双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究 被引量：3

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作者 王利斌 姚帅 +7 位作者 陆妩 王信 于新 李小龙 刘默寒 孙静 席善学 郭旗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1635-1640,共6页

本文研究了高、低电平输出偏置条件下双极电压比较器LM311的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)—单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)的协同效应.实验结果表明,高电平输出偏置条件下累积总剂量后的LM311的SET会受到明显抑制,主... 本文研究了高、低电平输出偏置条件下双极电压比较器LM311的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)—单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)的协同效应.实验结果表明,高电平输出偏置条件下累积总剂量后的LM311的SET会受到明显抑制,主要表现为瞬态脉冲宽度减小,SET幅值变小.低电平输出偏置条件下累积总剂量后的LM311的SET有促进作用,主要表现为瞬态脉冲宽度增大,SET幅值变大.与高电平输出偏置条件相比,LM311在低电平输出偏置条件下对SET不敏感.发现TID诱发的界面态陷阱电荷和氧化物陷阱电荷是TID-SET协同抑制效应出现的根本原因. 展开更多

关键词 电离总剂量 单粒子瞬态 协同效应 双极电压比较器

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典型卫星轨道的位移损伤剂量计算与分析 被引量：7

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作者 孙毅 唐民 于庆奎 《航天器环境工程》 2013年第5期487-492,共6页

位移损伤剂量是评估电子元器件在轨发生位移损伤导致性能退化的重要参数。文章首先给出了位移损伤剂量的等效原理和计算方法,即用位移损伤等效注量来表征卫星轨道带电粒子导致的位移损伤剂量;之后分别采用3种不同的太阳质子注量模型,计... 位移损伤剂量是评估电子元器件在轨发生位移损伤导致性能退化的重要参数。文章首先给出了位移损伤剂量的等效原理和计算方法,即用位移损伤等效注量来表征卫星轨道带电粒子导致的位移损伤剂量;之后分别采用3种不同的太阳质子注量模型,计算了典型大椭圆轨道的位移损伤等效注量,并结合计算结果对不同模型的特点和适用性进行了分析;其后针对4种典型卫星轨道,计算了不同飞行寿命期内的位移损伤等效注量,发现不同轨道的位移损伤剂量有较大差异,并结合空间带电粒子辐射环境分布特点及卫星轨道参数等分析了差异的产生原因;最后,分析不同的太阳质子注量预估方法对位移损伤剂量计算结果的影响,总结了不同轨道、不同飞行寿命情况下卫星经受的带电粒子辐射环境的严酷程度。研究结果可为卫星内部元器件位移损伤效应防护工作提供参考。 展开更多

关键词 典型卫星轨道 辐射环境 位移损伤 非电离总剂量 等效注量 太阳质子注量模型

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NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究 被引量：1

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作者 徐锐 周东 +5 位作者 刘炳凯 李豫东 蔡娇 刘海涛 文林 郭旗 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期388-393,共6页

研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负... 研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负载电流条件下,输出电压的退化更显著,且退化程度更严重,对这一现象提出了详细解释。输入电流作为关断模式条件下的重要敏感参数,可以用来评估器件的可靠性。此外,由于退火效应,低剂量率下的输出电压退化程度小于高剂量率下的输出电压退化程度。因此,剂量率的选择对分析和评估DC-DC电源变换器的电离总剂量效应非常重要。 展开更多

关键词 电离总剂量效应 DC-DC电源变换器 输出电压 辐射损伤机理

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多类图像传感器模组电离辐射损伤对比研究 被引量：8

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作者 徐守龙 邹树梁 +3 位作者 武钊 罗志平 黄有骏 蔡祥鸣 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2092-2100,共9页

为选择能用于γ射线辐照环境且最具有加固潜力的图像传感器模组,对比分析了7类传感器模组辐照前后实时采集明、暗图像的参数,研究了不同类型的模拟图像传感器模组及数字图像传感器模组的抗辐射性能,并讨论了辐射损伤机理。实验结果表明... 为选择能用于γ射线辐照环境且最具有加固潜力的图像传感器模组,对比分析了7类传感器模组辐照前后实时采集明、暗图像的参数,研究了不同类型的模拟图像传感器模组及数字图像传感器模组的抗辐射性能,并讨论了辐射损伤机理。实验结果表明:γ射线对图像传感器模组的损伤及干扰程度与模组类型、图像传感器制作工艺、辐照剂量率及总剂量相关;剂量率造成的干扰与剂量率并非呈单纯的线性关系;镜头透镜的透光率随累积剂量的增大而下降;入射γ射线对采集画面质量的干扰与环境光线强度相关,较弱的真实信号更易被入射光子引入的噪声淹没。以上结果提示,入射γ射线对图像传感器的损伤及干扰主要是由各像素单元内暗电流以及正向脉冲颗粒噪声引起的。经实验分析,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的数字摄像机更适用于γ射线辐射环境中的实时监测,但仍需通过加固手段提高其在辐射环境中工作的可靠性和使用寿命。 展开更多

关键词 图像传感器 电离辐射损伤 总剂量效应 剂量率效应

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空间高速InGaAs-PIN光电二极管辐射损伤效应试验研究 被引量：2

5

作者 高欣 王俊 +6 位作者 冯展祖 汪伟 杨生胜 尹飞 黄新宁 薛玉雄 把得东 《航天器环境工程》 2019年第2期139-145,共7页

利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件在空间辐射环境中的适用性。基于辐照前后器件的暗电流、光电流、光谱响应、电容等参数随辐照剂量变化的... 利用质子、中子和伽马射线辐照空间激光通信系统拟选用的高速InGaAs-PIN光电二极管,对其辐射损伤效应开展研究,以评估PIN光电器件在空间辐射环境中的适用性。基于辐照前后器件的暗电流、光电流、光谱响应、电容等参数随辐照剂量变化的测试数据,对各参数受辐照影响的程度和不同辐照模拟源对光电器件造成的辐射损伤差异进行了比较分析。结果表明:PIN光电二极管的暗电流是受辐照影响最严重的参数,而光电流、光谱响应、电容等参数受辐照影响较小;暗电流增加主要与质子和中子辐照引入的非辐射复合中心有关,并与位移损伤剂量基本成线性关系。 展开更多

关键词 PIN光电二极管 暗电流 光电流 光谱响应 辐射效应 电离总剂量效应 位移损伤效应

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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展 被引量：5

6

作者 李培 贺朝会 +3 位作者 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期523-534,共12页

异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 展开更多

关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应

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用10MeV质子和钴60γ射线进行CCD空间辐射效应评估 被引量：17

7

作者 于庆奎 唐民 +3 位作者 朱恒静 张海明 张延伟 孙吉兴 《航天器环境工程》 2008年第4期391-394,300,共4页

文章用10MeV质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量。通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重。因此,进行CCD辐射... 文章用10MeV质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量。通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重。因此,进行CCD辐射效应评估时,不仅要考虑电离总剂量效应,还要考虑位移效应。文章还探讨了评估CCD抗位移损伤能力的方法。 展开更多

关键词 CCD 辐射效应 电离总剂量效应 位移效应

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10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应 被引量：3

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作者 刘岩 杨善潮 +6 位作者 林东生 崔庆林 陈伟 龚建成 王桂珍 白小燕 郭晓强 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2186-2190,共5页

研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电... 研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电离总剂量效应加剧现象,即一定混合程度的中子和γ同时辐照会增强CMOS器件的辐射效应。 展开更多

关键词 综合辐射效应 中子和γ混合环境 CMOS数模转换器 电离总剂量效应 位移损伤

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空间辐射效应对SRAM型FPGA的影响 被引量：11

9

作者 邢克飞 杨俊 季金明 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第12期107-110,共4页

以Xilinx的FPGA为例,结合相关试验数据,分析了空间总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子瞬态脉冲和位移损伤等辐射效应对SRAMFPGA器件的漏极电流、阈值电压、逻辑功能等影响,分析了辐射效应的机理以... 以Xilinx的FPGA为例,结合相关试验数据,分析了空间总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子瞬态脉冲和位移损伤等辐射效应对SRAMFPGA器件的漏极电流、阈值电压、逻辑功能等影响,分析了辐射效应的机理以及FPGA的失效模式。文章可以为SRAM型FPGA在航天领域中的应用提供参考。 展开更多

关键词 总剂量效应 单粒子效应 位移损伤 SRAM型FPGA

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瞬态闭锁试验在0.13μm大规模集成电路中引起的潜在损伤 被引量：4

10

作者 杜川华 赵洪超 邓燕 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期2498-2503,共6页

瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总... 瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总剂量辐射效应规律。结果表明:瞬态剂量率闭锁效应对处理器造成了显著的潜在损伤,导致其总剂量失效阈值从1030 Gy(Si)降低至600 Gy(Si)。研究结论对于大规模集成电路的可靠性评估和指导辐射加固设计有重要参考意义。 展开更多

关键词 处理器 剂量率 电离总剂量 闭锁 潜在损伤

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空间CCD图像传感器辐射损伤评估方法 被引量：1

11

作者 高欣 杨生胜 +1 位作者 冯展祖 张雷 《航天器环境工程》 2013年第6期596-601,共6页

CCD图像传感器作为高灵敏度光电集成部件,易受空间辐射的影响而发生性能退化和工作异常。开展其辐射效应评价研究并制定相应的防护对策,是保证其在空间可靠应用的前提。文章通过地面模拟试验和辐射屏蔽计算,对空间用CCD图像传感器电离... CCD图像传感器作为高灵敏度光电集成部件,易受空间辐射的影响而发生性能退化和工作异常。开展其辐射效应评价研究并制定相应的防护对策,是保证其在空间可靠应用的前提。文章通过地面模拟试验和辐射屏蔽计算,对空间用CCD图像传感器电离辐射损伤与位移损伤效应开展评估方法研究,为CCD抗辐射加固设计与地面评估试验提供参考。该方法也可用于其他光电器件和材料辐射效应评价。 展开更多

关键词 电荷耦合器件(CCD) 空间辐射环境 辐射效应 电离总剂量 位移损伤剂量 辐射屏蔽 CCD(charge-coupled device)

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碲镉汞器件空间辐射损伤研究的进展 被引量：1

12

作者 王忆锋 田萦 《红外》 CAS 2011年第4期1-6,共6页

碲镉汞(MCT)红外探测器在天基平台中的应用正在逐渐增多,运行于空间辐射环境这一特点给其功能实现带来了挑战。MCT器件的独特性质要求人们对空间辐射效应给予特别考虑。目前,通过利用CdTe钝化MCT探测器技术,器件的总剂量脆弱性问题已经... 碲镉汞(MCT)红外探测器在天基平台中的应用正在逐渐增多,运行于空间辐射环境这一特点给其功能实现带来了挑战。MCT器件的独特性质要求人们对空间辐射效应给予特别考虑。目前,通过利用CdTe钝化MCT探测器技术,器件的总剂量脆弱性问题已经得到解决。随着材料质量的改进(例如通过降低原生缺陷浓度),MCT器件更容易受到位移损伤引入缺陷的影响。介绍了部分已发表的有关MCT辐射效应研究的文献资料,讨论了MCT器件辐射损伤效应机理研究的发展历程以及提高MCT器件辐射耐受性的方法。 展开更多

关键词 碲镉汞 红外探测器 空间辐射损伤 总剂量损伤 位移损伤 辐射加固

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典型CMOS器件稳态和脉冲γ辐射效应

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作者 王艳 周开明 周启明 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1251-1254,共4页

以N管阈值电压作为表征参数,对典型CMOS器件CC4007在稳态和脉冲γ辐射下的辐射效应与退火特性进行了实验研究,初步探讨了辐射损伤与退火机理。为满足实验需要,设计了抗闭锁辐照实验系统和弱电流测试电路。研究结果表明,CMOS器件在稳态... 以N管阈值电压作为表征参数,对典型CMOS器件CC4007在稳态和脉冲γ辐射下的辐射效应与退火特性进行了实验研究,初步探讨了辐射损伤与退火机理。为满足实验需要,设计了抗闭锁辐照实验系统和弱电流测试电路。研究结果表明,CMOS器件在稳态和脉冲γ辐照下产生的损伤效应和退火特性具有明显差异,相同累积剂量条件下,稳态辐照产生的器件损伤明显大于脉冲辐照;相同退火时间时,脉冲辐照退火快于稳态辐照。 展开更多

关键词 CMOS器件 电离总剂量 辐射损伤 退火

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8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究 被引量：2

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作者 傅婧 李豫东 +2 位作者 冯婕 文林 郭旗 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2128-2134,共7页

本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。... 本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据。 展开更多

关键词 CMOS图像传感器 钳位光电二极管 质子辐照 电离总剂量 位移损伤剂量

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航天器空间辐射效应分析技术现状与思考 被引量：5

15

作者 王会斌 呼延奇 +1 位作者 郑悦 王华 《航天器环境工程》 北大核心 2022年第4期427-435,共9页

文章梳理了面向航天器总体设计的空间辐射效应分析技术现状,重点归纳了航天器空间辐射效应分析中需关注的总剂量效应、位移损伤效应、单粒子效应分析的要素、分析方法及软件工具,并结合近年来国际上空间辐射环境模型的最新进展,就辐射... 文章梳理了面向航天器总体设计的空间辐射效应分析技术现状,重点归纳了航天器空间辐射效应分析中需关注的总剂量效应、位移损伤效应、单粒子效应分析的要素、分析方法及软件工具,并结合近年来国际上空间辐射环境模型的最新进展,就辐射环境动态变化认知、在轨辐射风险表征、陌生轨道区域辐射环境影响分析等方面提出国内空间辐射效应分析技术的不足及后续发展建议。 展开更多

关键词 空间辐射环境 辐射环境模型 总剂量效应 位移损伤效应 单粒子效应

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SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理 被引量：4

16

作者 张鸿 郭红霞 +6 位作者 顾朝桥 柳奕天 张凤祁 潘霄宇 琚安安 刘晔 冯亚辉 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期884-896,共13页

基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20~80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)... 基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20~80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)时伴随着波浪形脉冲电流的产生,辐照后SEB器件的击穿特性完全丧失。SiC功率器件发生SEB时的累积质子注量随偏置电压的增大而减小。利用计算机辅助设计工具(TCAD)开展SiC MOSFET的单粒子效应仿真,结果表明,重离子从源极入射器件时,具有更短的SEB发生时间和更低的SEB阈值电压。栅-源拐角和衬底-外延层交界处为SiC MOSFET的SEB敏感区域,强电场强度和高电流密度的同时存在导致敏感区域产生过高的晶格温度。SiC MOSFET在栅压偏置(U_(GS)=3 V,U_(DS)=0 V)下开展钴源总剂量效应实验,相比于漏压偏置(U_(GS)=0 V,U_(DS)=300 V)和零压偏置(U_(GS)=U_(DS)=0 V),出现更严重的电学性能退化。利用中带电压法分析发现,栅极偏置下氧化层内的垂直电场提升了陷阱电荷的生成率,加剧了阈值电压的退化。中子位移损伤会导致SiC JBS二极管的正向电流和反向电流减小。在漏极偏置下进行中子位移损伤效应实验,SiC MOSFET的电学性能退化最严重。该研究为空间用SiC器件的辐射效应机理及抗辐射加固研究提供了一定的参考和支撑。 展开更多

关键词 碳化硅结型肖特基二极管 碳化硅场效应晶体管 单粒子烧毁 计算机辅助设计 总剂量效应 位移损伤效应

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CNTFET器件及电路辐射效应研究进展

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作者 舒焕 陆芃 闫江 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第9期1344-1355,共12页

简述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)中作为沟道材料的碳纳米管的基本辐射效应原理及其在抗辐射领域的优势,总结了近年来CNTFET在辐射效应机理和加固领域的研究进展。介绍了不同辐射条件在碳纳米管材料和不同结构的CNTFET中诱发的位移... 简述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)中作为沟道材料的碳纳米管的基本辐射效应原理及其在抗辐射领域的优势,总结了近年来CNTFET在辐射效应机理和加固领域的研究进展。介绍了不同辐射条件在碳纳米管材料和不同结构的CNTFET中诱发的位移损伤效应机理,重点介绍了电介质是影响器件总剂量效应的主要因素,辐射环境也是影响器件辐照后性能变化的重要因素,并针对这两点总结了加固方法及器件和电路的设计,对国内外研究中不同结构的电路的抗辐射能力进行评述。最后介绍了器件受单粒子效应影响的机理,对比了碳基晶体管器件和硅基晶体管器件的抗辐射能力,并展望了CNTFET及其电路的未来太空应用发展。 展开更多

关键词 碳纳米管(CNT) 碳基器件 总剂量效应 位移损伤 单粒子效应(SEE)

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MEO轨道辐射环境对Si太阳电池影响研究 被引量：5

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作者 高欣 杨生胜 +2 位作者 王云飞 冯展祖 李凯 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期931-935,共5页

研究MEO轨道Si太阳电池在轨性能衰减规律,为太阳阵设计提供参考依据。利用位移损伤剂量的方法,研究了电子辐照对Si太阳电池性能参数的影响,并分析了MEO轨道(高度20,000km,倾角56°)的电子和质子辐射环境,及其穿过不同厚度的石英玻... 研究MEO轨道Si太阳电池在轨性能衰减规律,为太阳阵设计提供参考依据。利用位移损伤剂量的方法,研究了电子辐照对Si太阳电池性能参数的影响,并分析了MEO轨道(高度20,000km,倾角56°)的电子和质子辐射环境,及其穿过不同厚度的石英玻璃盖片后的衰减谱。研究发现,在没有玻璃盖片的情况下,MEO轨道一年期质子通量会造成电池最大输出功率严重衰退,约为初始值的28%,而一年期电子通量影响很小,仅造成约7%的下降。使用100μm的石英玻璃盖片几乎可以完全阻挡MEO轨道质子辐射的影响,但是对电子辐射的阻挡作用很小。石英玻璃盖片对于屏蔽低能质子对电池辐照损伤是极其重要的。 展开更多

关键词 非电离能损 位移损伤剂量 太阳电池 MEO

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光电耦合器件在低地球轨道航天器中的运用评估 被引量：3

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作者 王芸 石志成 +1 位作者 赵筱琳 杨榕 《航天器环境工程》 2015年第5期543-548,共6页

不同种类光电耦合器件(光耦)结构工艺对空间总剂量辐射的敏感性存在较大差异,故对其在航天器的使用应区别对待。文章分别对组成常见光耦的LED部分、光电耦合部分以及集成放大电路部分受电离总剂量辐射和位移损伤效应的影响进行分析,比... 不同种类光电耦合器件(光耦)结构工艺对空间总剂量辐射的敏感性存在较大差异,故对其在航天器的使用应区别对待。文章分别对组成常见光耦的LED部分、光电耦合部分以及集成放大电路部分受电离总剂量辐射和位移损伤效应的影响进行分析,比较了光耦各个组成部分和不同工艺的光耦对辐射的敏感度。在地面辐照测试数据基础上,以3种典型光耦为原型,设计在轨验证电路,对器件在辐射环境下的长期工作情况进行了试验验证。结果表明,在适当的参数选择和合理的电路设计下,这些光耦能够满足低地球轨道航天领域的应用需求。 展开更多

关键词 光电耦合器 总剂量辐射 位移损伤效应 低地球轨道

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应慎用的方法:婴幼儿型血管瘤的同位素敷贴治疗 被引量：2

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作者 黄海金 何晓东 +3 位作者 刘海金 徐仙赟 Jiaren LIU 刘潜 《中国小儿血液与肿瘤杂志》 CAS 2015年第6期286-288,共3页

同位素敷贴是一种低辐射强度-（[1]）的局部短距离放射治疗方法。目前,-（32）P、-（90）Sr/-（90）Y同位素敷贴较多地用于治疗婴幼儿型血管瘤-（[2-3]）。其贴敷于病灶局部,治疗30-90 min/d,8-9 d为一个疗程,总剂量1-3Gy/疗程,需要1-3... 同位素敷贴是一种低辐射强度-（[1]）的局部短距离放射治疗方法。目前,-（32）P、-（90）Sr/-（90）Y同位素敷贴较多地用于治疗婴幼儿型血管瘤-（[2-3]）。其贴敷于病灶局部,治疗30-90 min/d,8-9 d为一个疗程,总剂量1-3Gy/疗程,需要1-3个疗程。-（32）P、-（90）Sr/-（90）Y同位素敷贴治疗放射强度小局部反应和毒副作用轻微-（[4-6]）。但其对婴幼儿系统性损伤及远期损伤效应的研究不多,治疗安全性尚有争议,需进一步探讨。1低强度辐射与致癌风险的关系根据低剂量辐射致癌风险理论,低强度放射性仍存一定的风险性。 展开更多

关键词 敷贴治疗 血管瘤 放射强度 损伤效应 治疗安全性 放射治疗方法 辐射强度 毒副作用 总剂量 电离辐射

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