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题名晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨
被引量：7
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作者
石林初
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机构
中国华晶电子集团公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期14-18,共5页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一［１～４］。本文以发射极电流集边效应发生的程度，分为四个区域，详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点，指出：在Ⅰ～Ⅱ区，发射极电流集边效应不明显，晶体管承载电流能力主要由发射区面积决定；在Ⅰ～Ⅲ区，发射极电流集边效应明显，晶体管承载电流能力由发射区面积和发射区有效周长共同决定；在Ⅰ～Ⅳ区发射极电流集边效应已非常突出，晶体管承载电流能力由发射区有效周长决定。
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关键词
晶体管
发射极
电流集边效应
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Keywords
Principle of transistor Edge crouding effect of emitter current Base resistor Effective peripheral length of emitter Effective width of emitter
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分类号
TN320.1
[电子电信—物理电子学]
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题名一种CMOS新型ESD保护电路设计
被引量：1
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作者
沈放
陈巍
黄灿英
陈艳
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机构
南昌大学科学技术学院
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出处
《现代电子技术》
北大核心
2015年第24期128-131,共4页
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基金
江西省教育改革课题(JXJG-11-22-2)
江西省教育改革课题(JXJG-13-28-6)
+2 种基金
江西省教育改革课题(JXJG-14-28-8)
江西省教育厅青年科学基金项目(GJJ12165)
江西省教育教学"十二五"规划课题(11YB452)
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文摘
金属氧化物半导体(MOS)器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电(ESD)威胁,而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等原因,普遍存在着抗静电能力有限、占用较大芯片面积等问题。根据全芯片ESD防护机理,基于SMIC 0.18μm工艺设计并实现了一种新型ESD保护电路,其具有结构简单、占用芯片面积小、抗ESD能力强等特点。对电路的测试结果表明,相对于相同尺寸栅极接地结构ESD保护电路,新型ESD保护电路在降低35%芯片面积的同时,抗ESD击穿电压提升了32%,能够有效保护芯片内部电路免受ESD造成的损伤和降低ESD保护电路的成本。
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关键词
静电放电(ESD)保护
栅极接地NMOS
抗静电
电流集边效应
低成本
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Keywords
ESD protection
gate-grounded n MOS
anti-static electricity
current crowding effect
low cost
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分类号
TN43-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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