学家阿根廷比利时加拿大墨西哥; 分类号 TL-2 [核科学技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名卫星光通信系统中CCD器件的空间辐射特性研究被引量：3: 6; 作者侯睿赵尚弘幺周石胥杰吴继礼李勇军占生宝; 机构空军工程大学电讯工程学院中国空间技术研究院西安分院空军第二飞行学院; 出处《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1263-1269,共7页; 基金国家高技术研究发展计划863项目(2007AA01Z294) 中国博士后科研基金(20090461466); 文摘为了提高卫星光通信系统中电荷耦合器件(CCD)空间抗辐射性能,分析了空间辐射环境对CCD器件造成的电离辐射效应和位移辐射效应。通过理论分析和数值模拟计算研究了不同辐射源、不同沟道类型以及不同偏置状态对CCD电荷转移效率(CTE)的影响,结果表明,空间辐射主要在暗电流密度和电荷转移效率两方面影响CCD器件的工作性能。卫星光通信系统中的CCD器件应该选择P沟道CCD,并且在系统不工作时尽量使其处于非偏置状态。; 关键词 CCD 电离辐射效应位移辐射效应电荷转移效率暗电流; Keywords CCD ionization damage displacement damage charge transfer efficiency dark current; 分类号 TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用阳江高本底天然辐射地区癌症死亡率资料作健康影响分析被引量：4: 7; 作者魏履新菅原努; 机构卫生部工业卫生实验所日本京都体质研究会; 出处《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期269-274,共6页; 文摘为达到用阳江高本底天然辐射地区癌症死亡率资料进行健康影响分析的目的 ,对鉴别小剂量电离辐射与健康效应有无因果关系的流行病学研究提出了很高的要求。本文简要地描述多年来 ,尤其是近 10年来为此而采用的策略和方法 ,以及用获得的研究结果所作的健康影响估计。由于资料的限制。; 关键词天然本底辐射健康危险估计癌症死亡率低剂量电离辐射效应人健康危害流行病学研究; Keywords Natural Background Radiation, Health Risk Assessment, Cancer Mortality Study, Low Dose Effects of Ionizing Radiation; 分类号 R14 [医药卫生—公共卫生与预防医学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名场区加固工艺技术研究被引量：2: 8; 作者郭常厚赵晓辉; 机构东北微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期505-507,515,共4页; 基金国家部委重点预研基金支持项目; 文摘通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数变化，会严重影响电路的性能和功能。SiO2中正电荷的累积与其厚度成正比。在CMOS电路中，起MOSFET隔离作用的场区SiO2层厚度最大，是加固的重点之一。主要介绍一种场区加固工艺技术。通过制造SiO2-Si3N4复合场介质层，减小了场氧化层的厚度并改变了SiO2-Si界面状态。在电离辐射效应试验中，使CMOS电路的漏电电流在辐照前后的变化量降低了1．2个量级，为进一步提高电路的抗辐射性能提供了一种可供选择的工艺加固方法。; 关键词电离辐射效应互补型金属氧化物半导体大规模集成电路场区复合介质; Keywords ionization radiation effect CMOS LSI field compound insulation layer; 分类号 TN929 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名183例放射工作者外周血液淋巴细胞染色体畸变分析被引量：1: 9; 作者邵松生冯嘉林邹美君刘红珍; 机构上海市工业卫生研究所三室血液组; 出处《遗传》 CAS 1979年第5期33-36,共4页; 文摘外周血淋巴细胞染色体畸变分析是电离辐射效应的敏感指标之一。急性辐射损伤时可以利用染色体畸变,作为“生物剂量计”估算所受辐射剂量。虽然职业性放射工作人员中的染色体畸变明显高于正常人,但由于所接触的射线种类、辐射剂量、受照部位和防护条件等许多因素的不同,所以目前对职业性放射性工作人员染色体畸变和累积剂量、临床表现之间关系以及诊断上的意义尚难得出明确结论。本文通过对183例各工种放射性工作人员和70例正常人的外周血淋巴细胞染色体畸变分析,对临床诊断意义和诊断标准提出看法,并加以初步探讨。; 关键词放射工作者电离辐射效应工种外周血淋巴细胞淋巴细胞染色体畸变双着丝粒染色体畸变分析; 分类号 R73 [医药卫生—肿瘤]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究	马强范如玉陈伟林东生杨善潮金晓明龚建成王桂珍齐超	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究	杜川华许献国赵海霖赵洪超	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计	杜川华詹峻岭许献国袁国火	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	电荷耦合器件电离辐射损伤的模拟试验研究	唐本奇王祖军刘敏波肖志刚张勇黄绍艳	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	联合国原子辐射效应科学委员会成立50周年	潘自强修炳林	《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	卫星光通信系统中CCD器件的空间辐射特性研究	侯睿赵尚弘幺周石胥杰吴继礼李勇军占生宝	《应用光学》 CAS CSCD 北大核心	2011	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	用阳江高本底天然辐射地区癌症死亡率资料作健康影响分析	魏履新菅原努	《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心	2001	4	在线阅读下载PDF 职称材料
8	场区加固工艺技术研究	郭常厚赵晓辉	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
9	183例放射工作者外周血液淋巴细胞染色体畸变分析	邵松生冯嘉林邹美君刘红珍	《遗传》 CAS	1979	1	在线阅读下载PDF 职称材料