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基于SiC MOSFET三电平Buck变换器电压尖峰抑制研究
被引量：
3
1
作者
于越
李蔚
+2 位作者
张泽
黄权威
彭霞
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023年第2期1-11,共11页
SiC MOSFET工作频率高,温度稳定性好,应用于三电平Buck变换器中可以减小系统损耗,提高系统效率,但SiC MOSFET的高频特性会使其开关过程中的电压尖峰更为严重。针对该问题,分析了三电平Buck电路SiC MOSFET开关过程及瞬态电压尖峰产生机理...
SiC MOSFET工作频率高,温度稳定性好,应用于三电平Buck变换器中可以减小系统损耗,提高系统效率,但SiC MOSFET的高频特性会使其开关过程中的电压尖峰更为严重。针对该问题,分析了三电平Buck电路SiC MOSFET开关过程及瞬态电压尖峰产生机理;在传统的充放电型RCD吸收电路的基础上加以优化改进,设计了一种低损耗型RCD吸收电路作为电压尖峰抑制方法。首先,对充放电型RCD吸收电路和改进后的低损耗型RCD吸收电路的工作原理及损耗进行对比分析;其次,搭建了三电平Buck变换器实验装置,对吸收电容和电阻进行参数设计;最后,通过实验验证了低损耗型RCD吸收电路的有效性、参数设计的合理性;结合理论分析和实验结果表明,相比于带充放电型RCD吸收电路,带低损耗型RCD吸收电路的三电平Buck变换器具有更低的损耗。
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关键词
SiC
MOSFET
三
电
平Buck变换器
电
路寄生参数
电
压尖峰抑制
低
损耗
型
RCD吸收
电
路
在线阅读
下载PDF
职称材料
雷达波吸收材料的研究进展
被引量：
11
2
作者
宫清
方正
张劲松
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2002年第11期45-47,共3页
根据雷达波吸收材料的吸波机理,对电损耗型、磁损耗型吸波材料及纳米吸收剂的发展现状做了详细综述,并对吸波材料的制备方法进行了概述。
关键词
雷达波吸收材料
研究进展
吸波材料
电损耗型
磁
损耗
型
纳米吸收剂
制备方法
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职称材料
题名
基于SiC MOSFET三电平Buck变换器电压尖峰抑制研究
被引量：
3
1
作者
于越
李蔚
张泽
黄权威
彭霞
机构
中南大学交通运输工程学院
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023年第2期1-11,共11页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB1200602-34)。
文摘
SiC MOSFET工作频率高,温度稳定性好,应用于三电平Buck变换器中可以减小系统损耗,提高系统效率,但SiC MOSFET的高频特性会使其开关过程中的电压尖峰更为严重。针对该问题,分析了三电平Buck电路SiC MOSFET开关过程及瞬态电压尖峰产生机理;在传统的充放电型RCD吸收电路的基础上加以优化改进,设计了一种低损耗型RCD吸收电路作为电压尖峰抑制方法。首先,对充放电型RCD吸收电路和改进后的低损耗型RCD吸收电路的工作原理及损耗进行对比分析;其次,搭建了三电平Buck变换器实验装置,对吸收电容和电阻进行参数设计;最后,通过实验验证了低损耗型RCD吸收电路的有效性、参数设计的合理性;结合理论分析和实验结果表明,相比于带充放电型RCD吸收电路,带低损耗型RCD吸收电路的三电平Buck变换器具有更低的损耗。
关键词
SiC
MOSFET
三
电
平Buck变换器
电
路寄生参数
电
压尖峰抑制
低
损耗
型
RCD吸收
电
路
Keywords
SiC MOSFET
three-level Buck converter
circuit parasitic parameter
voltage spike suppression
low-loss RCD snubber
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
雷达波吸收材料的研究进展
被引量：
11
2
作者
宫清
方正
张劲松
机构
中南大学化学化工学院
中国科学院金属研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2002年第11期45-47,共3页
基金
国防预研基金
文摘
根据雷达波吸收材料的吸波机理,对电损耗型、磁损耗型吸波材料及纳米吸收剂的发展现状做了详细综述,并对吸波材料的制备方法进行了概述。
关键词
雷达波吸收材料
研究进展
吸波材料
电损耗型
磁
损耗
型
纳米吸收剂
制备方法
Keywords
microwave absorbed materials,dielectric loss type,magnetic loss type,nano-absorbent,preparation method
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SiC MOSFET三电平Buck变换器电压尖峰抑制研究
于越
李蔚
张泽
黄权威
彭霞
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023
3
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职称材料
2
雷达波吸收材料的研究进展
宫清
方正
张劲松
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2002
11
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职称材料
已选择
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引证文献
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