美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)正在开发一项工艺,极有可能将晶体硅(c-Si)太阳能电池的转换效率提高2%之多。该学院的研究员采用了两种不同类型的化学刻蚀方法制作出微米级和纳米级的表面特征,增加了光吸收率,减...美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)正在开发一项工艺,极有可能将晶体硅(c-Si)太阳能电池的转换效率提高2%之多。该学院的研究员采用了两种不同类型的化学刻蚀方法制作出微米级和纳米级的表面特征,增加了光吸收率,减少了反射,使电池表面保持清洁。展开更多
