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双注入结型场效应管的电流-电压特性
1
作者 曾云 颜永红 +2 位作者 陈迪平 曾健平 张衡 《半导体情报》 1998年第2期41-44,共4页
对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流-电压特性进行了详细分析,并得出解析表达式,为该器件的设计和应用提供了理论依据。
关键词 双注入 结型 场效应晶体管 电流-电压特性
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测量LED/LD功率-电压-电流特性的装置 被引量:1
2
作者 陈彤 蔡长龙 《西安工业学院学报》 2001年第4期326-328,共3页
为了测量LED/LD的功率 电压 电流特性曲线 ,合理选择其工作点 ,设计了一种采用集成运算放大器的测量电路 ,其中包括电流源、稳压、调节等部分 .经实验 ,由所得数据做出的LED/LD的功率 电压 电流 (P U I)特性曲线与其理论曲线相符 ,... 为了测量LED/LD的功率 电压 电流特性曲线 ,合理选择其工作点 ,设计了一种采用集成运算放大器的测量电路 ,其中包括电流源、稳压、调节等部分 .经实验 ,由所得数据做出的LED/LD的功率 电压 电流 (P U I)特性曲线与其理论曲线相符 ,从而说明本测量电路设计的可行性 . 展开更多
关键词 P-U-I特性 发光二极管 LED 激光二极管 LD 光纤通信 设计 测量电路 UCI 电压-电流特性 压控电流 UCI 光功率-电流
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多孔硅的形成与电流电压特性研究
3
作者 沈桂芬 黄和鸾 +3 位作者 王正荣 高博静 刘岩 郭兴加 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期50-54,共5页
本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用SEM观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Si-HF系统的电流-电压特性。
关键词 多孔硅 阳极氧化 量子限制效应 电流-电压特性
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InSb单元及线列器件I-V特性失效分析
4
作者 史梦然 史梦思 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期205-208,共4页
InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制。InSb器件I-V中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈。本文采用半导体参数分析仪对InSb单元及线列器件进行I-V测试,对日常... InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制。InSb器件I-V中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈。本文采用半导体参数分析仪对InSb单元及线列器件进行I-V测试,对日常测试中出现的I-V失效进行归纳,并对典型失效情况进行了失效原因分析,发现影响探测器芯片直流特性的主要因素是表面漏电。 展开更多
关键词 INSB 光电二极管 电流-电压特性 失效分析
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交流接触器I-U特性及直流运行
5
作者 杜宗喜 《物理实验》 北大核心 2003年第12期23-26,共4页
分析了交流接触器I-U特性,并设计了附属电路,使交流接触器线圈可通直流电运行.
关键词 交流接触器 电流-电压特性 直流运行 交流吸合 交流释放 交流电源 直流电源
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以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性 被引量:4
6
作者 许小亮 杨晓杰 +4 位作者 谢家纯 徐传明 徐军 刘洪图 施朝淑 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期295-299,共5页
分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,... 分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 。 展开更多
关键词 氧化锌 P-N结 电流-电压特性
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BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究
7
作者 易图林 张颖 谢艳丁 《空军雷达学院学报》 2006年第4期279-281,284,共4页
为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了... 为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能,为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础. 展开更多
关键词 BIT/PLZT/B1T多层铁电薄膜 铁电性能 电流-电压特性 脉冲准分子激光沉积
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深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响 被引量:1
8
作者 孟庆芳 陈鹏 +4 位作者 郭媛 于治国 杨国锋 张荣 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期751-754,812,共5页
为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的... 为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。 展开更多
关键词 氮化镓 深能级 发光二极管(LED) 电致发光 电流-电压特性
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自支撑GaN基核辐射探测器的Ⅰ-V特性研究
9
作者 王果 付凯 +2 位作者 姚昌胜 王金延 陆敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期559-562,629,共5页
使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器,研究了探测器不同偏压扫描下的I-V特性。偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的I-V特性曲线并不重合;偏压从零偏向反偏扫描和从反偏向零偏扫描的曲线不重合性并没有正偏明显。... 使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器,研究了探测器不同偏压扫描下的I-V特性。偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的I-V特性曲线并不重合;偏压从零偏向反偏扫描和从反偏向零偏扫描的曲线不重合性并没有正偏明显。测试并分析了PL谱图,得出I-V特性曲线不重合的原因是:从零偏到正偏的导电机制是热生载流子,正偏到零偏的导电机制是大注入的非平衡载流子。 展开更多
关键词 自支撑氮化镓电流-电压特性 PL谱图
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AuCl_3/HgI_2与Au/HgI_2接触的I-V特性表征
10
作者 许岗 介万奇 《西安工业大学学报》 CAS 2008年第5期452-455,共4页
利用4155型CVIV测试仪表征了分别采用蒸镀Au、涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体I-V特性.测试表明,采用Au电极和AuCl3电极所测量HgI2晶体的电阻率分别为6×1011Ω.cm和8.1×1011Ω.cm,欧姆接触特性值b为0.8341和1.02... 利用4155型CVIV测试仪表征了分别采用蒸镀Au、涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体I-V特性.测试表明,采用Au电极和AuCl3电极所测量HgI2晶体的电阻率分别为6×1011Ω.cm和8.1×1011Ω.cm,欧姆接触特性值b为0.8341和1.0291.分析认为溅射Au工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.AuCl3电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/HgI2具有良好的欧姆接触特性. 展开更多
关键词 碘化汞 氯化金 电极 电压-电流特性
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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响 被引量:2
11
作者 郭立建 韩军 +3 位作者 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期384-389,共6页
通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体(... 通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体(SF6和O2)流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si C表面形成的刻蚀损伤(凹陷坑和锥形坑)。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0~50 V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性
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InP基RTD特性的数值模拟研究 被引量:1
12
作者 王伟 孙浩 +2 位作者 孙晓玮 徐安怀 齐鸣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期317-322,332,共7页
采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和... 采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。 展开更多
关键词 磷化铟基共振隧穿二极管 电流-电压特性 非平衡格林函数法 散射
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大束流离子注入形成CoSi_2/Si肖特基结电学特性 被引量:1
13
作者 张浩 李英 +1 位作者 王燕 田立林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期265-268,共4页
文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退火温度为850°C,时间为1min。应用I-V和C-V测量进行参... 文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退火温度为850°C,时间为1min。应用I-V和C-V测量进行参数提取。I-V分析得到势垒高度约为0.64eV,理想因子为1.11,C-V分析得到势垒为0.72eV。最后依据实验结果对工艺提出了改进意见。 展开更多
关键词 肖特基结 势垒高度 电流-电压特性 电容-电压特性
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四阳极装置的辉光放电特性 被引量:1
14
作者 袁忠才 时家明 许波 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期146-150,共5页
在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA... 在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。 展开更多
关键词 四阳极装置 辉光放电 电流-电压特性 发光
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有机静电感应三极管(OSIT)静态工作特性的解析 被引量:2
15
作者 薛严冰 王东兴 赵闻蕾 《大连铁道学院学报》 2003年第3期47-51,共5页
在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试,通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式,数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特... 在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试,通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式,数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。 展开更多
关键词 有机静电感应三极管 OSIT 静态工作特性 电流-电压特性 有机半导体 酞氰铜 数据解析
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一种新的HEMT器件I-V特性解析模型
16
作者 黄艺 沈楚玉 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1996年第4期15-19,共5页
提出一种考虑速度过冲效应的HEMT器件I-V特性解析模型.在非线性电荷控制模型的基础上,对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似,提出了一个半经验的速度过冲模型.经实际计算结果表明。
关键词 电流-电压特性 异质结 场效应晶体管 速度过冲
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磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究(英文) 被引量:2
17
作者 何波 徐静 +5 位作者 宁欢颇 邢怀中 王春瑞 张晓东 莫观孔 沈晓明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期44-49,共6页
采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V... 采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。 展开更多
关键词 纳米晶GZO/CdS双层膜 磁控溅射 异质结 电流-电压(I-V)特性
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Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究 被引量:5
18
作者 陈志忠 秦志新 +5 位作者 胡晓东 于彤军 童玉珍 丁晓民 杨志坚 张国义 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2004年第2期36-39,共4页
通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制。Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起了阻止Ti,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内,Ti/Al/Ni/Au与n型GaN... 通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制。Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起了阻止Ti,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内,Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升,到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti/Al/Ni/Au形成的接触电阻低达9.65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。 展开更多
关键词 n型氮化镓 欧姆接触 电流-电压特性 传输线法 两步合金法
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用LambertW函数求解太阳能电池的串联电阻 被引量:6
19
作者 许佳雄 姚若河 耿魁伟 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期42-45,共4页
为准确计算太阳能电池的串联电阻,从太阳能电池单二极管模型的电流-电压特性方程出发,推导出一个用LambertW函数形式表示的串联电阻解析表达式.该表达式仅需将太阳能电池的电流-电压特性曲线和模型参数值代入其中即可求出串联电阻,避免... 为准确计算太阳能电池的串联电阻,从太阳能电池单二极管模型的电流-电压特性方程出发,推导出一个用LambertW函数形式表示的串联电阻解析表达式.该表达式仅需将太阳能电池的电流-电压特性曲线和模型参数值代入其中即可求出串联电阻,避免了通常近似计算方法所引入的误差.不同类型和不同工作条件下太阳能电池串联电阻的计算结果验证了文中计算方法的准确性和实用性. 展开更多
关键词 太阳能电池 串联电阻 LambertW函数 电流-电压特性
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偶氮吡啶分子结的制备、表征及电学性质初步研究 被引量:1
20
作者 向娟 刘波 +3 位作者 田景华 吴孙桃 胡家文 田中群 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1342-1344,M009,共4页
A study on the fabrication and characterization of gold nanowires containing a 4,4′-azopyridine monolayer junctions was reported. Au nanowires were prepared by using a two-step alternative current(AC) electrodepositi... A study on the fabrication and characterization of gold nanowires containing a 4,4′-azopyridine monolayer junctions was reported. Au nanowires were prepared by using a two-step alternative current(AC) electrodeposition inside the pores of AAO. Azopyridine molecules were adsorbed on the top of Au layer by self-assembly and electroless plating was done to introduce Au caps on the top of the SAMs. The top Au segments were prepared by using AC electrodeposition, too. The HRTEM image shows the thickness of the SAM is approximately 1.5 nm, which is in good agreement with the theoretical length of azopyridine. It is demonstrated that direct AC electrodeposition was more effective than chemical deposition on strengthening the electronic device. Utilizing 4,4′-azopyridine as the active component, current-voltage characterization of nanowires containing molecules was done at room temperature by a two-point probe method by using a Keithley 4200 semiconductor characterization system. A good conductive behavior at room temperature in this electronic device was observed. 展开更多
关键词 分子结 分子器件 4 4′-偶氮吡啶 电场诱导自组装 电流-电压特性
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