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新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
1
作者
吴日新
戴庆元
谢芳
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期919-922,共4页
介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-4...
介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。
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关键词
CMOS带隙基准
电流微调
关断模式
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职称材料
题名
新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
1
作者
吴日新
戴庆元
谢芳
机构
上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期919-922,共4页
文摘
介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。
关键词
CMOS带隙基准
电流微调
关断模式
Keywords
CMOS bandgap reference
current trimming
shutdown mode
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
吴日新
戴庆元
谢芳
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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