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具有平坦增益的3.1～10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计被引量：4: 1; 作者杜四春王春华张光祥《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期49-53,共5页; 提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1～10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦增益的特性.仿真结果显示,在3.1～10.6GHz频率变化范围内,低噪声放大器达到平均17.5dB的电压增益,输入... 展开更多; 关键词低噪声放大器(LNA) 超宽带平坦度电流复用技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计被引量：2: 2; 作者余巨臣彭龙新 +4 位作者刘昊凌志健贾晨阳闫俊达刘飞《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期493-497,共5页; 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比... 展开更多; 关键词滤波器限幅器低噪声放大器(LNA) 电流复用技术单片微波集成电路(MMIC); 在线阅读下载PDF 职称材料

具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器被引量：4: 3; 作者曾志李远鹏陈长友《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期36-40,共5页; 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和... 展开更多; 关键词低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制电流复用技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高增益、低功耗的超宽带低噪声放大器被引量：2: 4; 作者刘丹丹马铭磷《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第7期109-113,共5页; 提出了一种基于跨导增强技术及噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器电路,并且在电路中采用了电流复用技术。电路由输入级、放大级和输出级3部分组成。在输入级中,利用跨导增强技术实现了电路输入阻抗的匹配;在放大级中,利用跨导增强技术... 展开更多; 关键词低噪声放大器跨导增强技术电流复用技术噪声抵消技术噪声系数增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种低功耗高性能AB类运算放大器的设计被引量：2: 5; 作者郑慧臻王科平谢生《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期142-150,共9页; 为了解决传统运算放大器在物联网系统等低功耗应用中转换速率较低和增益带宽积较小的问题,设计了一种新型的AB类运算放大器。提出了基于差分对管的电流复用技术,将输入晶体管产生的差分电流再次利用,提高了电路的输出电流,获得了更高的... 展开更多; 关键词 AB类运算放大器电流复用技术自适应偏置电路局部共模反馈高转换速率高带宽低功耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有平坦增益的3.1～10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计被引量：4: 1; 作者杜四春王春华张光祥; 机构湖南大学信息科学与工程学院; 出处《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期49-53,共5页; 基金湖南省科技计划项目(2010FJ4246); 文摘提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1～10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦增益的特性.仿真结果显示,在3.1～10.6GHz频率变化范围内,低噪声放大器达到平均17.5dB的电压增益,输入和输出的回波损耗均低于-8dB,最小噪声系数约为2.8dB,在电源电压为1.5V下功耗约为11.35mW.; 关键词低噪声放大器(LNA) 超宽带平坦度电流复用技术; Keywords low noise amplifier （LNA） ultra-wideband （UWB） flatness current-reused technique; 分类号 TN911.8 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计被引量：2: 2; 作者余巨臣彭龙新刘昊凌志健贾晨阳闫俊达刘飞; 机构南京电子器件研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期493-497,共5页; 文摘基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比。未单独设计滤波器,而是在LNA的匹配网络中加入滤波支路,且分散置于各级匹配网络中,以减小噪声损耗。LNA为三级级联结构,采用单电源和电流复用结构,以实现较小的电流和功耗。测试结果表明,该MMIC在27.5~31 GHz内增益大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB,1 dB压缩点输出功率大于5.5 dBm,在17.6~20.6 GHz内带外抑制比小于-50 dBc,可以承受20 W的脉冲输入功率。; 关键词滤波器限幅器低噪声放大器(LNA) 电流复用技术单片微波集成电路(MMIC); Keywords filter limiter low noise amplifier(LNA) current reuse technique monolithic microwave integrated circuit(MMIC); 分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器被引量：4: 3; 作者曾志李远鹏陈长友; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期36-40,共5页; 文摘基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和较好的带外抑制特性;LNA采用单电源和电流复用结构,实现较高的增益和较低的功耗。测试结果表明,该MMIC芯片在30~34 GHz频带内,增益大于28 dB,噪声系数小于2.8 dB,功耗小于60 mW,在17~19 GHz频带内带外抑制比小于-35 dBc。芯片尺寸为2.40 mm×1.00 mm。该LNA MMIC可应用于毫米波T/R系统中。; 关键词低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制电流复用技术; Keywords low noise amplifier(LNA) monolithic microwave integrated circuit(MMIC) GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) out-of-band suppression current reuse technique; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高增益、低功耗的超宽带低噪声放大器被引量：2: 4; 作者刘丹丹马铭磷; 机构湘潭大学信息工程学院; 出处《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第7期109-113,共5页; 文摘提出了一种基于跨导增强技术及噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器电路,并且在电路中采用了电流复用技术。电路由输入级、放大级和输出级3部分组成。在输入级中,利用跨导增强技术实现了电路输入阻抗的匹配;在放大级中,利用跨导增强技术以及电流复用技术使电路增益有了明显的提升,并且利用噪声抵消技术、跨导增强技术使得电路的噪声性能以及功耗有了明显的改善;在输出级中,利用电感与电容谐振的原理实现输出阻抗的匹配。该放大器采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,并利用ADS对电路进行优化仿真,结果表明,该放大器在3~5 GHz范围内增益为20.4~21.8 dB,噪声系数为1~1.8 dB。电路工作电压为1 V,功耗为7.9 mW。; 关键词低噪声放大器跨导增强技术电流复用技术噪声抵消技术噪声系数增益; Keywords low noise amplifier transconductance enhancement current reused noise cancelling noise figure gain; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种低功耗高性能AB类运算放大器的设计被引量：2: 5; 作者郑慧臻王科平谢生; 机构天津大学微电子学院; 出处《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期142-150,共9页; 基金国家自然科学基金(61774035) 江苏省自然科学基金(BK20191260)。; 文摘为了解决传统运算放大器在物联网系统等低功耗应用中转换速率较低和增益带宽积较小的问题,设计了一种新型的AB类运算放大器。提出了基于差分对管的电流复用技术,将输入晶体管产生的差分电流再次利用,提高了电路的输出电流,获得了更高的转换速率、增益带宽积和直流增益。此外,结合了基于自适应偏置电路的AB类输入级和局部共模反馈电路,使得运算放大器输出级的动态电流摆脱了静态电流的限制,以较小的静态电流获得了较大的动态电流,进一步提升了电路的关键性能参数。基于180 nm CMOS工艺,对运算放大器进行设计和验证。仿真结果表明:在70 pF的负载电容下,正负转换速率分别为23.55 V/μs和-31.47 V/μs,增益带宽积为2.38 MHz,直流增益为63 dB,静态功耗仅为23μW。与传统的AB类运算放大器相比,所提出的电路在实现低功耗的同时具有更高的转换速率、增益带宽积和直流增益,适用于模数转换器和电源管理等低功耗电路系统。; 关键词 AB类运算放大器电流复用技术自适应偏置电路局部共模反馈高转换速率高带宽低功耗; Keywords class AB operational amplifiers current reuse technology adaptive bias circuit local common-mode feedback high slew rate high gain-bandwidth product low power consumption; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	具有平坦增益的3.1～10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计	杜四春王春华张光祥	《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计	余巨臣彭龙新刘昊凌志健贾晨阳闫俊达刘飞	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器	曾志李远鹏陈长友	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种高增益、低功耗的超宽带低噪声放大器	刘丹丹马铭磷	《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种低功耗高性能AB类运算放大器的设计	郑慧臻王科平谢生	《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料