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题名CMOS专用电路电磁发射测量和电磁兼容性预测模型
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作者
陈希
黄建文
艾西加
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机构
国立应用科学学院INSA-TOULOUSE(法)微电子技术研究所
江苏理工大学计算机系
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2002年第3期1-6,12,共7页
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文摘
文章介绍测量CMOS大规模集成电路电磁发射的方法 :辐射方式TEM法和传导方式VDE法。提出了集成电路级传导电磁发射模型 ,模型计及测试接口、布局图连接线、电路封装、动态电流源及IC寄生参数等方面的影响。模型的建立 ,采用软件分析和实验测量相结合的方法。模型可以方便地置入常用的模拟分析器 ,在IC设计阶段 ,对 1 0 -1 0 0 0MHz电路的电磁兼容特性进行预测。
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关键词
电磁发射测量
电磁兼容性预测模型
CMOS集成电路
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Keywords
Electromagnetic compatible,measurement,emission,modling,CMOS integrated circuits.
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分类号
TN431.2
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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