针对典型数字信号控制器(Digital Signal Controller,DSC)的电磁兼容问题,提出了电磁特性与温度特性相结合的分析方法,研究了环境温度对其传导电磁敏感度的影响.结合电磁敏感度行为级模型结构,分析了电磁干扰的作用机制,导出了DSC中金属...针对典型数字信号控制器(Digital Signal Controller,DSC)的电磁兼容问题,提出了电磁特性与温度特性相结合的分析方法,研究了环境温度对其传导电磁敏感度的影响.结合电磁敏感度行为级模型结构,分析了电磁干扰的作用机制,导出了DSC中金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS)器件阈值电压和迁移率随环境温度的变化关系;利用直接功率注入与环境温度联合控制技术,从实验和仿真两个方面分析了模型各部分特征参数在不同温度下的变化,揭示了电磁敏感度在不同环境温度下变化的内在因素,并测试了不同温度下典型DSC的电磁敏感度阈值.结果表明,DSC敏感度行为单元中MOS器件阈值电压和迁移率在不同温度下的变化,会造成其电磁敏感度随环境温度产生显著漂移.展开更多
考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种...考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种工艺下金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行了对比分析;结合温箱和直接功率注入法(direct power injection,DPI)的测试设备,搭建了一个可用于评估温度和电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)共同作用到SRAM的测试平台.通过理论与试验研究发现随着温度的升高,两款不同工艺的SRAM存储器芯片敏感度阈值都会增加,且在100 MHz之后SOI工艺的敏感度阈值增加普遍大于体Si工艺,这对于SOI和体Si工艺集成电路在高低温环境下电磁兼容性的研究具有一定意义.展开更多
文摘针对典型数字信号控制器(Digital Signal Controller,DSC)的电磁兼容问题,提出了电磁特性与温度特性相结合的分析方法,研究了环境温度对其传导电磁敏感度的影响.结合电磁敏感度行为级模型结构,分析了电磁干扰的作用机制,导出了DSC中金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS)器件阈值电压和迁移率随环境温度的变化关系;利用直接功率注入与环境温度联合控制技术,从实验和仿真两个方面分析了模型各部分特征参数在不同温度下的变化,揭示了电磁敏感度在不同环境温度下变化的内在因素,并测试了不同温度下典型DSC的电磁敏感度阈值.结果表明,DSC敏感度行为单元中MOS器件阈值电压和迁移率在不同温度下的变化,会造成其电磁敏感度随环境温度产生显著漂移.
