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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
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作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面
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铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究
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作者 宋琳 周燕萍 +2 位作者 左超 上村隆一郎 杨秉君 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期264-268,274,共6页
铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了... 铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了电感耦合等离子体源功率、射频偏压功率、气体流量比例、工艺气压以及基板温度对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。得到刻蚀速率为159.7 nm/min,侧壁角度为63°,片内刻蚀速率均匀性(152.4 mm、5个点、边缘去边5 mm)为±1.75%,关键尺寸损失量小于1%的刻蚀结果。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(icp) 铂(Pt)电极 刻蚀速率 刻蚀形貌 均匀性
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基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜
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作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页
在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多
关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(icp) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率
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电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究 被引量:5
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作者 朱炳金 张国栋 张向锋 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第8期467-470,共4页
随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展,焦平面阵列规模不断增大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点,导致像元的钻蚀严重,已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求。采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb阵列芯片,... 随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展,焦平面阵列规模不断增大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点,导致像元的钻蚀严重,已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求。采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb阵列芯片,研究不同腔体压力对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。 展开更多
关键词 InSb焦平面阵列 各向同性 表面形貌 电感耦合等离子体(icp)
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电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)同时测定水中多种元素 被引量:20
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作者 闵广全 邵文军 +1 位作者 王瑞敏 徐艳秋 《饮料工业》 2006年第8期31-33,共3页
采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对水中微量元素Li、Be、Al、V、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、As、Mo、Ag、Cd、Ba、Hg、Pb进行分析,通过在线加入内标校正基体效应和接口效应,通过修正方程校正质量数干扰,测定元素校正曲线相关系数都在0.999... 采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对水中微量元素Li、Be、Al、V、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、As、Mo、Ag、Cd、Ba、Hg、Pb进行分析,通过在线加入内标校正基体效应和接口效应,通过修正方程校正质量数干扰,测定元素校正曲线相关系数都在0.9995以上,各元素检出限在0.01~4.12ug·L-1,RSD%<10(n=10)加标回收率在91.2% ̄118.3%,。 展开更多
关键词 icp—MS 微量元素 电感耦合等离子体质谱法
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电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)测定铀矿石中微量钪、硒、铼 被引量:8
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作者 杨金辉 杨江柳 +2 位作者 胡鄂明 邓喆 柳建祥 《南华大学学报(自然科学版)》 2004年第4期83-85,共3页
用HF-HNO3-HClO4溶解样品,在0.6mol L盐酸介质中,用ICP-AES法对铀矿石中钪(Sc)、硒(Se)、铼(Re)进行了测定.测得各元素的测定下限分别为:Sc0.03μg mL、Se0.03μg mL、Re0.016μg mL.低、中、高3种浓度的平均标准加入回收率为96%~106%... 用HF-HNO3-HClO4溶解样品,在0.6mol L盐酸介质中,用ICP-AES法对铀矿石中钪(Sc)、硒(Se)、铼(Re)进行了测定.测得各元素的测定下限分别为:Sc0.03μg mL、Se0.03μg mL、Re0.016μg mL.低、中、高3种浓度的平均标准加入回收率为96%~106%,相对标准偏差小于8%. 展开更多
关键词 铀矿石 微量元素 icp—AES 电感耦合等离子体发射光谱法
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电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定饮用天然矿泉水中微量钼 被引量:1
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作者 杨威 刘晶晶 +2 位作者 张激光 卢思桥 邵文军 《饮料工业》 2010年第4期34-35,43,共3页
应用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)直接测定饮用天然矿泉水中微量钼,具有干扰少、谱线相对简单、检出限低、动态线性范围宽、测定快速的特点。方法加标回收率在94.5%~110%之间,检出限为0.007μg/L,相对标准偏差小于3.8%,适用于饮用... 应用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)直接测定饮用天然矿泉水中微量钼,具有干扰少、谱线相对简单、检出限低、动态线性范围宽、测定快速的特点。方法加标回收率在94.5%~110%之间,检出限为0.007μg/L,相对标准偏差小于3.8%,适用于饮用天然矿泉水中微量钼的测定。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体质谱法(icp—MS) 饮用天然矿泉水
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InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究
8
作者 徐淑丽 张国栋 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第3期151-154,共4页
随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀... 随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。 展开更多
关键词 干法刻蚀 电感耦合等离子体(icp) INSB 刻蚀速率
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GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析 被引量:1
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作者 滕龙 于治国 +7 位作者 杨濛 张荣 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 郑有炓 施毅 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第3期181-186,共6页
通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进... 通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(>450 W)和低DC偏压(<300 V)进行ICP刻蚀。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 损伤 功率 DC偏压
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工艺参数对电感耦合等离子体刻蚀ZnS速率及表面粗糙度的影响 被引量:4
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作者 邢静 蔡长龙 《西安工业大学学报》 CAS 2013年第2期103-107,共5页
为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时... 为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时,ZnS刻蚀速率为18.5nm/min,表面粗糙度Ra小于6.3nm,刻蚀后表面沉积物相对较少;Ar含量变化对刻蚀速率和表面粗糙度影响较大.给出了刻蚀速率和表面粗糙度随气体总流量、Ar含量、偏压功率和射频功率的变化趋势. 展开更多
关键词 电感耦合等离子体 反应离子刻蚀 ZnS刻蚀机理 刻蚀速率 粗糙度
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基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究
11
作者 王琪 张金龙 +1 位作者 王立军 刘云 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1276-1280,共5页
研究了基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统的InP基半导体材料的干法刻蚀。采用Cl2/Ar/H2混合刻蚀气体,分别研究了氯气体积分数和ICP功率与刻蚀速率之间的关系,及镍、二氧化硅和二者结合型掩膜版的适用范围。获得有效的刻蚀速率为450~1 ... 研究了基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统的InP基半导体材料的干法刻蚀。采用Cl2/Ar/H2混合刻蚀气体,分别研究了氯气体积分数和ICP功率与刻蚀速率之间的关系,及镍、二氧化硅和二者结合型掩膜版的适用范围。获得有效的刻蚀速率为450~1 200 nm/min,InP对金属镍的选择性刻蚀比值为175~190。掩膜版的选择与制备方法适用于基于ICP系统的任何半导体材料的干法刻蚀工艺。 展开更多
关键词 固体掩膜版 电感耦合等离子体 INP 干法刻蚀
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微波消解-电感耦合等离子体质谱测定食品中硒的含量 被引量:17
12
作者 于振花 荆淼 +1 位作者 黄彦良 王小如 《食品研究与开发》 CAS 北大核心 2009年第10期100-103,共4页
建立微波消解-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)测定食品中硒元素的方法,样品经微波消解后,采用Re元素为内标,用电感耦合等离子质谱测定样品硒元素的含量。用该方法对国家标准物质灌木枝叶(GBW603)和对虾(GBW08572)及国际标准物质角鲨肉(DO... 建立微波消解-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)测定食品中硒元素的方法,样品经微波消解后,采用Re元素为内标,用电感耦合等离子质谱测定样品硒元素的含量。用该方法对国家标准物质灌木枝叶(GBW603)和对虾(GBW08572)及国际标准物质角鲨肉(DORM-2)和龙虾肝胰脏(TORT-2)进行分析,所得结果与其参考值吻合较好,硒元素的检出限为0.18μg/L,3次测定的RSD<5%。将海带、豆芽、大蒜、洋葱在硒的溶液中培养一段时间,测定培养前后硒的变化,发现这些植物对硒均有富集作用。对市场上的一些富硒产品进行硒含量的检测,发现鸡蛋清中的硒含量为10.4mg/kg,高于鸡蛋黄中硒的含量7.4mg/kg。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体质谱(icp—MS) 食品
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基于电感耦合等离子体刻蚀的LNOI脊形微结构制备
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作者 吴玉航 杨忠华 +4 位作者 孟雪飞 宋泽乾 刘文 罗文博 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第2期239-242,共4页
铌酸锂(LiNbO 3,LN)是一种广泛使用的介电材料,由于其电光系数大,透明范围大,本征带宽宽,因而在集成和非线性光学器件中极为重要。但绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)的化学稳定性好,刻蚀速率慢,其微结构参数难以控制。针对以上问题,该文开展... 铌酸锂(LiNbO 3,LN)是一种广泛使用的介电材料,由于其电光系数大,透明范围大,本征带宽宽,因而在集成和非线性光学器件中极为重要。但绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)的化学稳定性好,刻蚀速率慢,其微结构参数难以控制。针对以上问题,该文开展了基于电感耦合等离子体刻蚀(ICP-RIE)的LNOI脊形微结构的制备工艺研究,分析了腔室压强、气体总流量及刻蚀功率等参数对刻蚀速率、刻蚀倾角和表面粗糙度(RMS)的影响。研究表明,在优化的工艺条件下,LNOI薄膜的刻蚀速率达到24.9 nm/min,制备出刻蚀深度249 nm、刻蚀倾角76°、表面粗糙度(RMS)0.716 nm的LNOI脊形微结构。该文通过对刻蚀工艺与微观结构参数的研究,建立了基于ICP的LNOI微结构刻蚀方法,为控制LNOI脊形光波导和提升性能提供了工艺支撑。 展开更多
关键词 绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI) 集成光子学 脊形结构 电感耦合等离子体刻蚀 微结构参数
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电感耦合等离子体原子发射光谱法测定食品中硼的方法研究 被引量:12
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作者 魏玉芝 周伟 +1 位作者 李文婧 刘立 《食品与发酵工业》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期130-133,共4页
研究了HNO3-H2O2消化体系在高压釜中消解样品,电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP—AES)测定食品中硼的方法,对该方法的样品处理、干扰因素、测试条件和方法学指标进行了重点研究和检定,并测定了食品中硼含量。其线性范围0~5μg... 研究了HNO3-H2O2消化体系在高压釜中消解样品,电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP—AES)测定食品中硼的方法,对该方法的样品处理、干扰因素、测试条件和方法学指标进行了重点研究和检定,并测定了食品中硼含量。其线性范围0~5μg/mL,回收率97.3%~100.0%,精密度(RSD)〈3%,样品最低检出浓度0.25mg/kg,灵敏度、精密度和准确度均符合要求,方法简便、快速。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体原子发射光谱仪(icp—AES) 食品 高压釜
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多接收电感耦合等离子体质谱法对铀同位素丰度的测定 被引量:5
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作者 李力力 李金英 +2 位作者 赵永刚 刘峻岭 张继龙 《核化学与放射化学》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期152-156,共5页
为了对环境监测提供有效、可靠的手段,在多接收电感耦合等离子体质谱(MC-ICP-MS)上建立了铀同位素丰度的分析方法。对影响仪器灵敏度的因素进行了初步探索,对标准物质GBW 04227和3个同位素丰度不同的样品中铀的各种同位素组分比值进行... 为了对环境监测提供有效、可靠的手段,在多接收电感耦合等离子体质谱(MC-ICP-MS)上建立了铀同位素丰度的分析方法。对影响仪器灵敏度的因素进行了初步探索,对标准物质GBW 04227和3个同位素丰度不同的样品中铀的各种同位素组分比值进行了测量,评价了测定结果的不确定度。结果表明,对丰度为3%、质量分数为2×10-7的235U溶液,R(235U/238U)丰度比的相对实验标准偏差优于0.02%,R(236U/238U)丰度比的相对实验标准偏差优于0.2%。 展开更多
关键词 同位素丰度比 多接收电感耦合等离子体质谱(MC—icp—MS) 不确定度
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电感耦合等离子体刻蚀反应烧结碳化硅工艺研究
16
作者 赵杨勇 刘卫国 惠迎雪 《西安工业大学学报》 CAS 2018年第2期154-160,共7页
为获得超光滑的反应烧结碳化硅(RB-Si C)材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对RB-Si C进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体(CF_4/O_2)流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程... 为获得超光滑的反应烧结碳化硅(RB-Si C)材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对RB-Si C进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体(CF_4/O_2)流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度.分析了偏压功率这一单因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响规律.结果表明:偏压功率对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度最大,其次为射频功率,刻蚀气体(CF_4/O_2)流量比对刻蚀速率和表面粗糙度的影响最小;刻蚀最优射频功率为150 W,最优偏压功率为50 W,最优CF_4/O_2流量比为25∶5,最优工作压强为1 Pa. 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 电感耦合等离子体 刻蚀速率 表面粗糙度
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电感耦合等离子体质谱法分析粉煤灰漂珠中的微量元素 被引量:2
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作者 周连文 吕元琦 +3 位作者 金锋 李新民 华玉山 盛勇 《化学分析计量》 CAS 2006年第4期37-39,共3页
建立了一种电感耦合等离子体质谱法测定粉煤灰漂珠中微量元素的方法,检出限为0.002~0.01ng/mL.相对标准偏差为1.4%.2、5%(n=10)。用该方法分析了标准物质(GBW07103)和德州、衡水的粉煤灰漂珠样品中的微量元素,标准物质分... 建立了一种电感耦合等离子体质谱法测定粉煤灰漂珠中微量元素的方法,检出限为0.002~0.01ng/mL.相对标准偏差为1.4%.2、5%(n=10)。用该方法分析了标准物质(GBW07103)和德州、衡水的粉煤灰漂珠样品中的微量元素,标准物质分析结果与参考值一致,实际样品加标回收率为87.9%~105.6%。 展开更多
关键词 粉煤灰漂珠 电感耦合等离子体质谱(icp—MS) 压力密闭消解
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电感耦合等离子体刻蚀GaN材料的工艺研究 被引量:2
18
作者 任远 刘晓燕 +2 位作者 刘久澄 刘宁炀 陈志涛 《材料研究与应用》 CAS 2016年第3期214-218,232,共6页
为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体(ICP)方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数,对ICP刻蚀GaN材料的速率、GaN与光刻胶选择比及直流偏压的... 为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体(ICP)方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数,对ICP刻蚀GaN材料的速率、GaN与光刻胶选择比及直流偏压的变化做了系统地研究,得到了台面刻蚀的最优参数.使用光刻胶作为掩模刻蚀了1.837μm深度的GaN材料样品,表面的光刻胶平整光滑;刻蚀台阶整齐连续,刻蚀倾角控制在75°以内. 展开更多
关键词 电感耦合等离子体刻蚀 GAN 刻蚀速率 选择比 直流偏压
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微波消解-电感耦合等离子体质谱法同时测定土壤样品中八种重金属元素 被引量:33
19
作者 林松 《福建分析测试》 CAS 2008年第3期21-23,共3页
本文以Ge、In、Re内标校正体系,采用微波消解-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)对土壤样品中砷、铅、铜、锌、镉、铬、汞、镍八种重金属元素进行同时测定,通过加标回收试验,建立了土壤样品中砷、铅、铜、锌、镉、铬、汞、镍八种重金属元素I... 本文以Ge、In、Re内标校正体系,采用微波消解-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)对土壤样品中砷、铅、铜、锌、镉、铬、汞、镍八种重金属元素进行同时测定,通过加标回收试验,建立了土壤样品中砷、铅、铜、锌、镉、铬、汞、镍八种重金属元素ICP-MS分析方法,各元素检出限均小于1.0ng/mL,测定8种元素的相对标准偏差均小于10%,各元素的加标回收率在86.3%~101.0%。实验表明:该法操作简单、快速,灵敏度高,重现性好,而且能够对八种重金属元素进行同时测定,大大提高了检测效率。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体质谱(icp—MS) 重金属元素 土壤 微波消解
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微波消解—电感耦合等离子体质谱法检测虾中镉含量的工艺优化 被引量:1
20
作者 李倩云 周国燕 曹蕾 《食品与机械》 CSCD 北大核心 2016年第5期63-66,共4页
通过研究过氧化氢量、硝酸量、微波消解时间对虾中镉提取量的影响,优化虾中镉的提取条件。结果表明:在过氧化氢1.5mL、硝酸6mL、微波消解时间17min的条件下,虾中镉的提取量可达到0.043mg/kg。方法检出限为0.01μg/kg,RSD(n=6)小于5%。... 通过研究过氧化氢量、硝酸量、微波消解时间对虾中镉提取量的影响,优化虾中镉的提取条件。结果表明:在过氧化氢1.5mL、硝酸6mL、微波消解时间17min的条件下,虾中镉的提取量可达到0.043mg/kg。方法检出限为0.01μg/kg,RSD(n=6)小于5%。利用优化后条件对国家标准物质GBW10050(大虾)进行检测验证,结果与标准值基本一致。该方法能够简单、快速、灵敏和准确地检测虾中的重金属镉元素。 展开更多
关键词 微波消解 电感耦合等离子体质谱法(icp—MS)
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