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Si-glass-Al阳极键合电流特性及其力学性能
1
作者
薛永志
胡利方
+2 位作者
王浩
李蓉
王文先
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期71-76,86,I0004,共8页
采用两步法实现了Si-glass-Al的可靠连接,提出了键合三层晶片的电流时间模型.键合电流结果表明,两次阳极键合的电流变化规律一致,即先迅速增加至最大值,然后呈指数式下降;发现第二次键合的电流峰值总是大于第一次,结合提出的电流时间模...
采用两步法实现了Si-glass-Al的可靠连接,提出了键合三层晶片的电流时间模型.键合电流结果表明,两次阳极键合的电流变化规律一致,即先迅速增加至最大值,然后呈指数式下降;发现第二次键合的电流峰值总是大于第一次,结合提出的电流时间模型,表明键合材料之间因不完全接触而产生的电阻会对电流峰值产生显著影响.利用扫描电镜(SEM)观察Si-glass-Al界面形貌,界面结合良好,在450℃/800V的条件下,glass-Al及glass-Si界面处Na^+耗尽层厚度分别达到了546,820nm.试样的拉伸强度随着电压的增大而升高,无论是先键合Si还是先键合Al箔,断裂总是发生在第二次键合界面附近或玻璃基体上.
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关键词
电子封装
阳极键合
Si
-
glass
-
Al
电流-时间模型
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职称材料
题名
Si-glass-Al阳极键合电流特性及其力学性能
1
作者
薛永志
胡利方
王浩
李蓉
王文先
机构
太原理工大学先进镁基材料山西省重点实验室
太原理工大学材料科学与工程学院
出处
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期71-76,86,I0004,共8页
基金
国家自然科学基金重点资助项目(51405328)
文摘
采用两步法实现了Si-glass-Al的可靠连接,提出了键合三层晶片的电流时间模型.键合电流结果表明,两次阳极键合的电流变化规律一致,即先迅速增加至最大值,然后呈指数式下降;发现第二次键合的电流峰值总是大于第一次,结合提出的电流时间模型,表明键合材料之间因不完全接触而产生的电阻会对电流峰值产生显著影响.利用扫描电镜(SEM)观察Si-glass-Al界面形貌,界面结合良好,在450℃/800V的条件下,glass-Al及glass-Si界面处Na^+耗尽层厚度分别达到了546,820nm.试样的拉伸强度随着电压的增大而升高,无论是先键合Si还是先键合Al箔,断裂总是发生在第二次键合界面附近或玻璃基体上.
关键词
电子封装
阳极键合
Si
-
glass
-
Al
电流-时间模型
Keywords
package
anodic bonding
Si
-
glass
-
Al
current
-
time model
分类号
TG441 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Si-glass-Al阳极键合电流特性及其力学性能
薛永志
胡利方
王浩
李蓉
王文先
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
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