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从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性: 1; 作者冯文修张恒 +1 位作者陈蒲生田浦延《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期51-54,共4页; 用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果... 展开更多; 关键词快速热氮化超薄SiO2膜电流传输特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

用MgCl_2、NaCl、KCl和MgB_2O_4熔融混合物电解法合成MgB_2块材的电流传输特性: 2; 《稀有金属快报》 CSCD 2003年第2期4-4,共1页; 关键词 MgB2块材合成电流传输特性熔融混合物电解法超导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

（Pb0.5Cd0.5）（La2—xSrx）CuO5—δ的磁特性和电传输特性: 3; 作者汪京荣《稀有金属快报》 CSCD 1997年第12期14-15,共2页; 关键词高温超导材料磁特性电流传输特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文): 4; 作者冯文修田浦延 +1 位作者陈蒲生刘剑《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期13-17,共5页; 用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没... 展开更多; 关键词电子隧穿快速热氮化晶向硅超薄二氧化硅膜遂穿电流电流传输特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

对数IV转换器在局部探测显微镜中的应用被引量：1: 5; 作者李继红李自田《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期285-288,共4页; 这里我们构建了一个准对数电流电压转换器，它测量的带宽范围超过２ｋＨｚ；并且允许的输入电流范围是１０ｐＡ到１０ｍＡ．此转换器用半导体二极管作为反馈支路的非线性元件，是建立在虚地设计模式基础上的．为了扩展此转换器... 展开更多; 关键词扫描隧道显微镜电流-电压传输特性超低漏二极管局部探测; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性: 1; 作者冯文修张恒陈蒲生田浦延; 机构华南理工大学应用物理系; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期51-54,共4页; 文摘用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果表明 :低场时的漏电流很小 ;进入隧穿电场时 ,I E曲线遵循Fowler Nordheim (F N)规律 ;在更高的电场时 ,主要出现两种情形 ,其一是I E曲线一直遵循F N规律直至介质膜发生击穿 ,其二是I E曲线下移 ,偏离F N关系 ,直至介质膜发生击穿 .研究表明 ,I E曲线随氮化时间增加而上移 .; 关键词快速热氮化超薄SiO2膜电流传输特性; Keywords rapid thermal nitridation ultra thin SiO 2 film current transported characteristic; 分类号 O483.3 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用MgCl_2、NaCl、KCl和MgB_2O_4熔融混合物电解法合成MgB_2块材的电流传输特性: 2; 出处《稀有金属快报》 CSCD 2003年第2期4-4,共1页; 关键词 MgB2块材合成电流传输特性熔融混合物电解法超导体; 分类号 TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名（Pb0.5Cd0.5）（La2—xSrx）CuO5—δ的磁特性和电传输特性: 3; 作者汪京荣; 出处《稀有金属快报》 CSCD 1997年第12期14-15,共2页; 关键词高温超导材料磁特性电流传输特性; 分类号 TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文): 4; 作者冯文修田浦延陈蒲生刘剑; 机构华南理工大学应用物理系; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期13-17,共5页; 基金广东省自然科学基金资助项目! (95 0 186 )&&; 文摘用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加。; 关键词电子隧穿快速热氮化晶向硅超薄二氧化硅膜遂穿电流电流传输特性; Keywords electron tunneling rapid thermal nitridation ultrathin SiO 2 films oriented Si; 分类号 O484.3 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名对数IV转换器在局部探测显微镜中的应用被引量：1: 5; 作者李继红李自田; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期285-288,共4页; 文摘这里我们构建了一个准对数电流电压转换器，它测量的带宽范围超过２ｋＨｚ；并且允许的输入电流范围是１０ｐＡ到１０ｍＡ．此转换器用半导体二极管作为反馈支路的非线性元件，是建立在虚地设计模式基础上的．为了扩展此转换器的频带，加了额外的补偿回路．并且用多对二极管扩大了输入级的动态范围．这对于在扫描隧道显微镜的局部相互作用中的应用是非常合适的．; 关键词扫描隧道显微镜电流-电压传输特性超低漏二极管局部探测; Keywords scanning tunneling microscopy (STM) transfer characteristic of the current-voltage converter ultralow-leakage diodes; 分类号 TH742 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性	冯文修张恒陈蒲生田浦延	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用MgCl_2、NaCl、KCl和MgB_2O_4熔融混合物电解法合成MgB_2块材的电流传输特性		《稀有金属快报》 CSCD	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	（Pb0.5Cd0.5）（La2—xSrx）CuO5—δ的磁特性和电传输特性	汪京荣	《稀有金属快报》 CSCD	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)	冯文修田浦延陈蒲生刘剑	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	对数IV转换器在局部探测显微镜中的应用	李继红李自田	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料