电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析 被引量：3

1

作者 唐长文 何捷 +2 位作者 菅洪彦 张海青 闵昊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1467-1472,共6页

本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐... 本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm2P4MCMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性. 展开更多

关键词 MOS管可变电容 电感电容回路 压控振荡器 累积型MOS管 振荡调谐曲线

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一种1.84GHz低噪声电容电感压控振荡器 被引量：1

2

作者 张为 张旭 刘洋 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1461-1464,1491,共5页

研究在不影响功耗特性的情况下,改善电感电容压控振荡器(LCVCO)相位噪声特性的方法.在传统LCVCO结构基础上,增加PMOS尾电流源,并采用LC回路滤除二次谐波;使用开关电容阵列进行多带调谐,减小压控振荡器(VCO)增益,即控制电压对输出的扰动... 研究在不影响功耗特性的情况下,改善电感电容压控振荡器(LCVCO)相位噪声特性的方法.在传统LCVCO结构基础上,增加PMOS尾电流源,并采用LC回路滤除二次谐波;使用开关电容阵列进行多带调谐,减小压控振荡器(VCO)增益,即控制电压对输出的扰动.基于Chartered 0.18μm RF CMOS工艺设计流片,测试结果表明,1.84 GHzLCVCO的功耗为16.6 mW,在100 kHz和1 MHz频偏处相位噪声分别为-105 dB/Hz和-123 dB/Hz. 展开更多

关键词 电容电感压控振荡器 低相位噪声 尾电流源 二次谐波滤波

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低调谐增益变化的10 GHz电感电容式压控振荡器设计 被引量：4

3

作者 齐晓斐 于杰 +3 位作者 孙旭涛 高铭阳 张志勇 赵武 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期54-60,共7页

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线通信和雷达系统的低变化调谐增益的电感电容式压控振荡器。该电路包括分布式偏置可变电容阵列和开关电容阵列,合理选择偏置电压扩展电容-电压曲线覆盖范围,在整个调谐电压范围内,可有效降低... 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线通信和雷达系统的低变化调谐增益的电感电容式压控振荡器。该电路包括分布式偏置可变电容阵列和开关电容阵列,合理选择偏置电压扩展电容-电压曲线覆盖范围,在整个调谐电压范围内,可有效降低调谐增益。三位开关电容阵列将整个可调频率范围分为8个子频带,通过控制可变电容实现子频带内频率的调谐范围。同时采用开关可变电容阵列,有效抑制了电感电容式压控振荡器调谐增益的变化。基于1P6M 0.18μm工艺模型的后仿真结果显示该10 GHz压控振荡器调谐增益变化率表现优异,低至21.5%,调谐频率范围为9.13~11.15 GHz,同时该压控振荡器能够实现较低的直流功耗9 mW(1.8 V电源电压),相位噪声在10 GHz时为-105 dBc/Hz@1 MHz。 展开更多

关键词 压控振荡器 调谐增益 分布式偏置可变电容阵列 开关电容阵列 开关可变电容阵列

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一种低相位噪声LC压控振荡器的设计与实现 被引量：5

4

作者 常昌远 王绍权 +1 位作者 陈瑶 余东升 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1052-1057,共6页

基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器中的低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电... 基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器中的低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电容阵列和偏置滤波网络来降低相位噪声.采用TSMC 0.35μm CMOS工艺完成前仿真、版图设计与后仿真,芯片面积为1 285.3μm×1 162.7μm.流片测试结果显示,LC压控振荡器的频率调谐范围为1.558～2.065 GHz,调谐范围高达28%,中心频率处的相位噪声为-133.3 dBc/Hz@1 MHz,综合性能指数为-183.3 dBc/Hz.由此表明,所设计的压控振荡器具有比较优异的综合性能. 展开更多

关键词 lc压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 CMOS

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基于MOS电容的压控振荡器设计 被引量：3

5

作者 窦建华 张锋 吴玺 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期721-724,共4页

传统的环形压控振荡器通常是利用控制电阻的方式来达到压控振荡的效果。文章利用容性耦合电流放大器作为压控振荡器的基本反馈单元,并在输出端增加MOS电容来控制振荡频率;分析了利用饱和区的MOS电容特性来实现压控的方法,并采用Smartsp... 传统的环形压控振荡器通常是利用控制电阻的方式来达到压控振荡的效果。文章利用容性耦合电流放大器作为压控振荡器的基本反馈单元,并在输出端增加MOS电容来控制振荡频率;分析了利用饱和区的MOS电容特性来实现压控的方法,并采用Smartspice软件和0.6μm CMOS工艺参数对该压控振荡器进行了模拟;结果表明,这种方法对电路的静态工作点影响很小,输出交流波形的频率稳定度高,有良好的线性调谐特性,达到了预期的效果。 展开更多

关键词 压控振荡器 环形振荡器 IMOS电容 正反馈 调谐范围

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基于可变全差分电感的宽带压控振荡器设计 被引量：1

6

作者 贺章擎 任志雄 +1 位作者 万相奎 李风从 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期811-815,共5页

提出了一种新型结构的可变全差分电感,并将其应用于一款宽带CMOS压控振荡器（VCO）的设计。通过开关控制电感值大小在0.87 nH和1.72 nH之间变换,进一步通过4 bit数字信号控制MOS管电容阵列开关的闭合,VCO输出频率调谐范围（FTR）超过57... 提出了一种新型结构的可变全差分电感,并将其应用于一款宽带CMOS压控振荡器（VCO）的设计。通过开关控制电感值大小在0.87 nH和1.72 nH之间变换,进一步通过4 bit数字信号控制MOS管电容阵列开关的闭合,VCO输出频率调谐范围（FTR）超过57%。采用TSMC 55 nm1P8M CMOS工艺对VCO进行了流片和性能测试,测试结果表明：VCO的输出信号频率范围为3.98-7.22 GHz,其中,开关闭合状态下VCO高频频率范围为4.73-7.22 GHz,开关打开状态下VCO低频频率范围为3.98-5.23 GHz;1 MHz频偏处,VCO的整体相位噪声小于-104 d Bc/Hz,适用于多频段无线收发器的设计。VCO的电源电压为1.2 V,芯片面积为0.39 mm2。 展开更多

关键词 差分电感 压控振荡器 相位噪声 宽带 调谐范围

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权电容编码压控振荡器

7

作者 屈高林 《长沙铁道学院学报》 CSCD 1998年第1期65-68,共4页

本文介绍用权电容编码方法展宽普通LC压控振荡器频率覆盖的原理和技术.文中给出了一个频率覆盖范围为40.2～70.2MHz的高频压控振荡器实例,并介绍了电路参数设计方法和实验数据.

关键词 压控振荡器 频率覆盖 权电容编码 振荡器

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宽带LC压控振荡器的相位噪声优化设计 被引量：3

8

作者 丁理想 吴洪江 +2 位作者 卢东旭 谷江 赵永瑞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期89-92,135,共5页

采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用... 采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响。测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96~2.70 GHz的带宽,频偏为100 k Hz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 d Bc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求。 展开更多

关键词 lc压控振荡器(VCO) 相位噪声优化 品质因数 噪声滤波 宽带

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基于电感峰值技术的环形压控振荡器设计 被引量：3

9

作者 梁仲凯 罗胜钦 《电子测量技术》 2010年第5期4-6,21,共4页

为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感... 为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感峰值技术的VCO均有很高的振荡频率,分别达到3～7.5GHz和7.5～8.6GHz,还具有良好的线性度及抑制电源纹波的能力,电源电压波动敏感度分别为0.015%/1%@2.65GHz和0.024%/1%@8.43GHz。 展开更多

关键词 压控振荡器 环形压控振荡器 电感峰值技术

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一种低噪声C类LC压控振荡器的设计 被引量：1

10

作者 葛士曾 陈德媛 张瑛 《现代电子技术》 2023年第20期13-16,共4页

为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可... 为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可变电容的设计,压控振荡器的增益减小,压控振荡器的相位噪声得到改善。设计了4组开关电容进行调节,增大压控振荡器的调谐范围。仿真结果表明,处于1.2 V的电压下,压控振荡器振荡频率范围在4.14~5.7 GHz,频率调谐范围变化率达到31.2%,相位噪声为-112.8 dBc/Hz。 展开更多

关键词 lc压控振荡器 低噪声振荡器 相位噪声 CMOS 差分电压变容 振荡频率 交叉耦合 共模反馈

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一种宽调谐范围的毫米波LC压控振荡器设计 被引量：5

11

作者 王敏 谢生 +2 位作者 毛陆虹 刘一波 杜永超 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期151-157,共7页

基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种具有宽调谐范围的毫米波电感电容压控振荡器,振荡器采用开关电容阵列、大容值范围可调电容和大滤波电容实现频率调谐范围与相位噪声的双优化.通过三组开关电容阵列来获得八条子频段,优选容值范围较... 基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种具有宽调谐范围的毫米波电感电容压控振荡器,振荡器采用开关电容阵列、大容值范围可调电容和大滤波电容实现频率调谐范围与相位噪声的双优化.通过三组开关电容阵列来获得八条子频段,优选容值范围较大的可调电容来细调每一个频段的振荡频率,获得较大的调谐增益Kvco,从而最大程度地提高频率调谐范围.通过大滤波电容与尾电流源构成的低通滤波器抑制偶次谐波附近的噪声,从而优化相位噪声.仿真结果表明,在1.2 V的工作电源电压下,压控振荡器的频率调谐范围22.2 G^29.2 GHz,中心频率25.7 GHz,在1 MHz频率偏移处的相位噪声-100.9 dBc·Hz^-1,功耗10.81 mW,芯片核心面积为0.056 mm^2. 展开更多

关键词 压控振荡器 开关电容阵列 可调电容 大滤波电容 宽调谐范围 毫米波

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1.8GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计 被引量：4

12

作者 曾健平 章兢 +2 位作者 谢海情 刘利辉 曾云 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期37-40,共4页

采用一种基于开关电容阵列（SCA）和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构，设计了一个1．8GHz宽带分段线性压控振荡器．采用TSMC0．18μm 1P6M CMOS RF工艺，利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真．结果显示，在电源电压V... 采用一种基于开关电容阵列（SCA）和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构，设计了一个1．8GHz宽带分段线性压控振荡器．采用TSMC0．18μm 1P6M CMOS RF工艺，利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真．结果显示，在电源电压Vnn=1．8V时，控制电压范围为0．6～1．8V，频率的变化范围为1．43～2．13GHz，达到39％，相位噪声为一131dBc／Hz@1MHz，功耗为9．36mW（1．8V×5．2mn）．很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾． 展开更多

关键词 压控振荡器 开关电容阵列 电感电容滤波 相位噪声

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RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究 被引量：3

13

作者 李丽 张志国 +1 位作者 赵正平 郭文胜 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1907-1910,共4页

利用RFMEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2GHz的MEMSVCO器件.RFMEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMSVCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频... 利用RFMEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2GHz的MEMSVCO器件.RFMEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMSVCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107dBc/Hz,此相位噪声性能优于他们与90年代末国外同频率器件.并与采用GaAs超突变结变容二极管的VCO器件进行了比较,说明由于集成了RFMEMS可变电容,使得在RFMEMS可变电容的机械谐振频率近端时,MEMSVCO的相位噪声特性发生了改变. 展开更多

关键词 RF MEMS 可变电容 Q值 压控振荡器 单边带相位噪声

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BDS导航接收机中宽调谐LC压控振荡器设计

14

作者 雷思伟 黄海生 +1 位作者 李鑫 叶小艳 《导航定位学报》 CSCD 2021年第6期24-28,37,共6页

针对北斗三号全球卫星导航系统(BDS-3)导航接收机中压控振荡器不能同时兼顾宽调谐范围与低相位噪声等问题,采用台积电(TSMC)0.18μm射频(RF)互补金属-氧化物-半导体(CMOS)工艺设计了一款宽调谐低相噪的电感电容压控振荡器,并能够接收BD... 针对北斗三号全球卫星导航系统(BDS-3)导航接收机中压控振荡器不能同时兼顾宽调谐范围与低相位噪声等问题,采用台积电(TSMC)0.18μm射频(RF)互补金属-氧化物-半导体(CMOS)工艺设计了一款宽调谐低相噪的电感电容压控振荡器,并能够接收BDS-3中B1、B3两种频段信号。设计采用了一种压控可变电容阵列与开关电容阵列组合的结构,达到宽调谐范围与低相噪等特点,同时设计了一种可编程尾电流源阵列,通过数字控制信号使振荡器的输出摆幅更稳定。仿真结果表明:当电源电压为1.8 V时,振荡频率低频范围为2.178~2.697 GHz,高频范围为2.85~3.3 GHz;中心频率在2.5 GHz和3.1 GHz、频偏为1 MHz时的最低相位噪声分别为-121.9 dBc/Hz及-119.5 dBc/Hz;调谐增益的变化率分别为48.93%与78.08%;功耗为3.6~3.8 mW。 展开更多

关键词 压控振荡器 宽调谐 低相噪 电容阵列组合 可编程尾电流源阵

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低相位噪声压控振荡器设计 被引量：1

15

作者 贺勇 曾健平 +1 位作者 文华峰 谢海情 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期992-994,共3页

分析了LC压控振荡器（VCO）相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器。采用TSMC 0.18μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路... 分析了LC压控振荡器（VCO）相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器。采用TSMC 0.18μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真。在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8-1.8 V,输出频率变化为1.29-1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW。 展开更多

关键词 压控振荡器 相位噪声 电感电容滤波 互补MOS

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一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法 被引量：1

16

作者 屈高林 李红民 《无线电通信技术》 北大核心 1999年第6期62-64,共3页

以一个频率覆盖30MHz的高频权电容编码压控振荡器为实例,详细介绍了用权电容编码方法展宽普通LC压控振荡器频率覆盖的原理和技术。并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。

关键词 压控振荡器 频率合成器 短波通信 电容编码

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无线传感网射频芯片中4.8GHz低功耗压控振荡器设计

17

作者 樊祥宁 曾军 +2 位作者 李斌 朱薇薇 陈晓光 《江苏大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2011年第4期433-437,共5页

为满足无线传感网射频收发芯片中频率综合器的应用需求,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并实现了一个4.8 GHz低功耗LC压控振荡器.电路核心采用电流源偏置的互补差分负阻LC振荡器结构以及3 bit开关电容阵列,输出采用共源级缓冲.给出了... 为满足无线传感网射频收发芯片中频率综合器的应用需求,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并实现了一个4.8 GHz低功耗LC压控振荡器.电路核心采用电流源偏置的互补差分负阻LC振荡器结构以及3 bit开关电容阵列,输出采用共源级缓冲.给出了电路设计,对噪声抑制进行了分析,并在Cadence环境下完成了版图设计,版图面积为700μm×900μm.在电源电压为1.8V条件下进行了后仿真,并采用2组SSGSS及1组三针直流探针完成了流片验证和芯片测试.结果表明:电路的后仿真调谐范围大于25%,能够有效地补偿工艺角偏差;在载波频率为4.8 GHz处,后仿真相位噪声为-126.8 dBc/Hz@3 MHz.实际测试中,电路的调谐范围为24%,在应用要求的3 MHz频偏处,相位噪声达到-121.12 dBc/Hz,核心电路工作电流仅为2 mA. 展开更多

关键词 无线传感网 压控振荡器 开关电容阵列 相位噪声 低功耗

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126.6～128.1 GHz基波压控振荡器设计 被引量：1

18

作者 苏国东 孙玲玲 +3 位作者 王翔 王尊峰 张胜洲 雷宇超 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1788-1795,共8页

采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管... 采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管的寄生电容,从而实现输出频率的调谐. VCO输出缓冲器(buffer)采用共源-共栅(Cascode)结构以减小负载电阻对电路振荡的影响.所设计的片上变压器实现了差分信号转单端信号功能,并与传输线、地-信号-地(GSG)焊盘实现了VCO输出匹配.测试结果表明,电路的输出频率范围为126.6~128.1 GHz,调谐范围为1.5 GHz.当电路工作频率为127.2 GHz时,输出功率为–26.8 dBm,偏频为1 MHz处相位噪声的仿真值为–86.3 dBc/Hz.该电路的芯片面积为405μm×440μm. 展开更多

关键词 压控振荡器(VCO) lc谐振槽 交叉耦合对管 共源共栅结构 片上变压器 传输线 GSG焊盘

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用于微波通信的2.4 GHz压控振荡器优化设计 被引量：5

19

作者 段文娟 刘博 +3 位作者 王金婵 张金灿 刘敏 孟庆端 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期461-465,476,共6页

该文提出了一种频率为2.4 GHz的低功耗低相位噪声的改进型电容电感型压控振荡器(LC-VCO)。采用有源金属氧化物半导体(MOS)晶体管取代电阻和电容以优化电路结构,有效减小版图面积和功耗,同时抑制无源器件引起电路精度的恶化,提升VCO综合... 该文提出了一种频率为2.4 GHz的低功耗低相位噪声的改进型电容电感型压控振荡器(LC-VCO)。采用有源金属氧化物半导体(MOS)晶体管取代电阻和电容以优化电路结构,有效减小版图面积和功耗,同时抑制无源器件引起电路精度的恶化,提升VCO综合性能。基于TSMC 65 nm/1.8 V CMOS工艺进行电路设计和仿真,结合理论建模和小信号等效电路分析,调试关键MOS器件参数。结果表明,改进后的VCO的调谐范围从2.365~2.506 GHz,调谐带宽为141 MHz,-127.272 dBc/Hz@1 MHz的相位噪声,1.8 V电源电压下功耗低至1.323 mW,综合优值高达-193.84 dBc·Hz-1,优于多数同频段同类型的压控振荡器。 展开更多

关键词 电容电感型压控振荡器(lc-VCO) 低功耗 低相位噪声 LS频段 优化设计

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双耦合跨导增强型低功耗压控振荡器

20

作者 余启龙 蔡孟冶 姜岩峰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期328-334,共7页

设计了一种工作于Ku波段和Ka波段的新型电容电感压控振荡器(LC VCO),具有低功耗和低相位噪声的优点。Ku波段的信号由交叉耦合LC VCO产生,在此基础上利用PMOS push-push倍频器结构,将信号频率由Ku波段扩展到Ka波段。采用互补型交叉耦合... 设计了一种工作于Ku波段和Ka波段的新型电容电感压控振荡器(LC VCO),具有低功耗和低相位噪声的优点。Ku波段的信号由交叉耦合LC VCO产生,在此基础上利用PMOS push-push倍频器结构,将信号频率由Ku波段扩展到Ka波段。采用互补型交叉耦合对结构,通过电流复用技术,提高信号的输出摆幅。同时该结构通过电容分裂技术和栅极漏极阻抗平衡技术,降低了功耗和相位噪声。该双频段VCO芯片基于0.13μm CMOS工艺实现,尺寸为0.88 mm×0.64 mm。测试结果表明,在1.25 V电源电压下,该VCO的功耗为2.25 mW。14.53 GHz时,该VCO在偏移中心频率1 MHz和10 MHz处的输出相位噪声分别为-115.3 dBc/Hz和-134.8 dBc/Hz,29.08 GHz时的输出相位噪声分别为-109.67 dBc/Hz和-129.23 dBc/Hz。 展开更多

关键词 压控振荡器(VCO) 双频段 倍频器 电容分裂技术 相位噪声

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