等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

1

作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页

以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。

关键词 等离子体增强化学气相淀积 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜

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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 被引量：3

2

《中国集成电路》 2007年第2期65-67,61,共4页

随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制... 随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充，以提供充分有效的隔离保护，包括浅槽隔离（Shallow—Trench—Isolation），金属前绝缘层（Pre—Met—al—Dielectric），金属层间绝缘层（Inter—Metal—Dielec—tric）等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD）工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0．25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 展开更多

关键词 等离子体化学气相淀积 制造工艺 高密度 超大规模集成电路 Metal 半导体技术 晶体管数量 半导体器件

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电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究

3

作者 杨定宇 蒋孟衡 贺德衍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期776-780,共5页

电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采... 电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采用多种结构分析手段对样品进行了测试,发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物,在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相,对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体化学气相淀积 SI薄膜 SiH4浓度 结晶相

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激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究

4

作者 张贵银 荆一东 《四川工业学院学报》 2001年第4期66-67,共2页

用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响 。

关键词 激光诱导等离子体化学气相淀积 薄膜面积 淀积速率 薄膜 制备

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RF化学气相淀积金刚石薄膜

5

作者 章彬 黄庆安 +1 位作者 郑其经 秦明 《电子器件》 CAS 1998年第2期74-83,共10页

本文论述了金刚石薄膜的优点，比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点，主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。

关键词 金刚石 等离子体 化学气相淀积 半导体薄膜技术

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感应耦合化学气相沉积高速制备微晶硅薄膜

6

作者 陈玖香 王伟仲 +1 位作者 程志贤 陈强 《北京印刷学院学报》 2013年第2期63-65,69,共4页

采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜,使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度(Ni)可以达到1011-1012cm-3,而电子温度(Te)约在2eV,且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃... 采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜,使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度(Ni)可以达到1011-1012cm-3,而电子温度(Te)约在2eV,且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃衬底上,研究了功率和气压对其结构和性能的影响。通过在一定SiH4∶B2H6∶H2流量比例下优化工艺参数,结果能在高沉积速率1nm/s的条件下制备高品质微晶硅薄膜。 展开更多

关键词 电感耦合化学气相沉积 等离子体参数 微晶硅薄膜 沉积速率

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应用材料公司推出先进化学气相淀积薄膜技术

7

《中国集成电路》 2012年第4期5-6,共2页

在日前举办的SEMICONChina上，应用材料公司向业界展示了全新等离子体增强化学气相淀积（PECVD）薄膜技术，用于制造适用于下一代平板电脑和电视的更高性能高分辨率显示。这些源自应用材料公司业界领先的AKT—PECVD系统的先进绝缘薄膜... 在日前举办的SEMICONChina上，应用材料公司向业界展示了全新等离子体增强化学气相淀积（PECVD）薄膜技术，用于制造适用于下一代平板电脑和电视的更高性能高分辨率显示。这些源自应用材料公司业界领先的AKT—PECVD系统的先进绝缘薄膜，使得基于金属氧化物的晶体管的应用成为可能，制造出尺寸更小、开关速度更快的像素，从而帮助客户推出更受消费者欢迎的高分辨率显示屏。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 应用材料公司 薄膜技术 高分辨率 PECVD 金属氧化物 平板电脑 绝缘薄膜

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HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究 被引量：1

8

作者 王鹏 卜皎 +5 位作者 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲 《电子器件》 CAS 2009年第3期526-528,共3页

高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束... 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性。通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善。 展开更多

关键词 等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导

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气相沉积表面强化技术的新进展 被引量：4

9

作者 闻立时 《材料保护》 CAS 1987年第1期4-7,共4页

一、前言材料的磨损、腐蚀及其它环境损伤是机械工业面临的基本问题之一.解决这个问题的有效途径是通过各种表面处理技术来强化材料的表面.近年来,各种离子和等离子体增强的气相沉积技术发展十分迅速,經济效益极为显著.其最突出的例子... 一、前言材料的磨损、腐蚀及其它环境损伤是机械工业面临的基本问题之一.解决这个问题的有效途径是通过各种表面处理技术来强化材料的表面.近年来,各种离子和等离子体增强的气相沉积技术发展十分迅速,經济效益极为显著.其最突出的例子是氮化钛镀层在高速钢刀具上的应用,能够提高寿命几倍至几十倍.被誉为'刀具革命'.其实,气相沉积技术除用于耐磨损和抗腐蚀外,还有光学膜、装饰膜、敏感元件和功能器件、集成电路、高分子材料聚合和改性、复合材料等.本文以机械工业材料表面强化为中心,分析离子增强气相沉积技术的现状及其应用前景. 二、气相沉积的基本原理和类型表面强化是運用各种技术改变材料表面的化学组成、相结构、显微组织和应力状态,以提高材料抗御环境破坏作用的能力.这些表面技术。 展开更多

关键词 表面强化 等离子体 合金镀层 基材 硬质合金 气相沉积 气相淀积 离子镀 化学镀 热腐蚀 热障涂层 刀具寿命

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石英玻璃材料制备用等离子炬研究进展

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作者 刘佳铭 刘波 +3 位作者 马相国 王蕾 宋学富 孙元成 《中国建材科技》 2024年第6期58-64,共7页

高频等离子体化学气相沉积制备石英玻璃的过程中,电感耦合等离子炬的结构设计会影响等离子体火焰的气流场和温度场分布,从而影响高纯石英玻璃的物理性能和折射率均匀性等特性,因此等离子炬的合理设计及稳定性对于提高石英玻璃的产品质... 高频等离子体化学气相沉积制备石英玻璃的过程中,电感耦合等离子炬的结构设计会影响等离子体火焰的气流场和温度场分布,从而影响高纯石英玻璃的物理性能和折射率均匀性等特性,因此等离子炬的合理设计及稳定性对于提高石英玻璃的产品质量具有重要作用。本文介绍了高频等离子体化学气相沉积制备石英玻璃的工艺,调研了国内外关于电感耦合等离子炬的研究现状,比较和分析了电感耦合等离子炬结构设计、数值模拟计算等方面的研究进展。 展开更多

关键词 石英玻璃 等离子体化学气相沉积 电感耦合 等离子炬

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氢气稀释比例对多晶硅薄膜微观结构和沉积特性的影响

11

作者 宋莎莎 左潇 +2 位作者 魏钰 陈龙威 舒兴胜 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期275-281,共7页

利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICP-PECVD)直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜,主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)表征了在不同氢气... 利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICP-PECVD)直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜,主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)表征了在不同氢气比例条件下所制备多晶硅薄膜的微结构、形貌,并对不同条件下样品的沉积速率进行了分析。实验结果表明:随着混合气体中硅烷比例的增加,薄膜的沉积速率不断增加;晶化率先增加,后减小;当硅烷含量为4.8%时,晶化率达到最大值67.3%。XRD和SEM结果显示多晶硅薄膜在普通玻璃衬底上呈柱状生长,且晶粒排列整齐、致密,这种结构可提高载流子的纵向迁移率,有利于制备高效多晶硅薄膜太阳能电池。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体 等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 氢气比例

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槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管

12

作者 杨涛 刘肃 +2 位作者 李思渊 王永顺 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期65-67,共3页

传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管... 传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。 展开更多

关键词 静电感应晶体管 V形槽 等离子体增强化学气相淀积 肖特基势垒

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ICPECVD法低温制备氧化硅薄膜的致密性 被引量：2

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作者 刘雨涛 梁庭 +3 位作者 张瑞 王涛龙 王心心 熊继军 《微纳电子技术》 北大核心 2015年第12期761-764,785,共5页

以SiH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积（ICPECVD）技术在100~200℃内制备了氧化硅薄膜,采用HF酸腐蚀速率法来表征其致密性,并通过正交试验设计的方法研究了射频功率、反应室压强和衬底温度三个关键工艺参... 以SiH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积（ICPECVD）技术在100~200℃内制备了氧化硅薄膜,采用HF酸腐蚀速率法来表征其致密性,并通过正交试验设计的方法研究了射频功率、反应室压强和衬底温度三个关键工艺参数对氧化硅薄膜致密性的影响,并对结果进行了优化。实验数据的方差分析结果表明,影响氧化硅致密性的工艺参数主次顺序为衬底温度、射频功率和反应室压强,并得到了各因素对氧化硅致密性的影响趋势,同时讨论了其影响机理。最后得出了制备氧化硅薄膜的最优化工艺参数组合。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 氧化硅薄膜 正交试验 低温 致密性

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宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究 被引量：7

14

作者 孙建海 崔大付 +1 位作者 苏波 王海宁 《微纳电子技术》 CAS 2004年第9期37-40,48,共5页

根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提... 根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提供了有意义的探讨。 展开更多

关键词 宽带RF-MEMS开关 驱动电压 高密度感应耦合等离子体化学汽相淀积 二氟化氙(XeF2)干法刻蚀

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低温多晶硅薄膜的制备评述 被引量：3

15

作者 杨定宇 蒋孟衡 杨军 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期298-301,共4页

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以... 低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。 展开更多

关键词 低温多晶硅薄膜 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 电感耦合等离子体化学气相沉积

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集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究 被引量：2

16

作者 吴子景 吴晓京 +1 位作者 SHEN Wei-dian 蒋宾 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1345-1349,共5页

利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Ph... 利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Pharr方法.在测量两种薄膜的硬度时没有发现压痕尺寸效应.SiO2薄膜的弹性模量与压入深度的依赖关系不明显,但与薄膜厚度的依赖关系较明显,薄膜厚度的增加将导致弹性模量显著减小,而Si3N4的弹性模量与薄膜厚度的依赖关系不明显,但与压入深度的依赖关系较明显,会随着压入深度的增加而逐渐增加到某一定值. 展开更多

关键词 薄膜 等离子体增强化学气相淀积 二氧化硅 氮化硅 纳米硬度 弹性模量

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PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱的物理模型 被引量：1

17

作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 章晓文 刘小阳 曾绍鸿 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期458-462,共5页

采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长 ,界面上产生的这种陷阱将起主导作... 采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长 ,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到 Dit随雪崩热电子注入剂量增加而增大 ,禁带上半部 Dit的增大较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在 Si Ox Ny 界面上产生两种性质不同的电子陷阱 ,并给出它们能级位置及密度大小关系。揭示出 PECVD法形成的这种纳米膜与快速热氮化制备的薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化不一样 ,并从薄膜氮化机制予以物理解析。给出了 PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件 。 展开更多

关键词 界面陷阱 物理模型 雪崩 热电子注入 等离子体增强化学气相淀积 薄膜

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富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性 被引量：1

18

作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 田小峰 刘小阳 曾绍鸿 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期31-34,共4页

通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱... 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 . 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 俄歇电子能谱 红外光谱 电学参数 富氮SIOXNY膜 抗电子注入能力

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纳米硅薄膜的特点及其制备技术 被引量：2

19

作者 林鸿溢 武旭辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期54-56,共3页

作为一项新的半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。

关键词 半导体薄膜 纳米硅薄膜 等离子体增强化学气相淀积

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多晶硅太阳电池PECVD氮化硅钝化工艺的研究 被引量：13

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作者 李军阳 陈特超 禹庆荣 《电子工业专用设备》 2008年第10期46-48,共3页

介绍等离子体化学气相淀积(PECVD)制备减反射钝化膜。将PECVD设备运用于太阳电池生产线上,发现通过PECVD设备可以对多晶硅太阳电池有很好的钝化效果。分析PECVD对多晶硅太阳电池钝化机理。

关键词 PECVD 钝化 氮化硅 等离子体增强化学气相淀积 太阳电池 多晶硅

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