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题名一种灵敏度提高的垂直型霍尔器件及仿真模型
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作者
王双喜
李建强
李良
周林
李杰林
徐跃
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机构
南京邮电大学集成电路科学与工程学院
北京智芯微电子科技有限公司
射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室
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出处
《固体电子学研究与进展》
2025年第2期92-96,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(62171233)
中国电子学会-智芯科研专项项目(20220370-0090)
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(SJCX23_0298)。
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文摘
基于180 nm BCD工艺实现了一种灵敏度提高的五孔垂直型霍尔器件(Five-contact vertical Hall-effect device,FCVHD)。采用掺杂浓度较低且阱深较深的N型漂移区(N-type drift region,NDRF)作为器件有源区,并在器件表面的N~+接触孔之间进行P~+扩散区隔离,有效减小了短路效应,提高了器件的电流相关灵敏度(S_(IV))。同时,在器件有源区四周设计了双PN结保护环,更有效抑制了器件衬底的噪声和干扰。此外,对该器件建立了一种简化的Verilog-A电路仿真模型,该模型仅由非线性电阻、电容和流控电压源组成,考虑了器件的非理想效应,具有高的仿真精度。测试结果表明,该垂直型霍尔器件的S_(IV)达到了24 V/(A·T),比标准CMOS N阱器件的灵敏度提高了2.86倍,同时模型仿真与实测结果达到很好的一致性,相对误差<3.7%,验证了仿真模型的实用性。
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关键词
五孔垂直型霍尔器件(FCVHD)
N型漂移区(NDRF)
仿真模型
电流相关灵敏度
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Keywords
five-contact vertical Hall-effect device(FCVHD)
N-type drift region(NDRF)
simulation model
current-related sensitivity
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分类号
TN382
[电子电信—物理电子学]
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