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电极表面光滑程度对水介质高电压击穿的影响
被引量：
4
1
作者
张自成
张建德
+1 位作者
杨建华
周相
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期463-465,共3页
采用水介质同轴实验装置,改变电极表面的光滑程度,在μs级充电时进行水介质击穿实验,并对实验结果进行了分析和解释.结果表明:抛光电极表面可有效提高水介质耐高电压击穿能力;表面粗糙度为0.4～0.8 μm的抛光电极表面的击穿场强比表面...
采用水介质同轴实验装置,改变电极表面的光滑程度,在μs级充电时进行水介质击穿实验,并对实验结果进行了分析和解释.结果表明:抛光电极表面可有效提高水介质耐高电压击穿能力;表面粗糙度为0.4～0.8 μm的抛光电极表面的击穿场强比表面粗糙度为1.6～3.2 μm的粗糙抛光电极表面,更符合Martin公式.电极表面光滑程度的改善,使阴极场致发射电流减弱进而击穿延迟时间变长,气泡也更难以附着在光滑的电极表面,从而可以提高水介质耐高电压击穿能力.
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关键词
水介质
高电压击穿
μs级充电
电极表面光滑程度
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职称材料
抛光电极表面对加压水介质耐压的影响
被引量：
2
2
作者
张自成
杨建华
+1 位作者
张建德
周相
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期52-54,共3页
改变加水介质同轴实验装置电极表面的光滑程度,进行了μs级充电下的击穿实验,实验结果表明:抛光电极表面后加压水介质击穿场强Eb与水静压P关系仍为Eb∝P1/8;与未抛光时相比,Eb提高了～20%;加压比抛光更能提高Eb;加压延长了击穿延迟时间...
改变加水介质同轴实验装置电极表面的光滑程度,进行了μs级充电下的击穿实验,实验结果表明:抛光电极表面后加压水介质击穿场强Eb与水静压P关系仍为Eb∝P1/8;与未抛光时相比,Eb提高了～20%;加压比抛光更能提高Eb;加压延长了击穿延迟时间而抛光减弱了场致发射电流,气泡也较难附着在电极表面。
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关键词
电极表面光滑程度
加压水介质
高电压击穿
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职称材料
题名
电极表面光滑程度对水介质高电压击穿的影响
被引量：
4
1
作者
张自成
张建德
杨建华
周相
机构
国防科学技术大学光电科学与工程学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期463-465,共3页
基金
国家863计划项目资助课题
文摘
采用水介质同轴实验装置,改变电极表面的光滑程度,在μs级充电时进行水介质击穿实验,并对实验结果进行了分析和解释.结果表明:抛光电极表面可有效提高水介质耐高电压击穿能力;表面粗糙度为0.4～0.8 μm的抛光电极表面的击穿场强比表面粗糙度为1.6～3.2 μm的粗糙抛光电极表面,更符合Martin公式.电极表面光滑程度的改善,使阴极场致发射电流减弱进而击穿延迟时间变长,气泡也更难以附着在光滑的电极表面,从而可以提高水介质耐高电压击穿能力.
关键词
水介质
高电压击穿
μs级充电
电极表面光滑程度
Keywords
Capacitors
Dielectric materials
Electrodes
Surface roughness
分类号
TL503 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
抛光电极表面对加压水介质耐压的影响
被引量：
2
2
作者
张自成
杨建华
张建德
周相
机构
国防科技大学光电科学与工程学院
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期52-54,共3页
文摘
改变加水介质同轴实验装置电极表面的光滑程度,进行了μs级充电下的击穿实验,实验结果表明:抛光电极表面后加压水介质击穿场强Eb与水静压P关系仍为Eb∝P1/8;与未抛光时相比,Eb提高了～20%;加压比抛光更能提高Eb;加压延长了击穿延迟时间而抛光减弱了场致发射电流,气泡也较难附着在电极表面。
关键词
电极表面光滑程度
加压水介质
高电压击穿
Keywords
polished surface of electrodes
high electrical breakdown
pressurized water dielectric
分类号
O462 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
电极表面光滑程度对水介质高电压击穿的影响
张自成
张建德
杨建华
周相
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
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职称材料
2
抛光电极表面对加压水介质耐压的影响
张自成
杨建华
张建德
周相
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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职称材料
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