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多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析
1
作者
吴金
魏同立
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1996年第3期325-331,共7页
对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用，建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型．该模型可适...
对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用，建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型．该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件，对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便，同时精度也较高，可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计．
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关键词
多晶硅发射区
低温
双极晶体管
电流输运模型
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职称材料
题名
多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析
1
作者
吴金
魏同立
机构
东南大学
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1996年第3期325-331,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用，建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型．该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件，对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便，同时精度也较高，可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计．
关键词
多晶硅发射区
低温
双极晶体管
电流输运模型
Keywords
polysilicon emitter
low temperature
BJT
current transportation
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析
吴金
魏同立
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1996
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