等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料 被引量：5

1

作者 沈瑜生 张俊颖 相承宗 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第1期1-6,共6页

本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。

关键词 薄膜 TiO₂ 等离子体化学气相淀积 气敏元件

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等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

2

作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页

以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。

关键词 等离子体增强化学气相淀积 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜

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电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究

3

作者 杨定宇 蒋孟衡 贺德衍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期776-780,共5页

电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采... 电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采用多种结构分析手段对样品进行了测试,发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物,在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相,对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体化学气相淀积 SI薄膜 SiH4浓度 结晶相

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线形微波等离子体CVD金刚石薄膜沉积技术 被引量：6

4

作者 唐伟忠 蒋开云 +1 位作者 耿春雷 黑立富 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期251-254,共4页

本文将讨论一种新型的微波等离子体CVD设备———线形微波等离子体CVD设备和其在金刚石薄膜制备技术中的应用。利用Langmuir探针方法对线形微波等离子体CVD设备产生的H2等离子体进行的等离子体参数测量表明,在工频半波激励的条件下,H2... 本文将讨论一种新型的微波等离子体CVD设备———线形微波等离子体CVD设备和其在金刚石薄膜制备技术中的应用。利用Langmuir探针方法对线形微波等离子体CVD设备产生的H2等离子体进行的等离子体参数测量表明,在工频半波激励的条件下,H2等离子体的电子温度和等离子体密度分别约为6 eV和1×1010/cm3。尝试利用线形微波等离子体CVD设备,在直径为0.5 mm的小尺寸硬质合金微型钻头上进行了金刚石涂层的沉积,获得了质量良好的金刚石涂层。由于线形微波等离子体CVD设备产生的等离子体面积具有容易扩大的优点,因而在需要使用较大面积等离子体的场合,它将有着很好的应用前景。 展开更多

关键词 线形微波等离子体 化学气相淀积 金刚石薄膜

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基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究

5

作者 刘晶晶 姚尧 +3 位作者 朱月岭 戴伟 肖少庆 顾晓峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1197-1203,共7页

采用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICPCVD),以硅烷(SiH_4)和氢气(H_2)作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果... 采用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICPCVD),以硅烷(SiH_4)和氢气(H_2)作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果。并通过傅里叶红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)进一步表征薄膜的氢含量、微结构因子和表面形貌。结果表明,气压偏低或者偏高都会影响薄膜质量,生成多孔隙的薄膜,从而影响薄膜的钝化性能。最优沉积气压为65 Pa,并进一步优化少子寿命到445μs,复合速度减小到48 cm/s,隐开路电压接近700 m V。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 电感耦合等离子体化学气相沉积 微结构 表面钝化

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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 被引量：2

6

作者 丁士进 张庆全 +1 位作者 张卫 王季陶 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1169-1173,共5页

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明... 以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明薄膜中含有Ｓｉ－Ｆ、Ｓｉ－Ｏ、Ｃ－Ｆ、Ｃ－ＣＦｘ、ＣＦ2等构型．刚淀积的薄膜的折射率约为１．４０．对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量，并对其变化机理进行了讨论，同时表明了理想的淀积温度应是３００℃． 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 氟 碳 掺杂 氧化硅薄膜 X射线光电子能谱 FTIR 折射率

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氢气稀释比例对多晶硅薄膜微观结构和沉积特性的影响

7

作者 宋莎莎 左潇 +2 位作者 魏钰 陈龙威 舒兴胜 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期275-281,共7页

利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICP-PECVD)直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜,主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)表征了在不同氢气... 利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICP-PECVD)直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜,主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)表征了在不同氢气比例条件下所制备多晶硅薄膜的微结构、形貌,并对不同条件下样品的沉积速率进行了分析。实验结果表明:随着混合气体中硅烷比例的增加,薄膜的沉积速率不断增加;晶化率先增加,后减小;当硅烷含量为4.8%时,晶化率达到最大值67.3%。XRD和SEM结果显示多晶硅薄膜在普通玻璃衬底上呈柱状生长,且晶粒排列整齐、致密,这种结构可提高载流子的纵向迁移率,有利于制备高效多晶硅薄膜太阳能电池。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体 等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 氢气比例

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槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管

8

作者 杨涛 刘肃 +2 位作者 李思渊 王永顺 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期65-67,共3页

传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管... 传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。 展开更多

关键词 静电感应晶体管 V形槽 等离子体增强化学气相淀积 肖特基势垒

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低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征 被引量：5

9

作者 丁士进 王鹏飞 +2 位作者 张卫 王季陶 李伟 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期745-748,共4页

以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,... 以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,没有迹象表明C—H和O—H的存在。X射线光电子能谱进一步证明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为CF3 (8% )、CF2 (19% ) ,CF(2 6 7% )、C—CFn(4 2 5 % ) ,C—C(3 3% )和CO (0 5 % ) ,表明薄膜中大约 5 4%的碳原子与氟成键 ,大约 43%的碳原子不是与氟成键 ,而是与碳氟基团CFn 中的碳原子成键 ,毗连的两个碳原子上均没有氟参与成键的几率很小。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 非晶氟碳薄膜 傅里叶变换红外光谱 X射线光电子能谱 表征

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PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究 被引量：2

10

作者 郭辉 王煜 +3 位作者 张海霞 田大宇 张国炳 李志宏 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期346-348,共3页

运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂... 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护. 展开更多

关键词 微机电系统 碳化硅 等离子体增强化学气相淀积 薄膜 应力 离子注入 抗腐蚀

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PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究 被引量：3

11

作者 李伟东 吴学忠 李圣怡 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期396-398,共3页

通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用的工艺参数进行了总结.

关键词 氮化硅 薄膜 等离子体增强化学气相淀积(PECVD) 原子力显微镜(AFM) 台阶仪

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射频输入功率对类金刚石薄膜性能的影响 被引量：4

12

作者 齐海成 冯克成 杨思泽 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期41-43,60,共4页

为了得到类金刚石薄膜的性质和制备参数之间的对应关系,利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的(100)面上制备了类金刚石薄膜,反应气体是甲烷和氢气的混合气。研究了射频源的输入功率对类金刚石薄膜性能的影响。采用Raman光谱、X... 为了得到类金刚石薄膜的性质和制备参数之间的对应关系,利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的(100)面上制备了类金刚石薄膜,反应气体是甲烷和氢气的混合气。研究了射频源的输入功率对类金刚石薄膜性能的影响。采用Raman光谱、X射线光电子能谱、原子力显微镜和纳米压痕仪对薄膜的微观结构、表面形貌、硬度和弹性模量进行了研究,结果表明:制备的薄膜具有典型的不定型碳的结构特征、薄膜致密均匀,随着入射功率的提高,薄膜的sp3含量、硬度以及弹性模量先增加后减小,并且在100W时达到最大值,在400W时薄膜出现碳化。 展开更多

关键词 类金刚石 射频等离子体 化学气相淀积 X射线光电子能谱

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低温多晶硅薄膜的制备评述 被引量：3

13

作者 杨定宇 蒋孟衡 杨军 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期298-301,共4页

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以... 低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。 展开更多

关键词 低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积

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ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究 被引量：1

14

作者 岳瑞峰 曾雪锋 +2 位作者 吴建刚 康明 刘理天 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期168-171,共4页

在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为40... 在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。 展开更多

关键词 碳氟聚合物薄膜 疏水性 感应耦合等离子体化学气相淀积 化学键结构

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集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究 被引量：2

15

作者 吴子景 吴晓京 +1 位作者 SHEN Wei-dian 蒋宾 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1345-1349,共5页

利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Ph... 利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Pharr方法.在测量两种薄膜的硬度时没有发现压痕尺寸效应.SiO2薄膜的弹性模量与压入深度的依赖关系不明显,但与薄膜厚度的依赖关系较明显,薄膜厚度的增加将导致弹性模量显著减小,而Si3N4的弹性模量与薄膜厚度的依赖关系不明显,但与压入深度的依赖关系较明显,会随着压入深度的增加而逐渐增加到某一定值. 展开更多

关键词 薄膜 等离子体增强化学气相淀积 二氧化硅 氮化硅 纳米硬度 弹性模量

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富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性 被引量：1

16

作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 田小峰 刘小阳 曾绍鸿 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期31-34,共4页

通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱... 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 . 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 俄歇电子能谱 红外光谱 电学参数 富氮SIOXNY膜 抗电子注入能力

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纳米硅薄膜的特点及其制备技术 被引量：2

17

作者 林鸿溢 武旭辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期54-56,共3页

作为一项新的半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。

关键词 半导体薄膜 纳米硅薄膜 等离子体增强化学气相淀积

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ICPECVD法制备氧化硅薄膜的工艺研究

18

作者 刘雨涛 梁庭 +3 位作者 王心心 王涛龙 张瑞 熊继军 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第4期13-14,39,共3页

以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:... 以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:反应室压强和射频功率对淀积速率的影响具有高度显著性,各参数对刻蚀速率的影响程度依次为反应室压强>射频功率>衬底温度,并讨论了所选参数对淀积速率的影响机理。 展开更多

关键词 等离子体增强型化学气相淀积 氧化硅薄膜 正交试验 淀积速率

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RF-PECVD掺溴非晶碳氢膜的Raman光谱分析

19

作者 冯建鸿 卢铁城 +1 位作者 吴卫东 贾鹏 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3309-3311,共3页

在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作... 在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作压力从20Pa下降至5Pa,样品D峰强度增强,ID/IG值逐步由1.18增加至1.36,G峰的位置向高频轻微移动;与此同时,薄膜生长方式逐步转为低能态形式生长,薄膜中sp2C逐步由链式结构向环式结构转化。 展开更多

关键词 拉曼光谱 射频等离子体化学气相淀积方法 掺溴非晶碳氢薄膜 SP2

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低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术

20

作者 王鹏程 成立 +2 位作者 吴衍 杨宁 王改 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期150-153,165,共5页

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可... 为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。 展开更多

关键词 残余应力 等离子体增强化学气相淀积 晶圆级薄膜封装技术 绝缘膜上硅 微电子机械系统

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