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气敏元件电极引线Au-Pt合金材料 被引量:7
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作者 黄炳醒 刘诗春 +1 位作者 张国庆 张瑞华 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期12-17,共6页
分析Au - 2 3 5Pt合金的显微组织 ,考查其物理力学化学特性 ,与纯Pt丝比较 ,表明可取代纯Pt丝作气敏元件的电极引线 ,有良好效益。
关键词 电极引线 气体传感器 金铂合金 气敏元件
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痕量Al对Au-40 Pd-5 Mo合金结构与性能的影响 被引量:1
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作者 黄炳醒 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期6-11,共6页
研究了Au - 40Pd - 5Mo(Al)合金的制备工艺 ,以及痕量元素铝对合金组织结构与性能的影响 ,研制出应力校直装置 ,用于校直细线材 ,制备出了性能技术达标、平直度好的Au - 40Pd - 5Mo(Al)线材 ,并批量生产应用于制作气敏元件电极引线。
关键词 应力校直装置 电极引线 金合金 制备工艺
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CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计 被引量:1
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作者 王月 何常德 张文栋 《现代电子技术》 2021年第3期162-166,共5页
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用... CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用深硅刻蚀技术得到通孔,使用磁控溅射镀膜机在通孔内壁沉积金属,实现了任意尺寸硅通孔的快速金属互连。通过比较不同尺寸的通孔直径,实验分析确定380μm厚的硅片最优通孔直径为150μm,此孔径通孔垂直度高,通孔间的电阻均相对较小约为0.6~0.9Ω,通孔导通良好。同时,深硅刻蚀后的通孔都存在过刻现象,在过刻25μm以内,金属图形化时应该留有足够安全距离,为CMUT面阵换能器制备提供实践依据。 展开更多
关键词 CMUT面阵 电极引线 TSV技术 深硅刻蚀 磁控溅射 金属互连
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