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用电流阶跃法在时域与频域中研究钢筋锈蚀 被引量:1
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作者 阎培渝 崔路 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 1999年第3期199-205,共7页
利用电流阶跃法测量位于模拟混凝土孔溶液中和混凝土中的钢筋锈蚀状态.提出了新的时域和频域分析方法,并对测量结果进行了分析,由此可以较准确地确定混凝土内钢筋的极化电阻Rp 和钢筋表面不均匀系数α,从而可以确定钢筋的锈蚀速... 利用电流阶跃法测量位于模拟混凝土孔溶液中和混凝土中的钢筋锈蚀状态.提出了新的时域和频域分析方法,并对测量结果进行了分析,由此可以较准确地确定混凝土内钢筋的极化电阻Rp 和钢筋表面不均匀系数α,从而可以确定钢筋的锈蚀速率和点蚀危险性;还可以通过所得阻抗谱了解钢筋的锈蚀机理.研究发现,当钢筋严重锈蚀时,腐蚀电流和钢筋表面不均匀系数均能反映钢筋锈蚀状态,但当钢筋处于脱钝临界状态时,腐蚀电流和钢筋表面不均匀系数反映的信息常有矛盾之处,腐蚀电流判据难于准确判断钢筋锈蚀状态,而钢筋表面不均匀系数判据则不存在这个问题. 展开更多
关键词 电流阶跃法 钢筋 锈蚀 阻抗谱 钢筋混凝土
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基于单电流阶跃法的淀粉间接电化学氧化研究
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作者 曹胜魁 顾敏 +1 位作者 陈慧 单志华 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期112-116,共5页
以钛板作为阴极,石墨烯为阳极,NaCl为支持电解质兼氧化源,进行淀粉的间接电氧化。以电流密度、可溶性淀粉(SS)质量分数、NaCl质量分数、电解时间4个因素进行L9(34)正交实验。正交实验结果表明,最佳的SS和NaCl质量分数分别为10%、2%。采... 以钛板作为阴极,石墨烯为阳极,NaCl为支持电解质兼氧化源,进行淀粉的间接电氧化。以电流密度、可溶性淀粉(SS)质量分数、NaCl质量分数、电解时间4个因素进行L9(34)正交实验。正交实验结果表明,最佳的SS和NaCl质量分数分别为10%、2%。采用单电流阶跃法对电流密度、电解时间进行了单因素考察,结果表明,最佳的电流密度是20mA/cm2。根据图像中电势的跃迁特征取样进行淀粉氧化过程醛基分析,获得间接氧化实验体系最佳时间为电势的转折点。分析发现,转折点上的氧化淀粉含醛基质量分数已接近最大平衡。FTIR及XRD的辅助分析证明,在转折点的氧化淀粉结构与原淀粉之间已发生了明显氧化变化,确定最佳电解时间是1200 s。在此条件下,得到氧化淀粉含醛基质量分数为0.432%。 展开更多
关键词 氧化淀粉 电氧化 电流阶跃法 醛基 有机电化学与工业
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光照下n-InP/溶液界面击穿过程的研究
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作者 钱道荪 朱振华 赵俊 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1994年第1期61-63,共3页
应用大信号电流阶跃法研究光照下半导体电极/溶液界面的击穿过程尚未见报导。本文用此法研究了光照下n-InP/Fe<sup>3+</sup>,Fe<sup>2+</sup>溶液的击穿行为,提出了击穿机理,测定了电流密度及光强的影响,计算... 应用大信号电流阶跃法研究光照下半导体电极/溶液界面的击穿过程尚未见报导。本文用此法研究了光照下n-InP/Fe<sup>3+</sup>,Fe<sup>2+</sup>溶液的击穿行为,提出了击穿机理,测定了电流密度及光强的影响,计算了一些击穿时的参数。 1 实验部分实验用半导体电极为掺Sn的n-InP((100)面),其N<sub>D</sub>=2×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>。电解液组成为0.1mol·L<sup>-1</sup>FeCl<sub>3</sub>+0.1mol·L<sup>-1</sup>FeSO<sub>4</sub>+1mol·L<sup>-1</sup>HCl,测试方法同前文,电极电位相对于饱和甘汞电极。 2 结果及讨论图1为光强为40mW·cm<sup>-2</sup>时,不同电流密度下的光电压-时间曲线,从图1可看出,当电流密度较低时,光电压随时间增加而增加(曲线1及2)。而当电流密度较大时,光电压随时间而迅速上升并达到不变值(曲线3、4及5),此时产生了击穿现象。 展开更多
关键词 磷化铟 半导体电极 电流阶跃法
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橙黄Ⅱ的动力学研究 被引量:1
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作者 王雪琳 奚正楷 王军 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 1993年第3期1-5,共5页
研究了橙黄Ⅱ在二氧化锡电极上的氧化还原行为,利用电势阶跃计时电流法测定了橙黄Ⅱ的扩散系数及其不可逆电荷转移反应的反应速率常数,获得了满意的结果。
关键词 偶氮化合物 反应动力学 电势阶跃计时电流 反应速率常数 橙黄Ⅱ
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Ga-Al-As-Si系统中Si的两性掺杂行为的研究
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作者 曾庆科 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第3期238-242,共5页
对Si在电液相外延Ga-Al-As-Si系统中的两性掺杂行为进行了研究。提出了一种恒温生长Ga_(1-x)Al_xAs:Sip-n结的新方法,对这种p-n结的成因作了定性的解释,并对这种p-n结的电特性加以观察。
关键词 Ga-Al-As-Si系统 掺杂 电液相外延 转变温度 阶跃电流 P-N结 I-V特性
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