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气敏元件电极引线Au-Pt合金材料
被引量:
7
1
作者
黄炳醒
刘诗春
+1 位作者
张国庆
张瑞华
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期12-17,共6页
分析Au - 2 3 5Pt合金的显微组织 ,考查其物理力学化学特性 ,与纯Pt丝比较 ,表明可取代纯Pt丝作气敏元件的电极引线 ,有良好效益。
关键词
电极引线
气体传感器
金铂合金
气敏元件
在线阅读
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职称材料
痕量Al对Au-40 Pd-5 Mo合金结构与性能的影响
被引量:
1
2
作者
黄炳醒
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期6-11,共6页
研究了Au - 40Pd - 5Mo(Al)合金的制备工艺 ,以及痕量元素铝对合金组织结构与性能的影响 ,研制出应力校直装置 ,用于校直细线材 ,制备出了性能技术达标、平直度好的Au - 40Pd - 5Mo(Al)线材 ,并批量生产应用于制作气敏元件电极引线。
关键词
铝
应力校直装置
电极引线
金合金
制备工艺
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职称材料
CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计
被引量:
1
3
作者
王月
何常德
张文栋
《现代电子技术》
2021年第3期162-166,共5页
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用...
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用深硅刻蚀技术得到通孔,使用磁控溅射镀膜机在通孔内壁沉积金属,实现了任意尺寸硅通孔的快速金属互连。通过比较不同尺寸的通孔直径,实验分析确定380μm厚的硅片最优通孔直径为150μm,此孔径通孔垂直度高,通孔间的电阻均相对较小约为0.6~0.9Ω,通孔导通良好。同时,深硅刻蚀后的通孔都存在过刻现象,在过刻25μm以内,金属图形化时应该留有足够安全距离,为CMUT面阵换能器制备提供实践依据。
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关键词
CMUT面阵
上
电极引线
TSV技术
深硅刻蚀
磁控溅射
金属互连
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职称材料
题名
气敏元件电极引线Au-Pt合金材料
被引量:
7
1
作者
黄炳醒
刘诗春
张国庆
张瑞华
机构
昆明贵金属研究所
出处
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期12-17,共6页
文摘
分析Au - 2 3 5Pt合金的显微组织 ,考查其物理力学化学特性 ,与纯Pt丝比较 ,表明可取代纯Pt丝作气敏元件的电极引线 ,有良好效益。
关键词
电极引线
气体传感器
金铂合金
气敏元件
Keywords
Au-Pt alloy,Electrode leader,Gas sensor
分类号
TP212.04 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
痕量Al对Au-40 Pd-5 Mo合金结构与性能的影响
被引量:
1
2
作者
黄炳醒
机构
昆明贵金属研究所
出处
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期6-11,共6页
文摘
研究了Au - 40Pd - 5Mo(Al)合金的制备工艺 ,以及痕量元素铝对合金组织结构与性能的影响 ,研制出应力校直装置 ,用于校直细线材 ,制备出了性能技术达标、平直度好的Au - 40Pd - 5Mo(Al)线材 ,并批量生产应用于制作气敏元件电极引线。
关键词
铝
应力校直装置
电极引线
金合金
制备工艺
Keywords
Au-40 Pd-5 Mo(Al) alloy
Trace additive element
Al
Stress straighting
Electrode leader
分类号
TG146.31 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计
被引量:
1
3
作者
王月
何常德
张文栋
机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《现代电子技术》
2021年第3期162-166,共5页
基金
国家重点研发计划:基于MEMS技术的阵列式微型声压传感器研制(2018YFF01010500)
国家杰出青年科学基金:微纳米传感器原理与集成(6142500192)。
文摘
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用深硅刻蚀技术得到通孔,使用磁控溅射镀膜机在通孔内壁沉积金属,实现了任意尺寸硅通孔的快速金属互连。通过比较不同尺寸的通孔直径,实验分析确定380μm厚的硅片最优通孔直径为150μm,此孔径通孔垂直度高,通孔间的电阻均相对较小约为0.6~0.9Ω,通孔导通良好。同时,深硅刻蚀后的通孔都存在过刻现象,在过刻25μm以内,金属图形化时应该留有足够安全距离,为CMUT面阵换能器制备提供实践依据。
关键词
CMUT面阵
上
电极引线
TSV技术
深硅刻蚀
磁控溅射
金属互连
Keywords
CMUT planar array
upper electrode lead wire
TSV technology
deep silicon etching
magnetron sputtering
metal interconnection
分类号
TN405.97-34 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
气敏元件电极引线Au-Pt合金材料
黄炳醒
刘诗春
张国庆
张瑞华
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2000
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
痕量Al对Au-40 Pd-5 Mo合金结构与性能的影响
黄炳醒
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计
王月
何常德
张文栋
《现代电子技术》
2021
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
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