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电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究
被引量：
2
1
作者
刘强
唐鸿辉
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第9期2449-2457,共9页
以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲...
以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁。实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主。分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障。另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义。
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关键词
硬件安全
电磁故障注入攻击
动态随机存取存储器
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职称材料
题名
电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究
被引量：
2
1
作者
刘强
唐鸿辉
机构
天津大学微电子学院
天津市成像与感知微电子技术重点实验室
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第9期2449-2457,共9页
基金
国家自然科学基金(61974102)。
文摘
以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁。实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主。分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障。另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义。
关键词
硬件安全
电磁故障注入攻击
动态随机存取存储器
Keywords
Hardware security
ElectroMagnetic Fault Injection(EMFI)attack
Dynamic Random Access Memory(DRAM)
分类号
TN918 [电子电信—通信与信息系统]
TP309.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究
刘强
唐鸿辉
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
2
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