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金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
被引量：
2
1
作者
胡飞
宋李梅
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期274-279,320,共7页
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析...
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率（di/dt）由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。
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关键词
MOS控制晶闸管(MCT)
电流
上升速率(
di/
dt
)
脉冲功率开关
开启瞬态
上升时间
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职称材料
6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
2
作者
杨燎
陈宏
+2 位作者
郑昌伟
白云
杨成樾
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期861-865,共5页
基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真...
基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟。在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试。测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致。
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关键词
碳化硅(SiC)
光控晶闸管(LTT)
脉冲开关
击穿电压
电流
变化率
(
di/
dt
)
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职称材料
飞兆半导体IntelliMAX负载开关简化复杂功率设计难题
3
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期857-857,共1页
2010年7月19日，飞兆半导体公司推出先进负载管理开关产品FPF1038／FPF1039，这两款单一芯片解决方案在开关用于断开具有高输出电容（〉100μF）的负载时，能够帮助设计人员应对降低浪涌电流或高di／dt的挑战。如果使用传统的MOSFET／...
2010年7月19日，飞兆半导体公司推出先进负载管理开关产品FPF1038／FPF1039，这两款单一芯片解决方案在开关用于断开具有高输出电容（〉100μF）的负载时，能够帮助设计人员应对降低浪涌电流或高di／dt的挑战。如果使用传统的MOSFET／分立式解决方案将负载直接连接至电池或电源，当开关开启并消耗大量的电流时，分立元件的容差则可能造成过多的电压下降，从而引致电压轨超出规范要求。FPF1038／FPF1039在单芯片上集成了所需的功能性，能够防止这种情况的发生，并且减少电路板占用空间、减少元件数目、消除容差匹配问题，同时减少补偿电路的额外设计时间。
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关键词
飞兆半导体公司
负载开关
功率设计
MOSFET
浪涌
电流
电压下降
分立元件
di/
dt
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职称材料
题名
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
被引量：
2
1
作者
胡飞
宋李梅
韩郑生
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院硅器件技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期274-279,320,共7页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0901801)
文摘
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率（di/dt）由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。
关键词
MOS控制晶闸管(MCT)
电流
上升速率(
di/
dt
)
脉冲功率开关
开启瞬态
上升时间
Keywords
MOS controlled thyristor （MCT）
current rise rate （
di/
dt
）
pulse power switch
turn-on transient
rise time
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
2
作者
杨燎
陈宏
郑昌伟
白云
杨成樾
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学微电子学院
株洲中车时代半导体有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期861-865,共5页
文摘
基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟。在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试。测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致。
关键词
碳化硅(SiC)
光控晶闸管(LTT)
脉冲开关
击穿电压
电流
变化率
(
di/
dt
)
Keywords
silicon carbide(SiC)
light-triggered thyristor(LTT)
pulse switch
breakdown voltage
current rate(
di/
dt
)
分类号
TN342.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
飞兆半导体IntelliMAX负载开关简化复杂功率设计难题
3
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期857-857,共1页
文摘
2010年7月19日，飞兆半导体公司推出先进负载管理开关产品FPF1038／FPF1039，这两款单一芯片解决方案在开关用于断开具有高输出电容（〉100μF）的负载时，能够帮助设计人员应对降低浪涌电流或高di／dt的挑战。如果使用传统的MOSFET／分立式解决方案将负载直接连接至电池或电源，当开关开启并消耗大量的电流时，分立元件的容差则可能造成过多的电压下降，从而引致电压轨超出规范要求。FPF1038／FPF1039在单芯片上集成了所需的功能性，能够防止这种情况的发生，并且减少电路板占用空间、减少元件数目、消除容差匹配问题，同时减少补偿电路的额外设计时间。
关键词
飞兆半导体公司
负载开关
功率设计
MOSFET
浪涌
电流
电压下降
分立元件
di/
dt
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
胡飞
宋李梅
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
杨燎
陈宏
郑昌伟
白云
杨成樾
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
飞兆半导体IntelliMAX负载开关简化复杂功率设计难题
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
已选择
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